李弋
- 作品数：29 被引量：16H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- a面GaN阴极荧光激发强度特性的研究
- 2008年
- 对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄带的CL强度均与电子束流呈亚线性关系,其中IBE∝I0B.46,IYL∝I0B.45,这主要是由于饱和效应引起的,与以往c面GaN报道对比,表明带边相对于黄光受到了一定抑制;改变加速电压可以看出,黄带部分随加速电压的变化关系相对于带边要复杂很多,这主要是由黄带本身形成原因的复杂多样性与自吸收、自由载流子和应力的综合作用引起的。
- 崔影超谢自力赵红李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 采用高分辨XRD对m面GaN位错特性的研究
- 2008年
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性,将〈0001〉晶向定义为0°方向,与之垂直的方向为90°方向,分别按0°和90°两个不同方向进行X射线衍射的研究。0°方向和90°方向螺位错密度分别为1.97×1010、7.193×109cm-2,0°方向螺位错密度较大;0°和90°方向刃位错密度分别为3.23999×1010、7.35068×1010cm-2,90°方向刃位错密度较大,显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
- 宋黎红谢自力张荣刘斌李弋傅德颐张曾崔影超修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：GAN位错X射线衍射
- 铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
- LiNbO<Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯...
- 谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
- 文献传递
- 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
- 2009年
- 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
- 张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
- 关键词：氮化铟位错局域态
- 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
- 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用，设有3－5路进气管路，其中一路为V族氮源管路，一路为III族金属源混合管路，其余各路为独立的III族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通...
- 谢自力张荣陈鹏刘斌李弋韩平修向前陆海江若琏施毅郑有炓
- 文献传递
- m面GaN平面内结构和光学各向异性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在铝酸锂LiAlO2衬底上外延生长m面GaN薄膜.X射线衍射测量的结果表明所得薄膜具有较理想的m面晶体取向,并对其各向异性的应变进行了计算,摇摆曲线的测量发现样品存在明显的面内结构各向异性.采用偏振光致发光研究材料的面内光学各向异性,发现随着偏振角度的改变,发光峰的峰位和强度均有明显变化,并用对称性破缺导致价带子带劈裂的理论对结果进行了解释.
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌李弋傅德颐修向前韩平施毅郑有炓
- 薄膜材料研究中的XRD技术被引量：8
- 2009年
- 晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。
- 周元俊谢自力张荣刘斌李弋张曾傅德颐修向前韩平顾书林郑有炓
- 关键词：X射线衍射应力位错密度
- Ⅲ族氮化物薄膜生长及高分辨X射线衍射分析
- Ⅲ族氮化物作为带隙从0.7eV到6.2eV连续可调的直接宽带隙半导体材料体系，拥有优越的物理、化学性质，是发展近红外-可见-紫外波段半导体光电子器件的优选材料，研究Ⅲ族氮化物的生长和结构对光电子器件的影响有重要的科学意义...
- 李弋
- 关键词：薄膜生长光电子器件晶体结构X射线衍射
- Mg掺杂AlGaN的特性研究被引量：1
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响。X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善。阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的p型掺杂具有重要意义。
- 吴超谢自力张荣张曾刘斌刘启佳聂超李弋韩平陈鹏陆海郑有炓
- 关键词：热退火表面形貌阴极射线发光
- 铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
- LiNbO <Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高...
- 谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
- 文献传递
