徐彭寿
- 作品数：126 被引量：429H指数：10
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- NSRL可变包含角光栅单色器的计算机控制被引量：1
- 2001年
- 随着同步辐射光束线技术的发展，单色器的分辨率越来越高，采用的复杂机构要求极高的 机械转动和直线运动精度，对光束线控制软件的性能提出了新的要求。另一方面，同步辐射实验 室新建光束线的数量逐渐增多，对控制软件设计的压力增大，希望有一种可移植的、标准化的控 制软件。变包含角球面光栅单色器使用分层控制技术，层之间用以太网联接。底层是硬件抽象 层，直接处理与所有硬件有关的操作；上层为高级用户界面层，提供用户控制的指令，可以满足不 同用户端软件的需求。同时还介绍了一种变包含角光栅单色器的数值解法。
- 余小江王秋平徐发强潘海斌徐彭寿
- 关键词：单色器控制软件计算机控制光束线
- 脉冲激光沉积法制备的Ni_(1-x)Fe_xO稀磁半导体的结构和磁性研究被引量：6
- 2008年
- 利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-xFexO(x=0.02,0.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni1-xFexO的晶体结构为NaCl结构,并且在Fe含量较高的Ni0.95Fe0.05O中出现了少量的α-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANES)和X射线光电子能谱(XPS)进一步表明了掺杂的Fe原子替代NiO晶格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的.
- 翁卫祥闫文盛孙治湖姚涛郭玉献王峰韦世强张国斌徐彭寿
- 关键词：XANES
- 6H-SiC(0001)-63^(1/3)×63^(1/3)R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究
- 2009年
- 利用同步辐射角分辨光电子能谱(SRARPES)对6H-SiC(0001)-63^(1/3)×63^(1/3)R30°重构表面的电子结构和表面态进行了研究.通过鉴别价带谱中来自于体态的信息,可以推断出重构表面的费米能级位于体态价带顶之上(2.1±0.1)eV处.实验测出的体能带结构与理论计算的结果较为符合.在重构表面上发现三个表面态,分别位于结合能-0.48eV(S0),-1.62eV(S1)和-4.93eV(S2)处.沿着表面布里渊区的高对称线ΓKM方向,测量了相关表面态的能带色散,只有表面态S0(-0.48eV)表现出了所希望的63×63R30°重构周期性.根据实验现象,可以认为,表面态S0应归结于重构表面的C—C悬键,而表面态S1则由重构表面未钝化的C悬键所导致.
- 武煜宇陈石高新宇Andrew Thye Shen Wee徐彭寿
- 关键词：角分辨光电子能谱电子结构表面态
- Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究被引量：3
- 1998年
- 利用同步辐射光电发射和铁磁共振（ＦＭＲ）研究了Ｃｏ／ＧａＡｓ（１００）界面形成以及Ｃｏ超薄膜的磁性质．结果表明，在低覆盖度（约为０２ｎｍ）下，Ｃｏ吸附原子与衬底发生强烈的界面反应，在覆盖度为０９ｎｍ时，形成稳定的界面．从衬底扩散出的Ｇａ原子与Ｃｏ覆盖层合金化，而部分Ａｓ原子与Ｃｏ原子发生反应，形成稳定的键合，这些反应产物都停留在界面处很窄的区域（０３—０４ｎｍ）内．另一部分Ａｓ原子偏析在Ｃｏ覆盖层表面．结合理论模型，详细地讨论了界面结构及Ｇａ，Ａｓ原子的深度分布．ＦＭＲ结果表明，生长的Ｃｏ超薄膜具有较好的单晶特性和化学均一性．
- 张发培徐彭寿徐发强陆尔东孙玉明张新夷朱警生梁任又
- 关键词：多层膜超薄膜磁性质
- ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理被引量：19
- 2004年
- 以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0～ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。
- 施朝淑张国斌陈永虎林碧霞孙玉明徐彭寿傅竹西Kirm MZimmerer G
- 关键词：ZNO薄膜发光真空紫外光谱特性
- 蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响被引量：3
- 2008年
- 采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率(1.0 nm.min-1)下,所生长的薄膜质量最好。低的蒸发速率(0.25 nm.min-1)难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差。在高的蒸发速率(1.8 nm.min-1)下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶。
- 刘忠良刘金锋任鹏徐彭寿
- 关键词：碳化硅硅衬底
- NSRL在表面化学中的同步辐射研究进展
- 1997年
- 综述了国家同步辐射实验室在表面化学的同步辐射研究中的部分新进展。其中包括碱金属Ｋ和稀土金属Ｇｄ对半导体表面氧化和氮化的催化作用；ＧａＡｓ（１００）半导体表面采用ＣＨ３ＣＳＮＨ２硫钝化的新方法；稀土金属Ｇｄ在半导体表面的吸附及界面形成；一种新的氧化镁薄膜的制备方法。
- 徐彭寿陆尔东徐世红徐法强张发培潘海斌余小江张新夷
- 关键词：光电子能谱表面化学NSRL
- PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究被引量：3
- 2006年
- 在不同的衬底温度下,通过脉冲激光淀积(PLD)方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射(XRD)和广延X射线吸收精细结构(EXAFS)来表征,而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光(PL)来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示,300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态,而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到:随着ZnO薄膜的结晶性变好,它的紫外发光增强;另一方面,随着ZnO薄膜中O的含量减少,绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位(Vo)有关。
- 孙柏邹崇文刘忠良徐彭寿张国斌韦世强
- 关键词：脉冲激光淀积X射线光电子能谱光致发光
- ZnO/Si(111)界面结构的同步辐射掠入射X射线衍射研究被引量：3
- 2007年
- 在不同的衬底温度下,用脉冲激光沉积(PLD)方法制备了c轴高度取向的ZnO薄膜.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术研究了ZnO薄膜与Si(111)衬底的界面结构.GID结果表明:不管衬底温度是500℃还是300℃,在无氧气氛下用PLD方法制备的ZnO外延膜均处于压应力状态,且随着X射线探测深度的增加,应力增大.结合常规X射线衍射技术,计算了薄膜内的双轴应力;给出了样品的泊松比和c/a值,得出两样品均接近理想的六方密堆积结构,偏离标准的ZnO值.综合各方面实验结果,说明衬底温度控制在500℃时生长的ZnO薄膜具有较好的晶体质量.
- 赵朝阳李锐鹏孙柏徐彭寿张国斌潘国强
- 关键词：ZNOPLD
- 4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长被引量：5
- 2012年
- 以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长。利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征。根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的。
- 刘忠良康朝阳唐军徐彭寿
- 关键词：碳化硅薄膜碳化硅衬底
