楼曹鑫
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：苏州科技学院数理学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 稀磁锗(Ge)量子结构制备及其特性研究
- 稀磁性半导体是指:带有磁性的过渡金属或稀土金属离子低浓度掺杂,替代半导体中非磁性阳离子后形成的一类带磁性半导体材料。这类材料的器件会有更小器件尺寸、更快运算速度、更低功耗、且存在非易失性,在半导体集成电路、高密度非易失性...
- 楼曹鑫
- 关键词：稀磁半导体PECVDMN掺杂退火工艺
- 纳米ZnO薄膜的热蒸发法制备及其光电特性研究被引量：2
- 2010年
- 以醋酸锌为原料、O/Ar的混合气体为携载气体,在500℃的温度下应用热蒸发法在p型Si基片上生长纳米ZnO薄膜,并研究了其形貌、结构和光电特性。X-射线(XRD)衍射结果显示所制备ZnO纳米晶体呈六角纤锌矿结构;扫描电子显微镜(SEM)观察发现生长的ZnO薄膜平整均匀,纳米晶体颗粒平均尺寸为25nm。应用紫外-可见光吸收谱分析了其吸收特性,发现该ZnO薄膜在紫外波段具有很强的吸收,其吸收边位于320nm处。由于量子限制效应,与体材料相比,该吸收边存在明显的蓝移。应用光致发光谱(PL)研究了其发光特性,发现该ZnO薄膜在近紫外以及蓝-绿光波段具有强烈的受激发射。最后,还研究了ZnO薄膜的电容-电压(C-V)特性。
- 楼曹鑫马锡英黄仕华王丽伟
- 关键词：热蒸发法ZNO薄膜光致发光SEM
- 锗/硅量子点形貌随退火温度的变化与电学特性研究
- 2011年
- 研究了锗(Ge)量子点薄膜表面形貌随退火温度的变化及其相应的电学特性。以锗烷为主要反应气体,应用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)在300℃温度、p-硅(100)基片上沉积了锗量子点薄膜,然后分别在400℃、500℃、600℃温度下退火。应用原子力显微镜(AFM)系统地观察了锗量子点薄膜的二维、三维图像,发现原位生长的锗量子点尺寸起伏大、薄膜表面比较粗糙。退火后,锗量子点分布趋于均匀,并且随退火温度的升高,量子点呈一定的取向排列,表面变得平整。通过电流-电压(I-V)和电容-电压(C-V)测试,发现锗量子点薄膜具有良好的电学特性。随退火温度的升高,电流、电容显著增大,漏电流减小,说明退火后,锗量子点薄膜晶界和粗糙度减小,使样品的表面、界面特性更好。
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- 关键词：退火形貌原子力显微镜I-V
