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马磊

作品数:16 被引量:0H指数:0
供职机构:上海大学更多>>
相关领域:医药卫生一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 14篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇多晶
  • 4篇碘酊
  • 4篇厚膜
  • 3篇蒸发制备
  • 3篇太阳能
  • 3篇玻璃衬底
  • 3篇衬底
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇电池
  • 2篇电极
  • 2篇氧化硅
  • 2篇真空压力
  • 2篇蒸发
  • 2篇蒸发过程
  • 2篇蒸发温度
  • 2篇生长温度
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇退火
  • 2篇退火炉

机构

  • 16篇上海大学

作者

  • 16篇马磊
  • 14篇史伟民
  • 9篇刘功龙
  • 8篇杨伟光
  • 7篇胡喆
  • 7篇刘晟
  • 6篇黄璐
  • 5篇周杰
  • 4篇陈亮亮
  • 3篇廖阳
  • 3篇聂磊
  • 3篇淤凡枫
  • 3篇武文军
  • 3篇吕燕芳
  • 2篇孙杰
  • 2篇陈振一
  • 2篇李冬梅
  • 2篇沈春夏
  • 2篇钱隽
  • 2篇李季戎

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2002
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法
本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法,属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙,来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅(Si)衬底上沉积铬(Cr)层和氧化硅...
张方方李冬梅杨伟光黄璐沈春夏马磊刘功龙史伟民
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真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法,属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层,使用真空蒸发系统,采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。...
史伟民武文军聂磊陈洁利张小丽刘晟马磊淤凡枫胡喆黄璐孙杰陈振一周杰
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太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法
本发明涉及涉及利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列的制备方法。生长出来的ZnO纳米阵列可作为SnS太阳能电池的窗口层。属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明先采用磁控溅射法在掺杂氟的SnO...
史伟民刘晟杨伟光胡喆马磊袁安东李杰
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X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法
本发明涉及一种X射线成像多晶碘化汞探测器的制备方法,主要是先通过物理气相沉积法生长多晶碘化汞厚膜,最后再经过电极的制备及探测器封装等步骤,属于半导体探测器制备工艺技术领域。通过本方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小...
史伟民刘功龙廖阳吕燕芳张月璐马磊陶佳佳
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基于TMS320C5410 DSP的8KbpsPCI语音卡的研制
数字化的语音记录设备在很多场合获得了广泛的应用,该文设计实现了一个用于单路语音压缩存储的PCI板卡.借助为该卡编写的Windows驱动程序,它能够把压缩后的语音数据通过PCI总线存放到计算机的硬盘上,也可以把计算机硬盘上...
马磊
关键词:语音编码DSPPCI总线G.729算法
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用于辐射探测器的多晶碘化汞薄膜的制备方法
本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺,生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过度缓冲层,特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备,本发明属化学液相沉积技术领域。本发明以2,7-二溴-...
史伟民马磊杨伟光刘功龙陈亮亮刘晟胡喆周杰
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多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法
本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法,具体步骤如下:a.多晶碘化汞厚膜的生长,b.多晶碘化汞厚膜表面的处理,c.电极材料的制备,d.电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单,易于操作,电极掩模板图形可变,可大面...
刘功龙马磊史伟民廖阳吕燕芳李季戎钱隽陶佳佳
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超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法
本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法,本装置包括油浴加热槽,厚膜原料蒸发管,基板温度控制仪,真空室,磨砂石英顶盖和超声波发生器;多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部,多晶碘化汞粉末...
刘功龙马磊史伟民廖阳吕燕芳钱隽李季戎黄璐
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真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法
本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法,属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层,使用真空蒸发系统,采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。...
史伟民武文军聂磊陈洁利张小丽刘晟马磊淤凡枫胡喆黄璐孙杰陈振一周杰
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取向性多晶HgI2膜的可控制备与性能研究
马磊
关键词:物理气相沉积表面形貌
共2页<12>
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