蒲勇
- 作品数：35 被引量：87H指数：6
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- 用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置
- 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置，它包括衬底、石墨舟、感应圈和托架，特征是石墨舟由扁平圆柱体和圆筒体构成，圆筒体加工在扁平圆柱体的底部中央。在圆筒体的底部中间加工有用于插入测温头的内凹槽。本发明由...
- 蒲勇江风益
- 文献传递
- MOCVD系统中压力和压差控制技术研究被引量：3
- 2004年
- 介绍了压力和压差控制在MOCVD系统眼1演中的作用,比较了两种不同的压力和压差控制技术的优缺点,解析了国际上此类设备中压力和压差控制有关技术特点,以及用国产质量流量控制器和压力、压差传感器为主要部件研制的压力、压差控制器,在ZnO生长的MOCVD设备中良好的效果。
- 蒲勇江风益王慧
- 关键词：MOCVD压差控制技术
- MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜被引量：1
- 2006年
- 采用常压MOCVD方法在Cu/S i(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨X射线衍射仪、光致发光谱仪对样品的表面形貌、晶体结构以及发光性能进行了分析。实验结果表明:ZnO/Cu/S i(111)外延膜的性能与缓冲层的生长温度有一定关系。当缓冲层温度控制在400℃附近时ZnO外延膜C轴取向较为明显、晶粒大小较均匀、结构也更为致密,并且PL光谱中与缺陷有关的深能级发射峰也相对较弱。
- 程海英王立方文卿蒲勇郑畅达戴江南江风益
- 关键词：ZNOMOCVDX射线衍射光致发光
- 一种园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构
- 本发明涉及一种园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片...
- 方文卿蒲勇程海英陈炳安赵鹏杨超普
- 一种MOCVD石墨盘自动传递机构
- 一种MOCVD石墨盘自动传递机构，属于MOCVD装备制造技术领域。包括安装在反应室底板下面的固定座，升降直线导轨固接在固定座中上部；安装板固接在升降滑块上，在安装板上固接有两个轴承座组件，旋转轴紧配合安装在两个轴承座组件...
- 蒲勇赵鹏
- 文献传递
- 一种圆桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构
- 本发明涉及一种圆桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片...
- 方文卿蒲勇程海英陈炳安赵鹏杨超普
- 一种MOCVD石墨盘自动传递机构
- 一种MOCVD石墨盘自动传递机构，属于MOCVD装备制造技术领域。包括安装在反应室底板下面的固定座，升降直线导轨固接在固定座中上部；安装板固接在升降滑块上，在安装板上固接有两个轴承座组件，旋转轴紧配合安装在两个轴承座组件...
- 蒲勇赵鹏
- 文献传递
- 缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响被引量：1
- 2007年
- 采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的质量得到很大提高,缓冲层的厚度对外延ZnO薄膜的质量有很大的影响,当缓冲层厚度为60 nm时,ZnO薄膜的结晶性能最好,表现出高度的择优取向,(002)面的ω摇摆曲线半峰全宽仅为1.72°,其表面平整,表现出二维生长的趋势,室温光致发光谱中只有与自由激子复合有关的近紫外发光峰,几乎观察不到与缺陷有关的深能级发光。
- 李璠李冬梅戴江南王立蒲勇方文卿江风益
- 关键词：ZNO缓冲层MOCVD
- ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形被引量：3
- 2005年
- 采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。
- 郑畅达方文卿王立莫春兰蒲勇戴江南刘卫华江风益
- 关键词：氧化锌X射线双晶衍射
- 用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置
- 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积系统中的加热装置，它包括衬底、石墨舟、感应圈和托架，特征是石墨舟由扁平圆柱体和圆筒体构成，圆筒体加工在扁平圆柱体的底部中央。在圆筒体内加工有用于插入测温头的凹槽。本发明由于在传统的...
- 蒲勇江风益
- 文献传递
