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张峰焱

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇SI-GAA...

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇张峰焱
  • 1篇宋萍

年份

  • 1篇1999
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
SI-GaAs单晶高温退火过程中的表面热损伤
半绝缘砷化镓是高速集成电路、微波功率器件的重要衬底材料。随着电路和器件技术发展,对半导体衬底材料也提出新的挑战。其晶体均匀性和完整性近几年一直是研究的课题。
宋萍张峰焱
文献传递
共1页<1>
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