端木庆铎
- 作品数：112 被引量：219H指数：8
- 供职机构：长春理工大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金吉林省教育厅科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学化学工程更多>>
- 高长径比微孔列阵及其应用
- 文中介绍了高长径比微孔列阵的形成工艺,给出了实验结果,指出了通道内壁存在纵向条带式不均匀分布问题,最后介绍了微孔列阵在MCP中的重要应用.
- 端木庆铎李野卢耀华姜德龙富丽晨田景全
- 关键词：微通道板刻蚀系统
- 文献传递
- 掺Cr^(3+)玻璃陶瓷光谱特性被引量：3
- 1999年
- 采用分析纯原料， 利用分相成核技术， 制备了透明性良好的掺 Ｃｒ３＋ Ｂ２ Ｏ３ Ａｌ２ Ｏ３ Ｓｉ Ｏ２ 系透明玻璃陶瓷； 测定了材料的吸收光谱和发射光谱， 分析讨论了光谱特性。
- 端木庆铎苏春辉姜德龙
- 关键词：玻璃陶瓷荧光光谱分相掺铬
- 电流密度对电化学刻蚀硅微通道壁厚的影响
- 2015年
- 针对电化学刻蚀硅微通道过程中通道开口处壁厚值小,通道侧蚀严重的问题,基于电化学腐蚀原理,利用PARSTAT2273电化学工作站及自制的三电极电解槽刻蚀系统,通过一个对比实验,分别在30、20mA/cm2的电流密度下刻蚀了硅微通道样品。刻蚀完成后,沿(100)晶向将样品切开,并利用扫描电子显微镜观察刻蚀完成后通道壁厚情况。实验结果表明,通道壁厚不均匀的情况得到了改善,侧蚀严重的深度从70μm下降到了30μm,得到了壁厚均匀区域更长的硅微通道结构。
- 王云龙王国政杨继凯崔丹丹端木庆铎
- 关键词：电化学电流密度
- 微光像增强器组件反馈离子测试装置及方法
- 微光像增强器组件反馈离子测试装置及方法，属于光电成像器件领域，包括聚焦紫外光源、真空室、无阴极微光像增强器组件、离子导管、离子探测器、屏蔽盒；方法是：聚焦紫外光源通过紫外窗口入射到微通道板表面，激发出的电子使微光像增强器...
- 李野秦旭磊付申成端木庆铎
- 文献传递
- 光刻限定区域金属辅助化学刻蚀制备硅纳米线
- 基于金属辅助化学刻蚀机理,在光刻限定区域制备硅纳米线,实验过程中通过调整刻蚀时间来控制硅纳米线长度,通过扫描电子显微镜（SEM）对样品表面和横截面进行观察,结果表明:硅纳米线的长度依赖于刻蚀时间,在相同条件下,正方形的光...
- 于航端木庆铎王国政杨继凯
- 关键词：硅纳米线
- 文献传递
- 光纤内窥镜及光纤酸溶法工艺的开发研究
- 于凤霞张柏福张文涛端木庆铎于翔唐吉龙于清波
- 该项研究的主要内容是：研究制造酸溶法光纤传像束用的光纤包层与酸溶玻璃材料；解决光纤包层与酸溶玻璃成型技术；研究酸溶法光纤传像束的成束工艺。制造出细径高鉴别率的胃镜用柔性光纤传象束。该项研究已经达到的技术指标：传像束束径Ф...
- 关键词：
- 关键词：光纤内窥镜光纤传象束
- 螺噁嗪掺杂的聚合物薄膜偏振全息记录研究
- 2011年
- 偏振全息因其在高密度信息存储中的重要作用而引起人们的广泛关注。本论文讨论了偏振全息光栅的种类,并利用琼斯矩阵进行了数学描述。论文重点研究了螺噁嗪掺杂的聚甲基丙烯酸甲酯S-S和S-P偏振全息动力学过程。考虑到光异构、光取向以及聚合物基质的位阻效应,建立了光栅动力学的唯象模型,通过调整拟合参数,获得的理论曲线与实验结果符合得很好,表明异构光栅与取向光栅的生长过程存在竞争。研究结果为该材料的实用化提供了理论依据。
- 付申成秦旭磊姜德龙李野端木庆铎
- 关键词：螺噁嗪聚甲基丙烯酸甲酯偏振全息琼斯矩阵
- Al_2O_3透明陶瓷薄膜的制备与结构研究被引量：3
- 1997年
- Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷薄膜的制备与结构研究苏春辉＊端木庆铎王艳隋智通（长春光学精密机械学院材料系长春１３００２２）（东北大学冶金学院沈阳）关键词Ａｌ２Ｏ３，透明陶瓷，薄膜，制备，结构１９９７－０３－２５收稿，１９９７－０９－０１修回国家自然科学基金资助项...
- 苏春辉端木庆铎王艳王艳
- 关键词：三氧化二铝陶瓷薄膜
- 碳纤维上胶剂的开发研究
- 苏春辉张洪波邵晶许素莲侯朝霞朱晓薇郑茹娟张华山宋琼孟庆新王轶敏端木庆铎刘中强消建文杨玉兰
- 该课题在研究工作中，使用国产原料，利用乳液聚合原理，采用预乳化工艺，先将引发剂、保护胶体和蒸馏水加入反应釜中，另将环氧化物分散到乳化剂的溶液中，配制成预乳化液，然后将预乳化液滴加到反应釜内的引发剂溶液中，并在一定温度下以...
- 关键词：
- 关键词：碳纤维上胶剂乳液聚合
- 硅微通道阵列光电化学腐蚀中通道尺寸控制技术被引量：5
- 2010年
- 高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔。本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术。给出了型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,研究了暗电流密度与腐蚀时间关系及对腐蚀的影响。根据暗电流及JPS的变化规律调整腐蚀电流,实现了对孔径的控制,制备出通道深度为300m,长径比为100的硅微通道阵列结构。
- 王国政熊峥王蓟秦旭磊付申成王洋端木庆铎
- 关键词：暗电流密度
