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张峰焱
作品数:
1
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供职机构:
北京有色金属研究总院
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相关领域:
金属学及工艺
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合作作者
宋萍
北京有色金属研究总院
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1篇
张峰焱
1篇
宋萍
年份
1篇
1999
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SI-GaAs单晶高温退火过程中的表面热损伤
半绝缘砷化镓是高速集成电路、微波功率器件的重要衬底材料。随着电路和器件技术发展,对半导体衬底材料也提出新的挑战。其晶体均匀性和完整性近几年一直是研究的课题。
宋萍
张峰焱
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