单崇新
- 作品数：79 被引量：67H指数：5
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 氧化锌基薄膜的MOCVD生长及其紫外探测器研究
- 紫外探测技术是继红外和激光探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术,在民用方面,它在生物医学、气体探测与分析、火焰传感及日光的紫外光照度监测等领域有广泛的潜在应用。特别是在220-280nm的光谱范围内,太阳光由于...
- 单崇新张振中申德振
- (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减被引量：1
- 2003年
- 为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。
- 张振中申德振张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益春范希武
- 关键词：泵浦-探测光开关
- II族氧化物半导体杂质调控及其光电器件研究
- 申德振单崇新刘雷吕有明范希武
- 该项目属于信息领域宽禁带半导体材料与器件方向。 半导体技术是当代信息社会的基石，以氧化锌(ZnO)为代表的II族氧化物是典型的宽禁带半导体，其主要特点在于其激子结合能(60 meV)远大于室温热离化能(26meV)，因而...
- 关键词：
- 关键词：光电器件半导体材料
- 基于等离子体激发的立方相MgZnO深紫外发光
- 发光波长在300nm以内的光源在食品消毒、临床诊断等方面有重要的应用.可是目前主要的这类光源主要是以氙灯、汞灯等为主,它们一般工作寿命短、稳定性和稳定性比较差.目前虽然GaN基宽禁带半导体材料在深紫外发光器件取得了显著进...
- 胡光冲单崇新谢修华申德振
- 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置
- 一种采用均匀进气系统的原子层沉积装置，涉及一种原子层沉积装置。它解决现有技术中前驱体与衬底或上一原子层接触的均匀性差、反应物利用率低和材料生长周期长导致的沉积效率低问题。该装置包括反应腔室、第一前驱体容器、第二前驱体容器...
- 单崇新申赫于吉刘兴宇王双鹏李炳辉申德振
- 文献传递
- 荧光转换氧化锌基异质结发光二极管
- 白光发光二极管(LED)以其在固态照明的方面的应用成为近年来的研究热点，而实现白光LED的最好方法是以蓝光或近紫外发光器件为芯片，并包覆绿光、黄光和/或红光荧光粉制成荧光转换白光LED.现在通常选用氮化镓基量子阱结构作为...
- 王双鹏单崇新朱海李炳辉申德振刘学彦
- 低温外延生长平整ZnO薄膜被引量：5
- 2014年
- 在较低温度下实现平整ZnO薄膜的生长有利于ZnO的可控p型掺杂以及获得陡峭异质界面.本文使用分子束外延方法,采用a面蓝宝石为衬底,在450℃下生长了一系列ZnO薄膜样品.在富氧生长的条件下,固定氧流量不变,通过调节锌源温度来改变锌束流,以此调控生长速率.样品的生长速率为40～100 nm/h.通过扫描电镜(SEM)表征发现:在高锌束流的生长条件下,样品表面有很多不规则的颗粒；降低锌的供应量后,样品表面逐渐平整.原子力显微镜(AFM)测试结果表明:样品的均方根表面粗糙度(RMS)只有0.238 nm,接近于原子级平整度.这种平整表面的获得得益于较低的生长速率,以及ZnO外延薄膜与a面蓝宝石衬底之间小的晶格失配.
- 赵鹏程张振中姚斌李炳辉王双鹏姜明明赵东旭单崇新赵海峰刘雷申德振
- 关键词：ZNO分子束外延生长温度
- 梯度组分缓冲层诱导的单一立方相Mg_(0.3)Zn_(0.7)O薄膜外延生长被引量：1
- 2014年
- 为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。
- 郑剑张振中王立昆韩舜张吉英刘益春王双鹏姜明明李炳辉赵东旭刘雷刘可为单崇新申德振
- 关键词：缓冲层
- 生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量：5
- 2010年
- 利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。
- 李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振
- 关键词：氧化锌分子束外延电致发光
- 高响应度ZnO基紫外探测器
- 作为第三代半导体材料,ZnO具有诸多优越的光电性能,如大的禁带宽度(3.37 eV),高的激子束缚能(60meV),且可通过掺Mg、Cd等元素实现能带调控等,在短波长光电子器件研究领域具有巨大的应用前景.特别是其高的饱和...
- 刘吉山单崇新李炳辉张振中申德振范希武
