江风益
- 作品数：169 被引量：433H指数：11
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金电子信息产业发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- GaN基发光材料被引量：2
- 2001年
- 本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景。简述了GaN基材料的生长技术 。
- 王立李述体江风益余淑娴
- 关键词：GAN发光材料金属有机化学气相沉积氮化镓半导体材料
- PAS烧结SiC-石墨复相陶瓷的阻力曲线行为和抗热震性能被引量：1
- 2016年
- 采用PAS烧结工艺,在1 680℃成功制备出Si C-石墨复相陶瓷,并研究了石墨含量对复相陶瓷物理力学性能、韧性、R曲线(阻力曲线)行为和抗热震性能的影响。结果表明,随石墨含量的增加,复相陶瓷的致密度、抗弯强度、弹性模量和维氏硬度均有所降低;以韧化比(TI)作为复相陶瓷的韧性指标,表明石墨含量越多,复相陶瓷的韧性越好,存在陡峭的上升R曲线行为,该指标更能反映复相陶瓷的韧性特征;显微形貌分析发现,复相陶瓷中存在的层状石墨增加了能量耗损,裂纹在扩展过程中发生偏转、分叉和桥联等现象,使得Si C复相陶瓷的韧性和抗热震性能得以改善。
- 杨万利康文杰张永辉谢小娟代丽娜肖志超江风益
- 关键词：复相陶瓷
- 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
- 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法，它是在硅衬底上形成台面和沟槽组成的图形结构。沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜互不相连。在生长完发光器件的叠层薄膜后，在每个台面的薄膜上或硅衬底背面制备欧姆电极。...
- 江风益方文卿王立莫春兰刘和初周毛兴
- 文献传递
- MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究被引量：1
- 2000年
- 对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较窄。
- 辛勇熊传兵彭学新王立姚冬敏李述体江风益
- 关键词：补偿度X射线双晶衍射MOCVD氮化镓
- 新型紫外光源研制成功被引量：8
- 2001年
- 以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。
- 江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初
- 关键词：发光二极管紫外光源
- p-AlGaN电子阻挡层Al组分对Si衬底绿光LED性能影响的研究被引量：3
- 2010年
- 在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致.
- 毛清华江风益程海英郑畅达
- 关键词：绿光LED
- 382nm紫光二极管
- 研制成功InGaNp-n异质结紫色发光二极管。本器件在工作电压5V工作电流20mA时的电致发光波长为382nm，半高宽为11nm。
- 江风益熊传兵彭学新王立李鹏周毛兴
- 文献传递
- 一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构
- 本发明公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>(1‑x)</Sub>N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分...
- 刘军林江风益
- 铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法
- 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分...
- 江风益方文卿刘军林张健立全知觉
- 文献传递
- 烘干温度对氮掺杂二氧化钛光催化剂性能的影响被引量：10
- 2010年
- 以Ti(SO4)2为原料,通过氨水水解法制备氮掺杂二氧化钛前驱体,煅烧前驱体制备氮掺杂纳米二氧化钛。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、透射电镜、热重-差热分析和比表面等方法对制备的样品进行表征。以蓝色发光二极管为光源,用甲醛降解反应考察了光催化剂的活性。结果表明,制备的样品均为锐钛矿,氮掺杂使二氧化钛在可见光区的光吸收明显增强;低温烘干制备的催化剂相对高温烘干的具有较小的粒子尺寸和较大的比表面。烘干温度显著影响光催化性能,低温烘干的催化剂活性较高。
- 江元李越湘彭绍琴江风益
- 关键词：氮掺杂二氧化钛光催化降解甲醛烘干温度
