姜德龙
- 作品数：47 被引量：94H指数：5
- 供职机构：长春理工大学理学院更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金吉林省科技厅青年科研基金吉林省科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学一般工业技术更多>>
- 螺噁嗪掺杂的聚合物薄膜偏振全息记录研究
- 2011年
- 偏振全息因其在高密度信息存储中的重要作用而引起人们的广泛关注。本论文讨论了偏振全息光栅的种类,并利用琼斯矩阵进行了数学描述。论文重点研究了螺噁嗪掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯S-S和S-P偏振全息动力学过程。考虑到光异构、光取向以及聚合物基质的位阻效应,建立了光栅动力学的唯象模型,通过调整拟合参数,获得的理论曲线与实验结果符合得很好,表明异构光栅与取向光栅的生长过程存在竞争。研究结果为该材料的实用化提供了理论依据。
- 付申成秦旭磊姜德龙李野端木庆铎
- 关键词：螺噁嗪聚甲基丙烯酸甲酯偏振全息琼斯矩阵
- 玻璃和柔性衬底上氧化铟锡薄膜特性的对比研究被引量：2
- 2009年
- 对采用磁控溅射方法生长在玻璃和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料上的氧化铟锡(ITO)薄膜的结构、光学和电学特性进行了对比研究。在两种不同的衬底上均得到了不分相的、高质量的多晶ITO薄膜,其中生长在玻璃衬底上的ITO薄膜(002)衍射峰的半峰宽为0.24°,生长在PET衬底上的为0.28°。两种样品在可见光区都具有很高的透过率,其中玻璃衬底上生长的薄膜的透过率约为92%,PET上生长的薄膜的透过率高达87%。两种薄膜均具有良好的导电性,玻璃衬底上薄膜的电阻率为4.2×10-4Ω.cm,柔性PET衬底上薄膜的电阻率为4.7×10-4Ω.cm。实验结果证明,完全可以采用磁控溅射的方法在柔性衬底上生长出高质量的ITO薄膜。
- 王新向嵘任新光李野姜德龙端木庆铎
- 关键词：氧化铟锡磁控溅射X射线衍射透光率电阻率
- 磁控溅射制备氧化硅薄膜生长速率(英文)被引量：3
- 2009年
- 氧化硅薄膜是半导体工业中常见的薄膜材料,通常采用化学气相沉积方法制备。但是这种制备方法存在缺欠。采用磁控溅射的方法首先在石英衬底上制备了氧化硅薄膜。研究了射频功率、氧气含量和溅射压强对氧化硅薄膜沉积速率的影响。发现沉积速率随着射频功率的增加而增加;随着氧气含量的增加,先减小后增大;当溅射压强在0.4～0.8Pa之间变化时,沉积速率变化很小,当溅射压强超过0.8Pa时沉积速率迅速下降。讨论了不同生长条件下造成氧化硅薄膜生长速率变化的原因。
- 姜德龙王新向嵘王国政田景全
- 关键词：氧化硅磁控溅射
- 微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用被引量：4
- 2006年
- 给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al2O3和SiO2薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al2O3薄膜阻止本领比SiO2阻止本领高的结论。证实了选用Al2O3离子壁垒膜的科学性和可行性。
- 姜德龙刘庆飞李野王国政高延军吴奎付申成端木庆铎田景全
- 关键词：微通道板蒙特卡罗模拟
- 一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法
- 一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法，属于光电成像技术领域中涉及的一种防离子反馈膜的制备工艺。本发明要解决的技术问题：提供一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法。解决的技术方案包括自持有机载膜的制备，在自持...
- 端木庆铎姜德龙田景全吴奎
- 文献传递
- 用半导体工艺制作硅微通道板
- 本文采用多路感应偶合等离子体（ICP）刻蚀系统制备了硅微孔列阵,采用LPCVD制作了连续打拿极,得到具有一定性能的硅微通道板。分析讨论了微孔列阵的表面形貌、反应离子刻蚀滞后以及电子增益系数等问题。结果表明,硅微通道板具有...
- 端木庆铎田景全姜德龙李野卢耀华富丽晨
- 关键词：硅微通道板刻蚀打拿极
- 文献传递
- 微通道板电子透射膜及其粒子透过特性的研究被引量：8
- 2005年
- 文中介绍了微光像管中微通道板电子透射膜及其形成技术,研究了粒子(电子和离子)透过特性.给出了死电压概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对比测试结果;给出了采用XPS进行成分分析的结果.介绍了电子透射膜的离子透过特性,给出了表征膜层对离子阻止能力的离子透过率的概念,提出了离子透过率测试的原理方案和相关技术等问题.
- 端木庆铎姜德龙田景全李野高延军王国政吴奎富丽晨
- 关键词：微通道板电子透射膜
- 低强度X射线影像诊断系统展望
- 介绍了国内外近贴聚焦X射线影像增强器和相应的Lixiscope系统,指出了相应的技术指标和特点,给出了改进Lixiscope的技术途径和应用前景。
- 李野吴奎姜德龙王国政端木庆铎富丽晨田景
- 关键词：近贴聚焦
- 文献传递
- 氧化硅薄膜的制备和性质研究被引量：2
- 2010年
- 在室温条件下,采用反应磁控溅射方法,在硅衬底上制备氧化硅薄膜。研究了制备过程中不同氧气含量时氧化硅薄膜的生长速率、薄膜中的O/Si原子比例、表面粗糙度、薄膜的介电性能。发现薄膜的生长速率和介电常数随溅射时氧气含量的增加先增大后减小;薄膜中的O/Si原子比例随氧气含量的增加先增大,后来变化不明显,且很难达到或超过理想比例(2∶1);薄膜的粗糙度随氧气含量的增加先减小,后来基本保持不变。
- 王新向嵘李野王国政姜德龙端木庆铎田景全
- 关键词：磁控溅射氧化硅生长速率介电常数
- 硅微通道板像增强器的研究被引量：8
- 2008年
- 微通道板作为电子倍增器件可以对电子、离子、紫外和软X射线进行探测和成像。传统微通道板制备是采用玻璃纤维拉制和氢还原等技术，提出分别采用半导体体微加工和电化学腐蚀制备硅微通道板的新技术。在干法刻蚀中采用ICP技术制备了孔径为6～20μm、间隔4～8μm、长径比15-30的硅微通道板，初步试验结果为对于长径比为16的样品，电子增益为10°数量级。同时，开展了湿法电化学腐蚀技术制作硅微通道板的研究，分析讨论了电化学腐蚀微通道板的机理。结果表明，干法和湿法刻蚀技术可以制备高长径比硅微通道板，与ICP技术型比，电化学腐蚀具有较低的成本。
- 王国政李野高延军姜德龙付申成吴奎端木庆铎
- 关键词：微通道板微加工刻蚀硅像增强器
