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肖建伟: 作品数：53 被引量：147H指数：7; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器被引量：8: 1994年; 我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光器的阈电流密度低达１９０Ａ／ｃｍ２．对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型（８０μｍ）．激光器，线性输出功率高达１．８２Ｗ；出光面的斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ；利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达８ｍＡ，且具有非常好的均匀性．; 杨国文肖建伟徐遵图张敬明徐俊英郑婉华曾一平陈良惠; 关键词：量子阱激光器砷化镓分子束外延

量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响被引量：1: 1995年; 计算了不同温度下ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱材料光增益与载流子密度的关系．根据Ｂ－Ｄ条件：△Ｆ＞ｈｖ≥Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１，得到了△Ｆ、峰值增益光子能量和Ｅｇ＋Ｅｃ１＋Ｅｖ１与载流子密度的关系，并得到不同增益的激光器阈电流温度关系．计算结果解释了实验出现的阈电流温度的反常特性和波长开关现象，并且与器件温度特性符合．; 张敬明徐遵图杨国文郑婉华钱毅李世祖肖建伟徐俊英陈良惠; 关键词：光增益激射特性温度

AlGaAs/GaAs-MQW激光器光增益谱理论和实验被引量：7: 1992年; 本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.根据该理论计算了AlGaAs/GaAs多量子阱激光器的线性偏振光增益及量子阱宽L_x、Al_xGa_(1-x)As势垒层x值和带内弛豫时间τ_(in)对TE增益的影响.实验测量了多量子阱激光器的偏振光增益谱.理论与实验进行了比较.; 张敬明陈良惠曾安肖建伟徐俊英杨国文李文康徐遵图; 关键词：激光器光增益矩阵理论

LD列阵泵浦的Nd∶YAG和Nd∶GdVO_4连续激光器被引量：2: 2003年; 介绍了一种二极管侧面泵浦激光头的新结构,用Nd∶YAG晶体作为工作物质,将此结构下激光头的输入输出性能与传统结构下的输入输出性能进行了比较。此外利用这种新结构,对一种新型晶体Nd∶GdVO4进行了实验,获得了连续1064nm的激光输出42.6W,最大光光效率为23.7%。; 刘媛媛方高瞻马骁宇肖建伟; 关键词：侧面泵浦泵浦腔 ND:GDVO4 ND:YAG晶体

两个激光二极管端面泵浦的基横模Nd：YAG激光器被引量：2: 1995年; 用两个功率为１．５Ｗ的连续激光二极管偏振耦合端面泵浦及分别从双端同时泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ激光器，ＴＥＭ００模ＹＡＧ激光最大输出功率分别为６８０ｍＷ和４９２ｍＷ，总的光－光转换效率分别为２６．４％和１７．７％。从理论上对二极管单端面及双端面泵浦的ＹＡＧ激光器进行了分析计算。; 生卫东刘宏伟宁继平姚建铨肖建伟; 关键词：固体激光器 YAG激光器激光二极管

连续输出 20W AlGaAs/GaAs 量子阱激光二极管线列阵被引量：1: 1998年; 采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。; 肖建伟马骁宇方高瞻刘素平刘宗顺胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟; 关键词：量子阱激光器列阵激光二极管半导体激光器

High Power 808nm AlGaAs/GaAs Quantum Well Laser Diodes with Broad Waveguide被引量：4: 2002年; The 808nm laser diodes with a broad waveguide are designed and fabricated.The thickness of the Al_ 0.35 - Ga_ 0.65 As waveguide is increased to 0.9μm.In order to suppress the super modes,the thickness of the Al_ 0.55 Ga_ 0.45 As cladding layers is reduced to only 0.7μm while keeping the transverse radiation losses of the fundamental mode below 0.2cm -1 .The structures are grown by metal organic chemical vapour deposition.The devices show excellent performances.The maximum output power of 10.2W in the 100μm broad-area laser diodes is obtained.; 方高瞻肖建伟马骁宇冯小明王晓薇刘媛媛刘斌谭满清蓝永生; 关键词：WAVEGUIDE

980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究被引量：8: 2003年; 报导了质子注入技术在提高980nm半导体激光器可靠性上的应用。p-GaAs材料经过质子注入后获得高的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行质子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤(COD)阈值。应用质子注入形成腔面非注入区的管芯的平均COD阈值功率达到268mW,而应用常规工艺的管芯的平均COD阈值功率为178mW。同常规工艺相比,应用质子注入形成腔面非注入区技术使管芯的COD阈值功率提高了50％。; 刘斌张敬明马骁宇肖建伟; 关键词：质子注入 COD 掺饵光纤放大器

低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器: 1992年; 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.; 肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天; 关键词：激光器应变层量子阱结构

用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔: 本发明一种用于泵浦固体激光器的大功率激光二极管列阵泵浦腔，其特征在于，其中包括：一热沉，该热沉为一矩形体，在热沉的中间开有一通孔；一绝缘圈置于热沉的通孔内；多个激光二极管列阵条与多个弧形电极围成一圈安装于绝缘圈的内表面，...; 方高瞻肖建伟马骁宇王晓薇冯小明刘斌刘媛媛; 文献传递