宋萍
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 蒸汽压控制直拉单晶生长装置
- 本实用新型公开了一种蒸汽压控制直拉单晶生长装置,属于半导体晶体生长设备技术领域。该装置包括单晶炉、加热装置、机械传动装置和气体调节装置,在单晶炉体中装有热密封容器,热密封容器由上、下容器体组成,上、下容器体之间装有密封连...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- 垂直凝固法（VF）生长砷化镓单晶
- 1996年
- 垂直凝固法（ＶＦ）生长砷化镓单晶宋萍王永鸿马碧春濮玉梅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：垂直凝固法（ＶＦ）砷化镓（一）引言砷化镓等Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料在高速发展的电子领域中起着重要的作用。电子器件的需求不断推动着单晶生长技术的发展。而...
- 宋萍王永鸿马碧春濮玉梅
- 关键词：砷化镓单晶
- 坩埚杆动态热密封装置
- 本实用新型涉及一种晶体生长设备中的坩埚杆的动态热密封装置,属于半导体制作设备的技术领域。该坩埚杆动态热密封装置主要由密封室及密封环构成,密封室内带有环形凹槽,底部带有用于坩埚杆穿过的中心孔,密封环带有凹槽,密封环与密封室...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- SI-GaAs单晶高温退火过程中的表面热损伤
- 半绝缘砷化镓是高速集成电路、微波功率器件的重要衬底材料。随着电路和器件技术发展,对半导体衬底材料也提出新的挑战。其晶体均匀性和完整性近几年一直是研究的课题。
- 宋萍张峰焱
- 文献传递
- 籽晶杆装置
- 本实用新型公开了一种籽晶杆装置,属于半导体晶体生长设备技术领域。籽晶杆装置由上籽晶杆和下籽晶杆组成,上籽晶杆是实心杆,下籽晶杆是空心管状杆,上籽晶杆的下端带有联接杆,联接杆与下籽晶杆的上端的联接孔配合联接,并用销子穿过联...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
- 文献传递
- 籽晶杆动态热密封装置
- 本实用新型涉及一种晶体生长设备中的籽晶杆的动态热密封装置,属于半导体制作设备的技术领域。该籽晶杆动态热密封装置主要由密封室及密封环构成,密封室内带有环形凹槽,底部带有用于籽晶杆穿过的中心孔,密封环带有凹槽,密封环与密封室...
- 屠海令王永鸿钱嘉裕宋萍张峰燚
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