马忠权
- 作品数：111 被引量：126H指数：6
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- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)被引量：1
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
- 基于丝网印刷的N型硅基太阳能电池的研制
- 2015年
- 传统制备P型硅基太阳能电池的方法被应用到N型硅片上,成功制备出n+np+结构的N型硅基太阳能电池。在制备过程中利用补偿法形成np+背结,无需保护背面。最高效率为13.1%(Voc=0.58V,Jsc=31.2mA/cm2,FF=72.4%)。
- 陈东生李凤马忠权
- 关键词：N型硅太阳能电池丝网印刷
- SINP硅蓝紫光电池及其制备方法
- 本发明涉及一种新型SINP结构硅蓝紫光电池及其制备方法。本发明采用热扩散磷形成浅结、低温热氧化生长超薄SiO<Sub>2</Sub>层、射频磁控溅射ITO减反射/收集电极膜制备了一种新型ITO/SiO<Sub>2</Su...
- 马忠权何波赵磊
- 文献传递
- 稀土钇、镧掺杂TiO_2薄膜的拉曼谱分析被引量：2
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了未掺杂、掺杂钇和掺杂镧的TiO2薄膜样品,对样品在700—1100℃范围内进行退火处理,并对样品的拉曼光谱进行了分析.分析表明:随着退火温度的升高,未掺杂TiO2薄膜发生了从锐钛矿相经混相最终向金红石相的转换,掺杂钇和掺杂镧对TiO2薄膜的晶相转换起阻碍作用,掺杂镧的阻碍作用更强;稀土掺杂能使TiO2薄膜晶粒细化,并使晶粒内部应力增大从而阻碍晶格振动,掺杂镧比掺杂钇的效果更明显;样品表现出明显的声子局域效应,即随晶粒尺寸减小,特征拉曼峰位蓝移、半高全宽增大和峰形非对称展宽.
- 杨昌虎马忠权徐飞赵磊李凤何波
- 关键词：TIO2薄膜稀土掺杂
- 硅锗量子阱结构在硅异质结太阳电池中应用的数值模拟被引量：1
- 2016年
- 利用半导体工艺和器件仿真软件silvaco TCAD(Technology Computer Aided Design),模拟研究了采用硅/硅锗合金(silicon/silicon germanium alloy,Si/Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构作为吸收层的薄膜晶体硅异质结太阳电池各项性能.模拟结果显示,长波波段光学吸收随锗含量的增加而增加,而开路电压则因Si_(1-x)Ge_x)层带隙的降低而下降.锗含量为0.25时,短路电流密度的增加补偿了开路电压的衰减,效率提升0.2%.氢化非晶硅/晶体硅(a-Si:H/c-Si)界面空穴密度以及Si_(1-x)Ge_x)量子阱的体空穴载流子浓度制约着空穴费米能级的位置,进而影响到开路电压的大小.随着锗含量增加,a-Si:H/c-Si界面缺陷对开压的影响降低,Si_(1-x)Ge_x)量子阱的体缺陷对开压的影响则相应增加.高效率含Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构的硅异质结太阳电池的制备需要a-Si:H/c-Si界面缺陷的良好钝化以及高质量Si_(1-x)Ge_x)量子阱的生长.
- 张晓宇张丽平马忠权刘正新
- 关键词：异质结太阳电池
- 沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和微结构的影响被引量：2
- 2012年
- 为研究沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和结构的影响,通过改变沉积压强并采用射频磁控溅射制备a-S∶iH薄膜。借助椭偏仪、紫外可见分光光度计和拉曼光谱来分析薄膜的光学性能和微结构。研究发现,在较低沉积压强下薄膜的致密度得到提高,光学带隙偏小,折射率和消光系数较大,短程序和中程序得到改善,体内缺陷较少。并且椭偏拟合参数A越大,意味着薄膜的质量越好。结果表明,沉积气压确实对薄膜的微结构和光学性能具有重要影响。
- 丁虎马忠权赵磊杜汇伟杨洁周丽丽
- 关键词：光学性能拉曼散射微结构
- 新型SINP硅蓝紫光电池的研究被引量：2
- 2010年
- 本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.
- 何波马忠权徐静赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕殷宴庭
- 关键词：ITO薄膜I-V特性光谱响应
- HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究
- 2009年
- 报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTEX射线光电子能谱表面钝化
- 平面型钙钛矿太阳能电池温度相关的光伏性能时间响应特性被引量：2
- 2016年
- 本文研究了钙钛矿太阳能电池不同工作温度下光伏性能的时间响应特性.结果表明,钙钛矿太阳能电池光伏性能需要经过一段时间光照后才能达到稳定.且随着工作温度降低,电池光伏性能达到稳定所需的响应时间也越长.当电池达到稳定后,电池开路电压会随着温度降低而增大.在此之前,开路电压会在低温下发生显著的衰减.这意味着钙钛矿太阳能电池的时间响应主要来源于其内部内建电场的缓慢变化.通过测量光照前后电池外量子效率发现,光生载流子的分离和收集效率会在光照后得到明显改善.这也暗示了内建电场在光照前后发生了改变.钙钛矿材料中的离子迁移被认为是引起内建电场发生变化的原因.这有助于更好地理解钙钛矿太阳能电池中载流子输运机制.
- 曹汝楠徐飞朱佳斌葛升王文贞徐海涛徐闰吴杨琳马忠权洪峰蒋最敏
- 关键词：量子效率
- ITO/n-Si异质结界面层量子输运性质的模拟
- 本文讲述了ITO/n-Si界面层模拟模型的建立，分析了界面层光电性质的模拟探索，总结了模拟结果对ITO/n-Si异质结光伏性能的预测，a-SiOx(In)是一种宽禁带具有良好的隧穿和钝化功能的半导体材料，此种单结太阳电池...
- 宋晓敏马忠权高明
- 关键词：太阳能电池界面层光电性质量子输运
