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陈荔群

作品数:11 被引量:20H指数:2
供职机构:集美大学诚毅学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金福建省重点科技计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 7篇光电
  • 6篇探测器
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 3篇SI基
  • 3篇
  • 2篇多量子阱
  • 2篇增强型
  • 2篇SOI
  • 2篇波导
  • 1篇单晶
  • 1篇电子器件
  • 1篇电阻
  • 1篇多量子阱材料
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇器件尺寸
  • 1篇量子效率
  • 1篇量子阱材料
  • 1篇接触电阻率
  • 1篇金属

机构

  • 9篇厦门大学
  • 7篇集美大学

作者

  • 11篇陈荔群
  • 4篇李成
  • 2篇周志文
  • 2篇赖虹凯
  • 1篇严光明
  • 1篇李成
  • 1篇陈松岩
  • 1篇陈阳华

传媒

  • 4篇光电子.激光
  • 1篇电子测试
  • 1篇Journa...
  • 1篇福州大学学报...
  • 1篇齐齐哈尔大学...
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 3篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种波导共振增强型光电探测器
一种波导共振增强型光电探测器,涉及一种光电探测器,尤其是涉及一种波导共振增强型光电探测器。提供一种可实现对入射光的有效限制和共振增强效应,提高器件的量子效率,同时使器件具有波长选择特性的一种波导共振增强型光电探测器,主要...
李成陈荔群
文献传递
β-FeSi2材料的生长、性质及其在光电子器件中的应用被引量:2
2006年
过渡金属硅化物β-FeSi2是具有直接带隙特性的半导体材料,禁带宽度约0.8eV,是制作硅基光电子光源及探测器件以及太阳能电池,热电器件等最有发展前景的硅基材料之一。目前,已经用多种方法在硅衬底上进行了薄膜外延生长及器件制作的尝试,取得了一定的成功。文中就近年来β-FeSi2薄膜材料的生长,性质以及在光电子器件中的应用进行了评述。
陈荔群李成赖虹凯
关键词:Β-FESI2光学性质光电子器件
硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟被引量:6
2006年
SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大为减小,吸收区的长度不受SiGe临界厚度的限制,实现了量子效率和响应速度的优化.本文在数值模拟的基础上,对器件结构进行了优化设计,结果表明7·6μm长的波导探测器可以得到20%以上的量子效率.
陈荔群李成
关键词:探测器
采用低温缓冲层技术在Si衬底上外延生长Ge薄膜
2017年
利用超高真空化学气相淀积系统,在Si(100)衬底上外延采用低温缓冲层技术外延生长Ge薄膜。实验测试得到外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为537arc sec,应变为0.2%。在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰位为1560 nm,表明生长的Si基Ge材料具有良好的质量。
陈荔群陈阳华
金属Al与半导体Ge欧姆接触的制备和表征被引量:1
2017年
基于圆形传输线模型,通过测试样品的比接触电阻率和电流-电压(I-V)特性曲线,分析对比了Al与Si基上外延生长的p型Ge、n型Ge和n型Si的接触特性。实验结果发现,由于金属与Ge材料接触存在强烈的费米钉效应,导致金属与n型Ge接触有高的接触电阻,难实现低的比接触电阻率;而Al与p型Ge在掺杂浓度为4.2×10^(18) cm^(-3)时,并且经过退火,比接触电阻率能达到4.0×10^(-7)Ω·cm^2;Al与n型Ge和n型Si接触电极相比,后者可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较n型Ge接触降低了1个量级,经合金化处理后的Al/n+Si接触电阻率能达到5.21×10^(-5)Ω·cm^2,达到了制作高性能Ge光电器件的要求。
陈荔群蔡志猛严光明
关键词:欧姆接触比接触电阻率
SOI基锗共振腔增强型光电探测器的制作与性能测试
2016年
在超高真空化学气相沉积设备上,利用低温生长的硅锗和锗作为缓冲层,在SOI衬底上成功外延出高质量的锗薄膜.基于谐振腔增强型探测器(RCE)理论,模拟优化了有源层和上下反射层的厚度尺寸.传输矩阵方法计算结果显示:将SOI衬底自有二氧化硅、硅层作为一对下反射层的情况下,取2对SiO_2/Ta_2O_5作为上反射层时,量子效率可以达到接近56%.制作的SOI基锗光电探测器,暗电流密度为0.65 m A·cm^(-2).在8 V的偏压下,探测器在1 550 nm处响应度1.45 m A·W^(-1),可以观察到探测器的共振现象.
蔡志猛陈荔群李成
关键词:SOI光电探测器
Si基Ge波导共振腔增强型光电探测器的制备和特性研究被引量:1
2016年
采用低温缓冲层技术,在硅(Si)衬底上生长了质量 优良的锗(Ge)薄膜。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入张应变,大小约为0. 16%。以 外延的Ge层作为吸收区,前后以Ge/空气作为分布布拉格反射镜(DBR),在Si基上制备波导共 振腔增强 型(RCE)光电探测器。测试表明,器件在-1V偏压下,暗电流密度为14.9mA/cm2;在零偏压下, 器件的响应光谱在1.3~1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.35、1.45、1.50和1.55μm,光响应波长范围扩展到1.6μm以上,采用传输矩阵法模拟的 响应光谱与实验测得结果近似吻合;在1.55μm入射光的照射下,测 得光响应度为21.4mA/W。
陈荔群蔡志猛周志文
SiGe波导共振腔增强型光电探测器
传统的SiGe-PIN光电探测器在向高响应速度和高量子效率发展的过程中提出了垂直谐振腔增强型和波导型结构的光电探测器,前者利用谐振腔的增强作用成功地实现了量子效率和响应速度的解耦,但其光谱响应线宽和量子效率之间仍然存在折...
陈荔群
关键词:RCE
文献传递
Si基Ge波导光电探测器的制备和特性研究被引量:10
2009年
以外延Ge薄膜为吸收区,在Si基上制备了Ge波导光电探测器。利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,采取低温高温两步法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为500nm的高质量纯Ge层。探测器采用脊型波导结构,Al电极分别制作在波导的台面上下形成背对背肖特基结。I-V特性测试表明,在-1V偏压下,暗电流密度为0.2mA/cm2。由于Si与Ge热失配引起外延的Ge薄膜受到0.2%张应变,减小了Ge带隙,光响应波长范围扩展到1.60μm以上。在70mW、1.55μm入射光照射下,测得光电流比暗电流高出近1个数量级。
陈荔群周志文李成赖虹凯陈松岩
关键词:波导光电探测器
Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究
2017年
采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属Al制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触。测试结果表明,器件在-2V偏压下,对台面面积为7 500μm2,暗电流为0.1μA;在0V偏压下,探测器的光响应谱的吸收峰值为1 008nm,并可以观察到随着吸收长度的增大,响应信号也随之增大。
陈荔群蔡志猛
关键词:光谱响应
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