陈香存
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- SiC/Al_2O_3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究
- 2012年
- 采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜。利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进行了研究。结果表明,薄膜面内存在压应变,同时发现薄膜晶体质量在远离薄膜和衬底界面区会逐渐变好。GID和X射线衍射的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的扭转大于倾斜,说明SiC薄膜在垂直方向的晶格排列要比面内更加有序。
- 刘忠良康朝阳唐军陈香存徐彭寿潘国强
- 关键词：碳化硅薄膜蓝宝石衬底
- Ag(核)@Au(壳)纳米颗粒的制备及高温原位XAFS研究被引量：1
- 2012年
- 用化学液相还原法制备Ag核Au壳的核壳结构Ag@Au纳米颗粒。用UV-vis、透射电子显微镜(TEM)、差示扫描量热仪(DSC)和X射线吸收精细结构谱(XAFS)进行表征。结果表明成功制备出均一稳定单分散的Ag@Au纳米颗粒,Ag核颗粒平均粒径约8 nm,Au外壳的厚度约3.5 nm。DSC谱显示核壳颗粒在合金化过程中300°C附近时,扩散最剧烈,500°C时已完全形成合金。从高温原位XAFS的径向结构函数(RSF)可清晰看到Au原子周围的局域结构在合金化过程中发生明显变化。用替代位法进行拟合,发现Au-Au键长由2.86增加到2.89,配位数由原来的8.0减为6.1,同时出现了2.1个Au-Ag配位键,而无序度在不断增大,且整个合金化过程主要是以代位扩散为主。
- 王海洋姚涛柳守杰陈香存康朝阳孙治湖韦世强潘国强
- ZnO薄膜的制备表征、高温原位研究及毛细管聚焦研究
- 第三代宽禁带半导体材料ZnO，是近年来继GaN以后新的研究热点。ZnO在室温下的禁带宽度为3,3eV，室温下的激子束缚能为60meV，理论上可以实现室温下的紫外光受激发射。ZnO具有很好的热稳定性和化学稳定性，可以广泛的...
- 陈香存
- 关键词：脉冲激光沉积ZNO薄膜X射线衍射光致发光
- 基于NSRL衍射和散射站的单次反射毛细管聚焦研究被引量：3
- 2010年
- 介绍了国家同步辐射实验室X射线衍射和散射光束线实验站,利用单次反射毛细管对X射线衍射和散射站的光束进行聚焦,经毛细管聚焦后焦点处的光斑直径为125μm,光强增大约两倍。利用Mar345成像板分别采集了使用和未使用毛细管聚焦的光束下的溶菌酶蛋白晶体的衍射图样,结果表明,使用经过毛细管聚焦的光束时,每副衍射图样的曝光时间可缩短一半,提高了收集衍射图谱的效率。
- 陈香存李锐鹏刘科吴利徽盛六四潘国强
- 关键词：X射线
- ZnO薄膜的同质外延生长及其结构表征被引量：1
- 2012年
- 利用等离子体辅助分子束外延的方法在ZnO单晶衬底上制备了ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、同步辐射掠入射XRD和φ扫描等实验技术研究了ZnO薄膜的结构。XRD和φ扫描的结果显示同质外延的ZnO薄膜已经达到单晶水平。掠入射XRD结果表明ZnO薄膜内部不同深度处a方向的晶格弛豫是不一致的,从接近衬底界面处到薄膜的中间部分再到薄膜的表面处,a方向的晶格常数分别为0.3249,0.3258和0.3242 nm。计算得到ZnO薄膜的泊松比为0.156,同质外延的ZnO薄膜与衬底在a轴方向的晶格失配度为-0.123%。
- 陈香存陈铁锌潘国强
- 关键词：氧化锌
- α-Al_2O_3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长被引量：2
- 2010年
- 采用固源分子束外延(SSMBE)技术,在α-Al2O3(0001)衬底上直接制备出了SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、Raman光谱、X射线扫描、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)等实验技术,对生长的样品的结构和结晶质量进行了表征。结果表明:在蓝宝石衬底上生长出了结晶性能良好的6H-SiC薄膜,且薄膜中存在较小的压应力,这种压应力是由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异所致。
- 康朝阳刘忠良唐军陈香存徐彭寿潘国强
- 关键词：SIC薄膜蓝宝石衬底
- Mn掺杂对ZnO薄膜结构及发光性能的影响(英文)被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积的方法在Si衬底上生长出了c轴高度取向的Mn掺杂ZnO薄膜。X射线衍射表明所有样品都具有纤锌矿结构,没有发现其它相,随着掺杂量的增加,c轴晶格常数增大。原子力显微镜结果显示:Mn的掺杂引起了ZnO薄膜表面粗糙度的变化。由光致发光谱发现,在387 nm附近出现了由于近带边自由激子复合引起的紫外峰,还有以430和545 nm为中心的较宽发光峰,结果表明:掺入到ZnO薄膜中的Mn以+2价的价态存在,掺Mn以后的ZnO薄膜带隙变大,缺陷能级也发生了改变,在发光谱中表现为紫外峰的蓝移,可见光部分430 nm和545 nm位置处发光峰的红移。
- 陈香存康朝阳杨远俊徐彭寿潘国强
- 关键词：X射线衍射光致发光ZNO薄膜脉冲激光沉积
