公共文化服务平台

郝智彪: 作品数：199 被引量：165H指数：6; 供职机构：清华大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

射频分子束外延方法生长氮化铝薄膜材料研究: 本文采用射频分子束外延(RF-MBE)方法生长了氮化铝薄膜，并定量表征了其缺陷情况。结果表明，保持富Al条件，并通过适当提高生长温度来促进材料结晶，有利于抑制刃型位错的产生，但会引入更多的氧杂质。在富Al条件下进行二维生...; 胡健楠郝智彪任凡张辰罗毅; 关键词：氮化铝薄膜位错密度点缺陷

InGaN量子点红光Micro-LED研究: 2021年; 微型发光二极管被认为是下一代显示技术,但到目前为止,主流AlGaInP红光器件的微型化仍然存在瓶颈。InGaN量子点技术由于其独特的自组装生长机制,拥有较好的晶体质量、较高的In组分并入效率,对刻蚀损伤的耐受能力也更强,是提升红光微型发光二极管性能的极具潜力的技术路线。通过使用渐变组分超晶格与掺杂蓝光量子阱的复合结构作为预应变层,拓展了InGaN量子点样品的发光波长,获得了芯片尺寸20~100μm的微型发光二极管器件,其峰值波长和外量子效率随电流密度的变化跟尺寸的依赖关系不明显。40~100μm的微型发光二极管在<1 A/cm^(2)的小注入电流密度下发光峰值波长在610~650 nm,验证了量子点技术作为红光微型发光二极管潜在技术路线的优势。; 余鹿鸣汪莱汪莱杨沛珑王磊余佳东罗毅郝智彪熊兵韩彦军罗毅李洪涛; 关键词：超晶格氮化镓铟镓氮 MOCVD

多光束表面发射波导相控阵: 本公开提供一种多光束表面发射波导相控阵，包括：输入波导、分束器、一维相位调制器阵列、分束器阵列、波导阵列以及光栅辐射天线阵列，其中一维相位调制器阵列中的各相位调制器分别与所述分束器各出光路相连，对由分束器输出的光进行相位...; 郝智彪刘雅琦汪莱熊兵孙长征王健李洪涛韩彦军罗毅; 文献传递

一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法: 本公开提供了一种利用二维材料隔层外延生长激光器的方法，包括：制备GaN自支撑衬底；在GaN自支撑衬底上形成二维材料层；在二维材料层上外延生长n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上生长n‑InGaN波导层、In...; 汪莱王磊余佳东郝智彪罗毅; 文献传递

GaN基HEMT后部制作工艺的优化: 本研究首先对比了Al<,x>Ga<,1-x>N与NiAl电极形成欧姆接触的工艺.其次试验在Al<,x>Ga<,1-x>N表面生长了8nm重掺GaN(1×10<'19>/cm<'3>)帽层,使源漏电极可以制作在禁带宽度较小...; 唐广郝智彪孙长征罗毅; 关键词：GAN 宽禁带半导体材料; 文献传递

一种用于栅瓣压缩的光学相控阵: 本发明公开了一种用于栅瓣压缩的光学相控阵，由N个相控阵单元组成，N个相控阵单元在平面上排布为圆环形，N为自然数；每个相控阵单元包括1个用于调节该相控阵单元附加相位的相位调制器和1个用于调节场强幅度的注入锁定激光器；所述相...; 熊兵刘学成罗毅孙长征郝智彪; 文献传递

SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法: 本发明公开了一种SOI衬底上制作半导体微纳结构器件的方法，该方法包括步骤：S1在SOI衬底的表面硅层上制作微纳结构器件图形；S2利用选择性腐蚀液去除表面硅层图形下方的二氧化硅，形成空气桥图形结构；S3在所述形成空气桥图形...; 郝智彪钮浪胡健楠汪莱罗毅; 文献传递

Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀被引量：6: 2004年; 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。; 韩彦军薛松吴桐吴震郭文平罗毅郝智彪孙长征; 关键词：ALGAN ICP 感应耦合等离子体 III-V族氮化物

InGaN量子点的MOCVD生长: 本文介绍了我们课题组采用MOCVD技术生长InGaN量子点材料的一些研究进展。阐明了c面GaN上生长的InGaN的临界厚度问题[1],区分了通过位错释放应力和通过转变生长模式释放应力之间的区别,在此基础上分别指出了生长低...; 罗毅汪莱吕文彬郝智彪