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作者

  • 9篇韩兆芳
  • 2篇于宗光
  • 2篇汤赛楠
  • 2篇魏敬和
  • 2篇周昱
  • 2篇黄峥嵘
  • 1篇高国平
  • 1篇梁琦
  • 1篇谢达
  • 1篇孙云华
  • 1篇乔艳敏
  • 1篇虞勇坚
  • 1篇蒋婷

传媒

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  • 1篇电子质量
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年份

  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
高压蒸汽对塑封双极器件电参数的影响
2013年
塑封双极晶体管采用EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,测试发现直流增益HFE会有明显的下降,击穿电压BV CEO会略有上升。开封芯片检查和理论分析表明,高压水汽可以穿透封装,造成芯片内部微缺陷增加,导致器件HFE下降,BV CEO略有上升。通过优化封装材料及工艺,可以改善HFE漂移,增强器件抗潮湿性能。
韩兆芳梁琦黄峥嵘
关键词:塑封双极器件HFE高压蒸汽
钝化层对高压蒸汽试验中器件参数漂移的影响
2018年
采用Si02钝化层的塑封双极晶体管在EIA/JESD22-A102-C规定的121℃、100%RH、29.7 psi压力的条件试验96 h后,直流增益HFE测试值会有明显的下降,击穿电压BVCEO会略有上升。分析表明高压水汽可以穿透封装和钝化层,造成芯片内部微缺陷增加,导致器件HFE下降,BVCEO略有上升。通过优化钝化层工艺并对比试验验证,采用SiO2加Si。N4的复合钝化层,可以避免器件参数漂移,改善器件抗潮湿性能。
韩兆芳黄峥嵘
关键词:钝化层双极器件HFE高压蒸汽
接口混合集成电路长期工作寿命预计及验证
2023年
寿命试验常被用来评估集成电路等半导体器件的可靠性,为了节约试验时间,常采用加速寿命试验方法去评估集成电路产品的工作寿命。采用基于可靠性手册中器件失效率历史数据和基于失效物理模型两种方法对接口混合集成电路的长期工作寿命进行了预计及验证。首先,通过接口混合集成电路产品多批次寿命可靠性试验的历史数据计算出了电路工作寿命;然后,基于可靠性手册中器件失效率的历史数据、模型及其使用特性要素计算出产品的工作寿命。结果表明,两者较为接近;从而证明该类混合集成电路在加速寿命试验数据不够的情况下,采用基于可靠性手册中器件失效率数据对其进行寿命预测是可行的,为接口混合集成电路长期工作寿命评估提供了一定的参考。
韩兆芳俞晓勇
关键词:混合集成电路工作寿命加速寿命试验可靠性
工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响被引量:2
2014年
闩锁效应是体硅CMOS电路中最为严重的失效机理之一,而且随着器件特征尺寸越来越小,使得CMOS电路结构中的闩锁效应日益突出。以P阱CMOS反相器和CMOS集成电路的工艺结构为基础,采用可控硅等效电路模型,较为详细地分析了闩锁效应的形成机理,并利用试验证实,通过加深P阱深度,可以明显提升CMOS电路的抗闩锁性能。
韩兆芳虞勇坚
关键词:P阱闩锁效应可控硅CMOS集成电路
NMOS管Snapback特性ESD仿真模型研究
2012年
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,ESD的问题始终困扰着芯片设计师们。文章提出了一种宏模型用于ESD的snapback仿真,它包含一个MOS管、一个NPN晶体管和一个衬底电阻,没有外部的电流源。简化的宏模型没有必要使用行为级的语言,如Verilog-A、VHDL-A。这使得仿真速度和收敛性得到提高。同时比较了三种先进的BJT模型:VBIC、Mextram、HICUM。模型参数可以通过模型参数提取软件(BSIMProPlus、ICCAP等)提取。
高国平蒋婷韩兆芳孙云华
关键词:NMOSSNAPBACKESD
基于有源光学水印的硬件木马检测方法
本发明涉及一种基于有源光学水印的硬件木马检测方法。首先在电路中插入一些不影响电路功能,且通电时温度明显高于周边相邻单元的特殊单元,并按一定的规则分布在版图上,这类特殊的单元即为该电路的有源光学水印;其次通过仿真得到通电时...
周昱魏敬和于宗光韩兆芳汤赛楠
基于有源光学水印的硬件木马检测方法
本发明涉及一种基于有源光学水印的硬件木马检测方法。首先在电路中插入一些不影响电路功能,且通电时温度明显高于周边相邻单元的特殊单元,并按一定的规则分布在版图上,这类特殊的单元即为该电路的有源光学水印;其次通过仿真得到通电时...
周昱魏敬和于宗光韩兆芳汤赛楠
文献传递
薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系被引量:1
2016年
CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。
韩兆芳谢达乔艳敏
关键词:CMOS集成电路闩锁效应外延片
考虑载荷共担影响的故障机理损伤累积模型
2023年
针对连续退化型故障机理,本文提出了一个故障机理损伤累积模型,首先对系统的可靠性建模,然后在部件层考虑载荷的变化,最后在机理层引入损伤量的概念。通过该模型可以描述当载荷发生变化时,故障机理发展速率随之发生的变化。本文在故障机理损伤累积模型的基础上,提出了一套蒙特卡洛仿真和故障物理相结合的方法预估系统的可靠性,在案例阶段,先对一个稳压器系统构建故障树和二元决策图,然后通过仿真得到稳压系统的可靠性曲线。
俞晓勇徐正翔韩兆芳
关键词:载荷蒙特卡洛仿真
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