黄龙波
- 作品数:19 被引量:74H指数:6
- 供职机构:武汉邮电科学研究院更多>>
- 发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 光缆实时监测装置
- 本实用新型提供一种光缆实时监测装置,它通过光耦合器等光取样器对每根光纤的光信号取样,然后对其光功率进行测试,将对每根光纤的测试结果都送到前端控制器进行计算、分析和处理,显示计算结果,并根据处理结果控制光开关进行切换,通过...
- 黄龙波
- 文献传递
- 铁电PZT系列薄膜结构和性能的研究被引量:2
- 1996年
- 采用射频磁控溅射技术制备了铁电PZT薄膜。研究了不同温度烧结的靶材与溅射薄膜成分的关系,深入探讨了薄膜的退火工艺对薄膜晶体结构和铁电性能的影响。认为当靶材原始配方相同时,则低温(900℃)烧结的靶材使得薄膜中有过剩的PbO存在,有利于改善和提高薄膜的铁电性能;而高温(1200℃)烧结的靶材,由于退火后薄膜中PbO的含量小于化学计量比,使得薄膜的铁电性能变差。实验表明,薄膜的最佳退火条件为600~650℃,60min,典型的剩余极化强度为13.2μC/cm2,矫顽场为55.5kV/cm2。
- 卢德新李佐宜刘兴阶黄龙波傅焰峰林更琪
- 关键词:射频磁控溅射锆钛酸铅晶体结构铁电体
- 沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性被引量:2
- 1996年
- 研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上,探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明,这种铁电PZT(53/47)薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24.8μC/cm2,矫顽场强度Ec为70kV/cm。210kV/cm的电场下,疲劳循环直到4×108次时,最大极化强度仍有20.6μC/cm2,降低了约34%,其剩余极化强度保持为10μC/cm2左右。
- 黄龙波李佐宜卢德新
- 关键词:铁电射频磁控溅射PZT
- PLZT陶瓷靶材及溅射薄膜的微观结构研究被引量:8
- 1994年
- 研究了铁电PLZT(7.5/65/35)陶瓷靶材及用射频磁控溅射法制备的相同组分陶瓷薄膜的矿物结构及显微结构.实验结果表明,与陶瓷靶材相比,陶瓷薄膜的结晶取向发生了较大的变化,晶粒度减小,致密度提高,但晶粒无完整的晶形.随退火温度的提高,薄膜的缺陷明显增加.
- 卢德新黄龙波刘兴阶林更琪胡用时李佐宜
- 关键词:陶瓷铁电陶瓷靶材
- 铁电薄膜与底电极之间界面的异质结效应被引量:8
- 1997年
- 铁电薄膜与底电极之间由于高温扩散而形成了界面层,且观察到其对薄膜电性能的影响类似于硅衬底上铁电薄膜的异质结效应。基于能带理论的考虑,建立物理模型来解释其影响。该界面异质结模型不仅可以解释铁电薄膜的界面分层、电滞回线不对称等现象,而且还成功地解释了电滞回线中心在极化轴上的偏移和疲劳循环过程中的偏移增加,并探讨了这种偏移对铁电薄膜疲劳特性的影响。
- 黄龙波刘殊松龙浩干煜军
- 关键词:铁电薄膜硅衬底
- 光缆实时监测系统被引量:16
- 2001年
- 提出了一种新型光缆实时监测系统的设计方案 .系统通过光耦合器对每根光纤的光信号取样 ,然后对其光功率进行测试 ,将测试结果送到中央控制器进行计算、分析和处理 ,显示出测量数据 ,并根据处理结果控制光开关进行切换 ,再通过波分复用器 ( WDM)使故障光纤接入光时域反射计 ( OTDR)进行上下测试 .
- 黄龙波张靖郑彦升
- 关键词:光缆监测系统光功率光开关光时域反射计
- 聚合物薄膜光波导的研制
- 光刻和反应离子刻蚀技术制备出了聚合物薄膜光波导,其波导芯层截面为8μm宽x4μm高。
- 黄龙波龙浩
- 关键词:偏振相关损耗光无源器件光隔离器
- 铁电(Pb_(0.925)La_(0.075))(Zr_(0.65)Ti_(0.35))_(0.981)O_3薄膜的疲劳特性研究被引量:4
- 1995年
- 铁电薄膜(BaLiO_3,PbLiO_3,(Pb_(1-x)La_x)(Zr_yLi_(1-y))_(1-x/4)O_3(PLZL_x/y/(1-y)),LiNbO_3,Bi_4Li_3O_12等)在近20年来由于其在电、光学上的大量应用而被广泛地研究,尤其是铁电薄膜存储器综合了半导体存储器与磁存储器的优点,具有高速度、高密度、非挥发性和极好的抗辐射性等特点,并能与半导体工艺相兼容,是国际上研究的热门领域.这些应用都需要高质量的铁电薄膜,许多薄膜制备技术,如纪光闪蒸、溅射、外延沉积、化学蒸发沉积和sol-gel方法等,已被用于在各种衬底上制备铁电薄膜.
- 黄龙波李佐宜刘兴阶缪向水卢德新
- 关键词:铁电薄膜射频磁控溅射PLZT
- PLZT(7.5/65/35)薄膜制备与铁电性能研究
- 1995年
- 讨论了用射频磁控溅射技术制备的PLZT(7.5/65/35)薄膜的结构和铁电性能。研究表明,在不同的基片温度下所获得的薄膜都有(210)和(002)取向的钙钛矿结构,但取向不同,峰值差别很大;经过退火处理后薄膜结构差异变小;添加少量的PbO有利于薄膜的钙钛矿晶相的生长,PLZT薄膜的微观结构均匀,电性能较好。
- 黄龙波李佐宜卢德新刘建设
- 关键词:射频磁控溅射铁电性能显微结构
- 光缆实时监测系统
- 本发明提供一种光缆实时监测系统,它通过光耦合器等光取样器对每根光纤的光信号取样,然后对其光功率进行测试,将对每根光纤的测试结果都送到前端控制器进行计算、分析和处理,显示出计算结果,并根据处理结果控制光开关进行切换,通过波...
- 黄龙波
- 文献传递