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黄仕华
作品数:
151
被引量:77
H指数:5
供职机构:
浙江师范大学
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点实验室开放基金
浙江省自然科学基金
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相关领域:
电气工程
电子电信
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合作作者
李林华
浙江师范大学
陈达
浙江师范大学
陆肖励
浙江师范大学
王佳
浙江师范大学
李兴达
浙江师范大学
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作者
151篇
黄仕华
31篇
李林华
21篇
陈达
16篇
陆肖励
10篇
王佳
9篇
李兴达
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2008
3篇
2007
2篇
2006
2篇
2005
共
151
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被引量排序
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半导体超晶格高频放大效应的研究
2011年
在直流电场和太赫兹频率交流光电场下,通过弛豫时间近似下半经典的玻尔兹曼输运理论研究了半导体超晶格微带电子的高频响应及太赫兹激光辐射的产生和放大可行性,并发现在微带中布拉格反射导致的高频放大共振可以利用交流的探测激光场观察到.
胡波
黄仕华
关键词:
超晶格
太赫兹
高频响应
高频放大
基于苝二酰亚胺敏化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种基于苝二酰亚胺敏化的晶体硅太阳能电池,包括N型单晶硅基底层,基底层正面依次为烷基化‑苝硅层、苝二酰亚胺层,基底层背面为叉指接触层,所述的叉指接触层包括条纹状重复的氧化钼‑氧化铝‑氟化锂‑氧化铝条带,其中氧...
黄仕华
鲁章波
池丹
李林华
楼刚
前表面局部多晶硅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种前表面局部多晶硅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法,方法步骤包括硅片清洗、正面生长氧化硅层、本征非晶硅薄膜,对本征非晶硅薄膜进行两次硼掺杂形成p<Sup>++</Sup>多晶硅,并制绒蚀刻;在背面本征非晶硅...
黄仕华
李林华
胡雪峰
一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器
本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料,其分子式为SiC<Sub><I>x</I></Sub>O<Sub><I>y</I></Sub>,其中x=1.21~0.21,y=1.45~...
黄仕华
陈达
文献传递
四甲基胍单晶硅片湿法制绒工艺研究
被引量:1
2022年
首次采用有机碱——四甲基胍替代传统的氢氧化钠或氢氧化钾作为制绒刻蚀剂,邻苯二酚和硅酸钠作为制绒添加剂进行单晶硅片制绒,并通过实验对不同四甲基胍浓度、邻苯二酚浓度、反应温度、反应时间对单晶硅片制绒的影响进行了分析。研究结果表明:制绒后单晶硅片表面的金字塔分布密集、大小均匀;在400~1000 nm的波长范围内,单晶硅片的平均反射率为9.16%,比采用传统的碱醇制绒体系制绒时获得的反射率低;同时,该制绒方法还消除了传统制绒刻蚀液中金属离子对单晶硅片的污染。
赵徐禛
张嘉华
康桥
黄仕华
关键词:
四甲基胍
单晶硅片
反射率
一种晶体硅体寿命的精确测量方法
本发明公开了一种晶体硅体寿命的精确测量方法,该方法通过准稳态光电导法测少数载流子寿命,准稳态少子寿命测量法可以准确快速地得到硅片少子寿命的真实值,该有效少子寿命包括体寿命和表面复合寿命,在硅片表面复合情况相同的前提下,然...
黄仕华
黄玉清
文献传递
具有宽特征尺度的掺铝氧化锌薄膜制备方法
本发明公开了一种具有宽特征尺度的掺铝氧化锌薄膜制备方法,利用磁控溅射在玻璃基片上生长一层AZO薄膜;利用稀盐酸与丙烯酸混合液对AZO薄膜进行腐蚀,获得大特征尺度的光俘获结构;在腐蚀后的AZO薄膜上利用磁控溅射再生长一层A...
黄仕华
陆肖励
井维科
文献传递
一种多晶硅薄膜及其低温制备方法
本发明涉及一种多晶硅薄膜的低温制备方法,属于多晶硅薄膜制备领域,包括以下步骤:(1)对衬底进行清洗和吹干;(2)真空室抽真空,气压达到10<Sup>-6</Sup>Torr以上,采用真空磁控溅射的方法在衬底上沉积非晶硅薄...
郝亚非
张若云
井维科
黄仕华
文献传递
PECVD法制备氢化纳米晶硅薄膜及其晶化特性的研究
刘剑
黄仕华
一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法,以氧化钼作为p型晶体硅钝化层和空穴传输层,具有如下的结构:Ag/SiN<Sub>x</Sub>/n‑c‑Si/p‑c‑Si/SiO<Sub>2</Sub>/MoO<...
黄仕华
周理想
池丹
陆肖励
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