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胡喆

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：上海大学更多>>
相关领域：医药卫生一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇碘酊
  • 3篇多晶
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇电池
  • 2篇真空压力
  • 2篇蒸发
  • 2篇蒸发过程
  • 2篇蒸发温度
  • 2篇蒸发制备
  • 2篇生长温度
  • 2篇太阳能
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇退火
  • 2篇退火炉
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米阵列
  • 2篇金相
  • 2篇金相显微镜
  • 2篇工作气压

机构

  • 8篇上海大学

作者

  • 8篇胡喆
  • 7篇马磊
  • 7篇史伟民
  • 7篇刘晟
  • 5篇杨伟光
  • 4篇周杰
  • 3篇陈亮亮
  • 3篇刘功龙
  • 2篇孙杰
  • 2篇黄璐
  • 2篇聂磊
  • 2篇陈振一
  • 2篇李杰
  • 2篇淤凡枫
  • 2篇袁安东
  • 2篇武文军
  • 2篇陈洁利
  • 2篇张小丽

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法
本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过度缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-...
史伟民马磊杨伟光刘功龙陈亮亮刘晟胡喆周杰
文献传递
真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。...
史伟民武文军聂磊陈洁利张小丽刘晟马磊淤凡枫胡喆黄璐孙杰陈振一周杰
文献传递
SnS/ZnO纳米阵列薄膜的制备及其性能研究
胡喆
关键词：SNS背电极
真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。...
史伟民武文军聂磊陈洁利张小丽刘晟马磊淤凡枫胡喆黄璐孙杰陈振一周杰
文献传递
太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法
本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO...
史伟民刘晟杨伟光胡喆马磊袁安东李杰
文献传递
高取向性多晶碘化汞厚膜的制备方法
本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为晶种层，通过真空蒸发物理气相沉积法在晶种层上沉积生长高取向性多晶碘化汞厚膜的制备方法。生长出来的高取向性多晶碘化汞厚膜特别适合于...
史伟民马磊杨伟光刘晟胡喆刘功龙陈亮亮
文献传递
太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法
本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO...
史伟民刘晟杨伟光胡喆马磊袁安东李杰
用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法
本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺，生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过渡缓冲层，特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备，本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-...
史伟民马磊杨伟光刘功龙陈亮亮刘晟胡喆周杰
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