赖虹凯
- 作品数：88 被引量：130H指数：7
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料
- 提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XR...
- 陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：应变超晶格
- 加密码全息防伪标识的研究与应用被引量：1
- 1996年
- 加密码全息防伪标识的研究与应用厦门大学物理系刘守，张向苏，赖虹凯二十世纪八、九十年代，激光模压全息图用作产品的安全防伪是遥遥领先的。但是，随着全息技术的普及和全息公司的不断增加，普通制作全息标识的技术很快失去了它有效的防伪功能，取而代之的是加密码全息...
- 刘守张向苏赖虹凯
- 关键词：计算机
- Ge/Si（100）量子点生长与形态分布的研究
- ＜正＞在 S—K模式下自组装生长的 Ge 量子点具有随机分布的特点,很难达到器件的应用要求,制备有序性的 Ge 量子点成为提高器件性能的关键。本文利用超高真空化学气相淀积（UHV—CVD）系统, 通过控制淀积量、温度、流...
- 周志玉王钰周志文李成陈松岩余金中赖虹凯
- 文献传递
- 金属与半导体Ge欧姆接触制备、性质及其机理分析被引量：2
- 2013年
- 金属与Ge材料接触时界面处存在着强烈的费米钉扎效应,尤其与n型Ge形成的欧姆接触的比接触电阻率高,是制约Si基Ge器件性能的关键因素之一.本文对比了分别采用金属Al和Ni与Si衬底上外延生长的p型Ge和n型Ge材料的接触特性.发现在相同的较高掺杂条件下,NiGe与n型Ge可形成良好的欧姆接触,其比接触电阻率较Al接触降低了一个数量级,掺P浓度为2×1019cm-3时达到1.43×10-5·cm2.NiGe与p型Ge接触和Al接触的比接触电阻率相当,掺B浓度为4.2×1018cm-3时达到1.68×10-5·cm2.NiGe与n型Ge接触和Al电极相比较,在形成NiGe过程中,P杂质在界面处的偏析是其接触电阻率降低的主要原因.采用NiGe作为Ge的接触电极在目前是合适的选择.
- 严光明李成汤梦饶黄诗浩王尘卢卫芳黄巍赖虹凯陈松岩
- 关键词：比接触电阻率
- 硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4
- 2012年
- 利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm^2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.
- 陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：UHV/CVD光致发光谱
- 用莫尔技术制作显现型全息密码的装置
- 涉及一种应用激光取得全息图加密的装置。激光器的光束经分束器，其物光经反射镜、护束滤波器后，由准直透镜形成的平行光经毛玻璃形成漫射光，再经黑白透明片到达全息干版；参考光先经反射镜、扩束滤波器后由准直透镜形成的平行光到达全息...
- 刘守张向苏赖虹凯
- 文献传递
- 利用金属过渡层低温键合硅晶片被引量：6
- 2007年
- 在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.
- 张小英陈松岩赖虹凯李成余金中
- 关键词：硅片键合
- 基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质
- Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接...
- 黄诗浩李成陈城钊郑元宇陈松岩赖虹凯
- 关键词：量子效率光增益
- 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征被引量：2
- 2007年
- SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×105cm-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层.通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制.
- 蔡坤煌张永李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：位错
- 快速热氧化制备超薄GeO_2及其性质
- 2012年
- 超薄氧化锗对钝化Ge MOSFET器件中高介电常数栅介质与Ge界面具有重要的意义。通过研究400～550℃下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质,发现在一定温度下较短的氧化时间内,氧化锗的厚度随氧化时间的增加呈明显的两段线性关系。在开始阶段,氧化锗具有高的生长速率;当氧化锗厚度达到一定值(与温度相关)时,氧化速率变慢,与Deal-Grove氧化模型中的线性生长速率基本一致。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明氧化锗中存在不同价态的Ge,且随着氧化时间的增加,氧化锗的氧化程度逐渐提高。在550℃下氧化180 s形成的氧化锗用于Ge-MOS结构,C-V特性表明在禁带中央处获得了较小的界面态密度,达到1.7×1012 cm-2eV-1。
- 路长宝刘冠洲李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：锗氧化速率界面态X射线光电子能谱
