邵嘉平
- 作品数：17 被引量：64H指数：4
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程经济管理更多>>
- 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
- 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl<Sub>2</Sub>/N<Sub>2</Sub>/O<Sub>2</Sub>这三种气体混合而形成的反应气体生成...
- 罗毅韩彦军薛松胡卉郭文平邵嘉平孙长征郝智彪
- 文献传递
- 高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究被引量：4
- 2005年
- 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.
- 邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪
- 关键词：多量子阱材料GAN荧光谱发光二极管内建电场
- 25lm/W级GaN基半导体照明材料外延生长与评测
- 邵嘉平
- 关键词：氮化镓化学气相沉积
- 高质量InGaN LED器件的物理特性
- GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化生长条件,生长出的外延片在电流变化120毫安时,其...
- 郭文平胡卉邵嘉平韩彦军薛松汪莱孙长征郝智彪罗毅
- 关键词：INGAN发光二极管(LED)波长稳定性GAN材料发光二极管物理特性量子阱结构
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- 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
- 本发明公开了属于氮化镓材料刻蚀技术领域的一种氮化镓材料的干法刻蚀方法，其特征是通过含有氯气，氮气，氧气Cl<Sub>2</Sub>/N<Sub>2</Sub>/O<Sub>2</Sub>这三种气体混合而形成的反应气体生成...
- 罗毅韩彦军薛松胡卉郭文平邵嘉平孙长征郝智彪
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- 半导体照明产业化关键技术的国内外专利现状分析及应对策略被引量：7
- 2004年
- GaN基高亮度及功率型LED的各项关键技术方面存在着先行者拥有明显的先发优势,而后来者进入壁垒较大的客观现实。一些跨国公司掌握了一系列原创性的专利,引领着技术发展的潮流,并占有绝大多数的市场份额。但另一方面,本领域内的技术路线分布层面广、基本物理机制尚不清晰,各项关键技术的内容属于“know-how”的成分较多,给我们留下了足够的创新空间。目前就全球产业界而言,GaN管芯器件的可靠性与稳定性指标尚亟待提高。全球研发人员都在齐步努力中。这都是我们作为后发者大有可为之处的突破领域。
- 罗毅邵嘉平孙长征
- 关键词：发光二极管半导体照明LED氮化镓固态光源
- 宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法
- 本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮-镓氮或铟镓氮-铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料...
- 罗毅邵嘉平韩彦军孙长征郝智彪
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- 宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法
- 本发明涉及一种宽谱白光LED的量子点有源区结构及其外延生长方法，基于氮化镓III/V族化合物半导体功率型发光二极管、应用全固态照明光源的有源区内含铟镓氮－镓氮或铟镓氮－铟镓氮量子点结构的白光功率型宽谱发光二极管LED材料...
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- GaN材料MOCVD生长条件的模拟研究
- 本工作在3维空间中模拟了行星式水平MOCVD反应室生长GaN基材料的流场,热场,反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.通过计算结果与同样条件下的实验结果比较,发现两者吻合程序非常高,表明化学反应机理和计算方...
- 郭文平胡卉邵嘉平孙长征郝智彪罗毅
- 关键词：GAN材料MOCVD
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- 面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究
- 综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展。我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻蚀平整度和选择性刻蚀技术上获得了国际文献报道的最...
- 罗毅胡卉韩彦军郭文平邵嘉平薛松孙长征郝智彪
- 关键词：发光二极管(LED)干法刻蚀
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