王德明
- 作品数：7 被引量：22H指数：2
- 供职机构：上海大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金上海大学创新基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- 平带太阳电池的内量子效率被引量：2
- 2008年
- 该文对平带同质结太阳电池内各空间区域对内量子效率的贡献,以及总的内量子效率进行了数值计算和分析,发现太阳电池的表面复合速率和各区域宽度均对内量子效率有重要影响.而对绒面结构太阳电池的内量子效率和物理参数关系的理论推导,通过数学变换和高阶近似后所得结果,可归结为与平带同质结相同的形式.不同的是,绒面在显著提高外量子效率的同时,可使电池在中长波范围的内量子效率略有提高,这对于改善太阳电池的光电转换性能起着非常重要的作用.所得结论对设计太阳电池及其表面结构具有指导意义.
- 杨文继马忠权唐星赵文刚徐飞王德明赵占霞
- 关键词：同质结光谱响应内量子效率绒面
- ZnO纳米线的水热法生长被引量：11
- 2007年
- 本文采用两步湿化学法在玻璃衬底上制备了ZnO纳米线。首先,利用Sol-gel方法在载玻片上制备含有ZnO纳米颗粒的薄膜作为“种子”衬底。然后,利用水热法在“种子”衬底上生长了高度取向的ZnO纳米线。并对“种子”衬底和随后生长的ZnO纳米线进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子形貌图(SEM)和原子力显微镜(AFM)等分析。结果表明“种子”衬底为大范围内纳米颗粒均匀一致的ZnO薄膜。通过水热法制备的ZnO纳米线的直径在50～80nm,平均直径为60nm,长度大约为2μm。该ZnO纳米线除了具有很强的紫外发光(399nm)外,还在蓝光(469nm)和绿光(569nm)波段有较弱的光致发光现象。
- 赵文刚马忠权裴广庆杨文继徐飞王德明赵占霞
- 关键词：ZNO纳米线SOL-GEL水热法PL谱
- 射频溅射法制备的纳米硅薄膜的能带结构和I-V特性(英文)被引量：2
- 2009年
- 用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。
- 赵占霞栗敏詹颜王德明马忠权孙铁囤
- 关键词：纳米硅薄膜
- 氢化纳米硅薄膜的I-V特性研究
- 对于纳米硅薄膜的高电导率,近几年有了比较深入的研究,对其电导机制有了比较深入的理解.根据纳米硅薄膜异质结能带模型和电导机制理论,我们对氢化纳米硅薄膜的电流一电压与温度的关系做了测量、计算和讨论.并且在不同的温度下,我们分...
- 赵占霞马忠权王德明吴伟徐飞
- 关键词：I-V特性
- 文献传递
- 采用180nm CMOS工艺的USB2.0端点控制器(英文)
- 2009年
- 采用Verilog硬件描述语言设计了用于USB2.0设备控制中的端点控制器。端点数可由用户配置最多达16个。支持8位/16位USB接口,并支持8位/16位/32位AHB或8051接口以及32位的DMA接口。该端点控制器采用180nm CMOS工艺进行流片,所有功能均通过了测试。
- 詹琰潘利坤赵占霞李拥华王德明马忠权
- 关键词：USB2.0VERILOG硬件描述语言CMOS
- Na-Mg弱掺杂ZnO薄膜的结构和电学特性被引量：7
- 2006年
- 报道了用溶胶凝胶法制备由Na、Mg两种元素共同掺杂的ZnO薄膜,研究了在Na-Mg共同掺杂情况下,ZnO薄膜的表面形貌、微结构和电学性质.通过改变Na、Mg掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜可呈现良好的c-轴取向.同时,经过Hall效应测量发现:ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率随着Na、Mg的掺杂量而变化,并出现离散性,薄膜电阻率最低可达0.57×105Ω.cm,具有P-型传导性.
- 王烨李伟赵文刚杨文继王德明马忠权
- 关键词：溶胶凝胶法ZNO薄膜电阻率测量
- 太阳电池的内量子效率
- 本文对平带同质结太阳电池内,各空间结区对内光量子效率的贡献,以及总的内量子效率进行了数值计算和分析,发现太阳电池的结区宽度和表面复合率对内量子效率有重要影响;而对绒面结构太阳电池的内量子效率和物理参数关系的理论推导,通过...
- 杨文继马忠权赵文刚徐飞王德明赵占霞
- 关键词：光谱响应内量子效率太阳电池
- 文献传递
