范希武
- 作品数：280 被引量：619H指数：13
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程化学工程更多>>
- ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究
- 1991年
- 本文研究了ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E_(?)的影响,并利用Kronig-Penney模型计算了n=1的激子峰值能量与势阱宽度、势垒高度涨落的关系.首次从实验上分析了77-250K温度范围内ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格激子发光的线型与各参量的密切关系.
- 关郑平范广涵宋世惠范希武
- 关键词：超晶格光致发光
- 用荧光粉转换方法制备纯绿色LED被引量：8
- 2002年
- 采用荧光粉转换的方法制备了纯绿色LED ,所制备的纯绿光LED的发光峰值在 5 2 0nm ,其半峰宽约为 30nm ,法向光强为 6 0 0mcd。
- 蒋大鹏赵成久侯凤勤刘学彦申德振范希武
- 非线性迭层光栅的光学限制特性
- 1999年
- 首次报导了在具有非线性响应的ＺｎＳ／ＺｎＳｅ迭层光栅中实现的光学限制效应，其光学限制阈值大约为１４０ｍＷ（１．４２×１０５Ｗ／ｃｍ２），限幅阈值２４ｍＷ．理论分析表明，这种迭晨光栅的光学限制机理是来自双光子吸收产生的自由载流子引起的自散焦效应对材料折射率的贡献，产生了非线性折射率的结果．我们发现这种由半导体多层结构制成的光功率限制器不但具有较低的阈值和较宽的频谱响应，而且具有其阈值强度依赖于器件的各种参数的特点．因此，它比单层结构的功率限制器的适应性更强．
- 刘大力李公羽何晓东孙雅东赵昱祁雷林久令范俊清徐迈范希武
- 关键词：自散焦非线性
- (CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减被引量：1
- 2003年
- 为了研究低维半导体结构中的激子过程,并进一步实现超快速的激子衰减,设计了一种新型的(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构,并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦 探测方法,采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe/ZnTe量子阱的激子衰减,单指数衰减拟合给出690fs的下降沿时间。
- 张振中申德振张吉英单崇新张立功杨春雷吕有明刘益春范希武
- 关键词：泵浦-探测光开关
- ZnSe-ZnS超晶格的通光蚀孔及列阵研究
- 1993年
- 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnSe-ZnS超晶格.用化学腐蚀方法在GaAs衬底上开一个通光窗口,使该窗口上仅剩有1～1.8μm厚的生长层.室温下测量了蚀孔后由于化学腐蚀造成生长层表面差异的ZnSe-ZnS超晶格的吸收光谱.研究了带有生长过渡层和无过渡层的超晶格质量对其吸收光谱性能的影响.发现过渡层的存在保护了超晶格激子吸收性能.在此基础上首次采用新工艺在3×3mm^2面积上把GaAs衬底金部腐蚀掉,剩下均匀、光滑的ZnSe-ZnS超晶格层,在其上做出了300×300μm^2的列阵,为在ZnSe-ZnS超晶格上实现光学双稳的集成化提供了必要条件.
- 张吉英孙甲明范希武姜锦秀陈连春
- 关键词：超晶格吸收谱
- 铁掺杂的硫化锌薄膜生长制备方法
- 本发明涉及用低压金属有机化学气相沉积设备制备铁掺杂的硫化锌单晶薄膜。首先将清洗好的半导体衬底放入生长室内的石墨基座上，控制生长室压力为低压，将高纯氢气通入生长室，调节高频感应电源对石墨基座加热，在600℃下高温处理衬底1...
- 张吉英冯秋菊申德振吕有明范希武李炳生
- 文献传递
- II族氧化物半导体杂质调控及其光电器件研究
- 申德振单崇新刘雷吕有明范希武
- 该项目属于信息领域宽禁带半导体材料与器件方向。 半导体技术是当代信息社会的基石，以氧化锌(ZnO)为代表的II族氧化物是典型的宽禁带半导体，其主要特点在于其激子结合能(60 meV)远大于室温热离化能(26meV)，因而...
- 关键词：
- 关键词：光电器件半导体材料
- 氧化镁包埋的氧化锌量子点的制备和光致发光特性研究
- 2001年
- 介绍了一种简单的方法实现了氧化镁包埋氧化锌量子点,并研究了包埋氧化镁中的氧化锌量子点的形成和光致发光特性.在样品制备过程中,我们利用电子束蒸发氧化镁晶体和热蒸发金属锌同时进行的方法将金属锌包埋到氧化镁薄膜中,然后在不同的温度下(500、600、700、800、900、1000°C)将金属锌在氧气氛中氧化,从而实现利用氧化镁包埋氧化锌量子点的目的.(PH13)
- 马剑钢刘益春孔祥贵申德振张喜田钟国柱范希武
- 关键词：氧化镁量子点光致发光
- 利用P-MBE方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜被引量：15
- 2003年
- 利用等离子体辅助分子束外延(P MBE)方法在(400)Si衬底上生长ZnO薄膜。为改善生长后样品的质量,把样品解理成三块后,在不同温度下氧气气氛中退火。通过X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱进行表征,讨论了用P MBE方法在Si基上生长的ZnO的室温光致发光发光峰的可能原因。
- 梁红伟吕有明申德振刘益春李炳辉张吉英范希武
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌薄膜X射线衍射光致发光薄膜生长
- 磁控溅射方法生长的氮氧锌薄膜的光学特性被引量：2
- 2003年
- 氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ Ⅵ族半导体材料,室温下能带带隙Eg为3 37eV。由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光。此外氧化锌还具有较高的热稳定性和抗化学腐蚀特性,因而被认为是制作紫外半导体激光器的合适材料。自1997年首次发现ZnO室温紫外受激发射以来,ZnO已成为继GaN之后紫外发射材料的又一研究热点。但是,目前对于p型氧化锌及其发光器件的研究仍处于探索阶段,对其光电特性的研究仍需要更多投入。本文利用磁控溅射方法制备出氮氧锌薄膜样品,并通过在氧气气氛下退火处理,改变薄膜样品中氮的含量。通过X射线衍射谱、X射线光电子能谱、光致发光谱及喇曼光谱的测试,研究了氮在氧化锌薄膜中的含量变化以及氮对氧化锌薄膜的结构和光学特性的影响。
- 马剑钢刘益春张吉英申德振吕有明范希武
- 关键词：磁控溅射氧化锌光学特性薄膜生长激子
