崔影超
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
- 2008年
- 对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝I0B.46,IYL∝I0B.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收、自由载流子和应力的综合作用引起的。
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- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 2008年
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
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- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.
- 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 关键词：堆垛层错
- Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究
- 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相...
- 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
- 文献传递
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO（100）面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错...
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 文献传递
- a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
- 对MOCVD生长的r-AlO上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中...
- 崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 文献传递
- MOCVD生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上制备了’a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.Omin和1.5min。用SEM对腐蚀前后的表面形貌进行分析,并同LiAlO上的m面GaN和宝石上的c面GaN进行对比...
- 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌韩平张荣郑有炓
- 文献传递
- AlGaN相分凝与a-GaN缺陷及CL光学特性的研究
- Ⅲ族氮化物半导体材料包括AlN、GaN、InN及其三元四元化合物由于其优异的光电性能和稳定的化学性能在光电信息技术领域有着广泛的应用。尽管GaN基光电器件已经取得了很大成功，但仍不尽人意，其中一个主要原因是材料内存在各种...
- 崔影超
- 关键词：光学特性
- AlxGa1-xN及掺MgAl0．54Ga0．46N的阴极荧光特性
- 2012年
- 使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54Ga0.46N的光学性质进行了研究。研究表明，随着Al组分增大，横向组分分凝对A1GaN发光强度的影响逐渐减小；掺Mg后AlGaN薄膜质量下降，并且Al0.54Ga0.46N中的Mg相关光激发过程主要取决于导带-受主对复合发射和施主一受主对复合发射。
- 丁煜刘斌崔影超赵红谢自力张荣陈鹏修向前郑有炓
- Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料制备和特性研究被引量：1
- 2008年
- 利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn的掺杂浓度很低(<2.7%)时并没有观察到第二相的出现,当Mn的掺杂浓度达到3.9%时观察到了第二相。采用光学测试得到了由于Mn杂质引入杂质能级和缺陷而产生一个很宽的发射和吸收谱。
- 谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前刘斌李弋傅德颐张曾宋黎红崔影超韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相沉积稀磁半导体锰掺杂X射线衍射
