苏毅
- 作品数：17 被引量：18H指数：2
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 用椭偏谱法研究硅（111）表面的化学处理
- 1995年
- 用ＲＡＰ型椭圆偏振光谱仪对不同化学处理的硅（１１１）表面的赝介电函数虚部ε２进行测量。结果表明：赝介电函数虚部ε２的Ｅ１（３．４０ｅＶ）、Ｅ２（４．２２ｅＶ）临界点峰值，尤其是Ｅ２对硅表面状态非常敏感；对不同腐蚀都有一个最佳腐蚀时间；对ＨＦ缓冲溶液处理的硅（１１１）表面，其稳定性不仅和溶液的ＰＨ值有关，还和后处理方法有关。
- 张秀珠苏毅
- 关键词：硅表面化学处理
- 一种大规模协同环境下的因果并发检测方法
- 本发明属于协同实时组编辑技术领域，具体是一种大规模协同环境下的因果并发检测方法。包括：定义了一种属于协同实时组编辑技术领域的逻辑时间戳，称之为直接因果先序向量时间戳；提出了基于该时间戳解决实时组编辑活动中因果并发检测问题...
- 顾宁张琦炜杨江明苏毅
- 文献传递
- 等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性及均匀性实验研究被引量：1
- 1994年
- 在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体中的添加剂成份有关,添加20%Ar时A最大值为5.4;添加20%C_2F_5Cl时,A值可高达10以上.在RIE中,CF_4和NF_3,的刻蚀均匀性优于SF_6,最佳刻蚀均匀性平均值优于5%,添加剂对刻蚀均匀性没有明显的影响.而PE显示各向同性的刻蚀特征,均匀性约为16.5%.并对各向异性及均匀性的起因作了解释.
- 苏毅谭淞生孙承龙陈良尧王渭源钱佑华
- 关键词：硅反应离子刻蚀等离子体刻蚀
- GaSb晶体的高能N^＋注入及其光学性质
- 1995年
- 本文用低温光致发光光谱（ＰＬ）、椭圆偏振光谱（ＳＥ）、背散射及沟道技术（ＲＢＳ／Ｃ）、扫描电镜技术（ＳＥＭ）等研究了２ＭｅＶ高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体损伤及其光学性质．结果表明高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体不会产生反常膨胀（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ），通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复．椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况，并与背散射结果吻合．用有效介质模型（ＥＭＡ）对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解．
- 郑玉祥苏毅周仕明马宏舟陈良尧郑安生钱佑华林成鲁何冶平
- 关键词：半导体材料氮离子注入光学性质
- 正入射全自动扫描反射率绝对值光谱仪的研制被引量：1
- 1994年
- 采用Ｍ型棱镜分光束法研制了一台全自动扫描绝对反射率光谱仪，测量光谱范围为３５０ｎｍ～８２０ｎｍ（１．５～３．５ｅＶ），样品入射角为５°，测量和数据采集处理全过程由计算机控制．测量绝对值精度优于±１％，测量重复性优于０．１％．采用本谱仪对热蒸发金膜和（１１１）锗本征体单晶进行测量，获得了与椭偏测量以及文献报道相一致的结果．
- 苏毅陈良尧马宏舟冯星伟周仕明钱佑华
- 关键词：光学常数反射率棱镜光谱仪
- 快速氧化生长超薄硅氧化层的变入射角椭圆偏振研究被引量：2
- 1994年
- 采用多角度椭圆偏振光谱测量，并结合一定的数值计算方法，首次同时精确测出了多种工艺条件下由快速热氧化法生长的超薄氧化层厚度与折射率，对该方法生长的氧化层厚度与氧化时间平方根的关系进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能，同时也对薄氧化层折射率与氧化层厚度的关系进行了探讨．
- 冯星伟苏毅戴自怡陈良尧钱佑华方景松郑庆平
- 关键词：硅椭圆偏振氧化膜
- 低能C_(60)离子束流淀积薄膜及其光谱特性
- 1993年
- 自1990年Kratschmer等人发现制备宏观量C_(60)球烯的方法以来,C_(60)的研究已成为材料科学领域的一个热点,科学通报也报道过化学所研制C_(60)的工作,本文报道低能C_(60)
- 熊夏幸钱士雄任忠民应质峰何懋其李郁芬苏毅陈良尧
- 关键词：碳60光谱特性
- Web协同编辑和标注的一致性维护技术研究
- 在Web2.0环境下,人们不仅通过阅读获取信息,往往也承担着信息的发布和修改工作。同时,人们也不再独自和孤立的使用Internet,跨地域的协同活动愈发频繁。协同编辑和标注是Web2.0下许多协作应用场景(网络会议、在线...
- 苏毅
- 关键词：计算机支持的协同工作WEB2.0并发控制
- 文献传递
- CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究被引量：1
- 1993年
- 本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。
- 苏毅谭淞生王渭源
- 关键词：反应离子刻蚀表面粗糙率
- 一种正入射式反射率光谱仪
- 本实用新型由光源、单色仪、样品暗箱、光电探测器以及计算机等部分组成。其中样品暗箱内装设有样品架、探测器的光子探测部分、截光转盘、M形棱镜等。M形棱镜将由单色仪入射的光束分为参考光和样品入射光，两光束分别通过截光转盘被探测...
- 陈良尧苏毅钱佑华马宏舟周仕明
- 文献传递
