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李蕾蕾: 作品数：15 被引量：15H指数：3; 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项江苏省高技术研究计划项目更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

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超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测被引量：6: 2009年; 随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.; 赵文彬李蕾蕾于宗光; 关键词：栅氧化层等离子体损伤天线结构

一种大电流平面变压器: 本发明是一种平面变压器，特别是指制作在多层印刷电路板（PCB）上的大电流平面变压器。本发明的结构包括磁芯和线圈绕组。本发明涉及到平面变压器的磁芯形状、线圈拓扑结构和缠绕方法，其特征在于初级绕组由环绕两个磁芯的大圈和环绕一...; 易峰张又丹郭海平何颖李蕾蕾

辐照下背栅偏置对部分耗尽型绝缘层上硅器件背栅效应影响及机理分析被引量：1: 2012年; 基于部分耗尽型绝缘层上硅(SOI)器件的能带结构,从电荷堆积机理的电场因素入手,为改善辐照条件下背栅Si/SiO_2界面的电场分布,将半导体金属氧化物(MOS)器件和平板电容模型相结合,建立了背栅偏置模型.为验证模型,利用合金烧结法将背栅引出加负偏置,对NMOS和PMOS进行辐照试验,得出:NMOS背栅接负压,可消除背栅效应对器件性能的影响,改善器件的前栅I-V特性;而PMOS背栅接负压,则会使器件的前栅I-V性能恶化.因此,在利用背栅偏置技术改善SOI/NMOS器件性能的同时,也需要考虑背栅偏置对PMOS的影响,折中选取偏置电压.该研究结果为辐照条件下部分耗尽型SOI/MOS器件背栅效应的改善提供了设计加固方案,也为宇航级集成电路设计和制造提供了理论支持.; 周昕杰李蕾蕾周毅罗静于宗光; 关键词：总剂量效应背栅效应

一种高集成度导航信号处理SIP装置: 本实用新型公开了一种高集成度导航信号处理SIP装置，包括数据处理装置、通讯接口装置、硅转接基板和HTCC陶瓷管壳，数据处理装置包括信号处理核心芯片DSP、接口处理芯片FPGA、数据存储芯片SRAM和程序存储芯片FLASH...; 杨兵杨芳王良江李蕾蕾; 文献传递

High-Voltage MOSFETs in a 0.5μm CMOS Process: 2008年; There is growing interest in developing high-voltage MOSFET devices that can be integrated with low-voltage CMOS digital and analog circuits. In this paper,high-voltage nand p-type MOSFETs are fabricated in a commercial 3.3/ 5V 0.5μm n-well CMOS process without adding any process steps using n-well and p-channel stops. High current and highvoltage transistors with breakdown voltages between 23 and 35V for the nMOS transistors with different laydut parameters and 19V for the pMOS transistors are achieved. This paper also presents the insulation technology and characterization results for these high-voltage devices.; 赵文彬李蕾蕾于宗光

一种大电流平面变压器: 本实用新型是一种平面变压器，特别是指制作在多层印刷电路板（PCB）上的大电流平面变压器。本实用新型的结构包括磁芯和线圈绕组。本实用新型涉及到平面变压器的磁芯形状、线圈拓扑结构和缠绕方法，其特征在于初级绕组由环绕两个磁芯的...; 易峰张又丹郭海平何颖李蕾蕾; 文献传递

深亚微米工艺EEPROM单元加固设计及辐照性能被引量：3: 2011年; 当普通EEPROM单元在太空中应用时,会受到辐照效应的影响,导致单元可靠性降低,寿命缩短,为此,基于0.18μm工艺,设计出一种新型抗辐照EEPROM单元.新单元采用环形栅和场区隔离管加固结构.加固后,单元面积为9.56μm2,抗总剂量效应能力大于1 500 Gy,抗辐照能力明显优于普通结构.为明确失效机制,基于新单元结构在辐照条件下的阈值退化曲线,分析了辐照效应对存储单元的影响,并与普通单元的辐照效应相比较.结果表明:总剂量效应引起的边缘寄生管源/漏端漏电及场氧下漏电是深亚微米工艺EEPROM失效的主要机制.新单元针对失效机制的加固设计,提高了抗辐照能力和可靠性.该设计为满足太空应用中抗辐照存储器的需要,提供了良好的基础.; 周昕杰李蕾蕾徐睿于宗光; 关键词：总剂量效应 EEPROM 抗辐照加固

EEPROM电路的耐久性和保持性研究: 随着器件尺寸缩小至亚微米，器件的稳定性和可靠性就显得更加重要。当电荷进出于浮栅下方的隧道氧化层时，氧化层逐渐失效，期间产生的陷阱和缺陷直接影响EEPROM器件的可靠性。论文在对FLOTOX EEPROM存储管...; 李蕾蕾; 关键词：缺陷密度阈值电压; 文献传递

SOI SONOS EEPROM总剂量辐照阈值退化机理研究被引量：2: 2011年; 阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.; 李蕾蕾于宗光肖志强周昕杰; 关键词：SONOS EEPROM SOI 辐照

一种大电流平面变压器: 本发明是一种平面变压器，特别是指制作在多层印刷电路板（PCB）上的大电流平面变压器。本发明的结构包括磁芯和线圈绕组。本发明涉及到平面变压器的磁芯形状、线圈拓扑结构和缠绕方法，其特征在于初级绕组由环绕两个磁芯的大圈和环绕一...; 易峰张又丹郭海平何颖李蕾蕾; 文献传递