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刘建设
作品数:
6
被引量:18
H指数:3
供职机构:
华中理工大学固体电子学系
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
理学
电气工程
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合作作者
李兴教
湖北大学压电陶瓷技术研究所
黄龙波
华中理工大学固体电子学系
李佐宜
华中理工大学固体电子学系
卢德新
华中理工大学固体电子学系
曾亦可
华中理工大学固体电子学系
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理学
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溶胶凝胶法制...
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射频磁控
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射频磁控溅射
1篇
双脉冲
机构
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华中理工大学
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湖北大学
作者
6篇
刘建设
4篇
李兴教
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卢德新
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李佐宜
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黄龙波
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曾亦可
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传媒
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华中理工大学...
1篇
物理学报
1篇
中国激光
1篇
人工晶体学报
年份
1篇
1997
1篇
1996
1篇
1995
1篇
1994
2篇
1993
共
6
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PLZT(7.5/65/35)薄膜制备与铁电性能研究
1995年
讨论了用射频磁控溅射技术制备的PLZT(7.5/65/35)薄膜的结构和铁电性能。研究表明,在不同的基片温度下所获得的薄膜都有(210)和(002)取向的钙钛矿结构,但取向不同,峰值差别很大;经过退火处理后薄膜结构差异变小;添加少量的PbO有利于薄膜的钙钛矿晶相的生长,PLZT薄膜的微观结构均匀,电性能较好。
黄龙波
李佐宜
卢德新
刘建设
关键词:
射频磁控溅射
铁电性能
显微结构
用双脉冲测量铁电薄膜的开关特性与电滞回线
被引量:2
1993年
分析测量了铁电薄膜的开关特性.介绍了测量铁电薄膜开关特性的重要仪器——双极性双脉冲发生器,以及利用双极性双脉冲测试铁电薄膜电滞回线的原理.这种电滞回线比用常规测量方式所测出的电滞回线更能真实地反映出铁电薄膜的特性,同时还能反映出铁电薄膜的极化转向过程.
曾亦可
刘建设
李兴教
关键词:
铁电薄膜
开关特性
双脉冲
铁电材料电性能测量仪
被引量:3
1993年
讨论了与铁电薄膜存储器(FRAM)有关的铁电陶瓷参数测试仪的设计问题.该测试仪采用集成芯片,电路简单,工作稳定可靠,同时,它还是一种多用途信号发生器,其信号幅度从0~3500V连续可调.最后,给出了对PZT陶瓷薄片的有关测量结果.
刘建设
曾亦可
李兴教
关键词:
铁电陶瓷
测量仪器
电性能
铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响
被引量:10
1994年
研究了电极材料(Pt/Ti)对铁电PLZT(7.5/65/35)陶瓷薄膜结构和性能的影响.认为在Pt层厚度一定时,Ti层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显著影响.当Ti层过厚或过薄时,铁电薄膜的结构较差;而当Ti层的厚度适中时,则铁电薄膜的显向下微结构均匀,电性能较好,典型的剩余极化强度和矫顽场分别为27.8μC·cm ̄(-2)和65.1kV·cm ̄(-1).
卢德新
李佐宜
刘建设
黄龙波
梁俊文
关键词:
铁电薄膜
陶瓷
电性能
电极材料
溶胶凝胶法制备Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜及电学性质
1996年
以丁醇钛,硝酸铋为原料,用Sol-gel技术制备出Bi4Ti3O12铁电薄膜。利用XRD,SEM手段分析了薄膜的结构和表面形貌。结果表明,薄膜呈现单一的展状钙钛矿结构和良好的C轴择优取向。薄膜在Si(100)衬底和Pt/Ti/Si衬底上的取向率分别为90%和68%,薄膜的表面均匀。测试结果表明,薄膜具有良好的铁电和介电性质,剩余极化强度为5.0μC/cm2,矫顽场强为70kV/cm。
顾豪爽
黄桂玉
包定华
王世敏
邝安祥
刘建设
李兴教
关键词:
铁电薄膜
铁电性质
准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜
被引量:3
1997年
利用脉冲准分子激光(工作气体XeCl,波长308nm,脉宽28ns)在外延YBCO/LaAlO3(100)单晶基片上淀积了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,YBCO薄膜既为生长高取向PZT薄膜提供了晶体匹配条件,同时也为PZT铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,扫描电镜观察其表面形貌。PZT铁电薄膜的剩余极化为21μC/cm2,矫顽场为65kV/cm。
赵建洪
刘建设
黄歆
李兴教
李兴教
陆冬生
安承武
关键词:
铁电薄膜
准分子激光
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