罗明雄 作品数:12 被引量:10 H指数:2 供职机构: 中国科学院微电子研究所 更多>> 发文基金: 国家重点基础研究发展计划 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用 2004年 0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。 张海英 刘训春 罗明雄 刘洪民 王润梅关键词:GAAS PHEMT T形栅 适用于阵列波导光栅制作的厚SiO_2陡直刻蚀技术 被引量:5 2003年 采用 ICP- 98型高密度等离子体刻蚀机进行了厚 Si O2 陡直刻蚀技术的研究 ,利用双层掩膜技术解决了“微掩膜现象”问题 ,刻蚀获得 12 .4 μm的陡直 Si O2 光波导剖面 ,并将这一刻蚀技术用于阵列波导光栅的制作中 . 魏珂 刘训春 曹振亚 王润梅 罗明雄 牛立华晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法 本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶,或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶,然后光刻出发射极或栅极窗口图形,再用等... 刘训春 李无瑕 王润梅 钱永学 吴德馨 张龙海 郑坚斌 罗明雄晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法 本发明晶体管T型发射极或栅极金属图形的制造方法属于半导体集成电路工艺。本方法是先在衬底片上涂两层正性光刻胶,或者先淀积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN介质层后涂正性光刻胶,然后光刻出发射极或栅极窗口图形,再用等... 刘训春 李无瑕 王润梅 钱永学 吴德馨 张龙海 郑坚斌 罗明雄文献传递 制备深亚微米栅的方法 一种制备深亚微米栅的方法,其步骤为:1)在基片上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜;光刻生成胶膜图形,使其一边位于器件源漏中间;腐蚀二氧化硅的暴露部分并使形成侧蚀;2)蒸发金属;通过剥离工艺,去除胶上的金属;3)采用等离子体刻蚀... 刘训春 李无暇 王润海 罗明雄 石华芬 汪宁文献传递 减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能 2004年 在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频率高达 81 GHz,且集电极电流密度为 7× 1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应 .它的高频和直流特性均比发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高 。 石瑞英 孙海峰 刘训春 袁志鹏 罗明雄 汪宁关键词:自对准工艺 可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法 一种可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法,首先1.在砷化镓等晶片上光刻有源岛区,2.然后注入质子或氧、硼离子;以常规方法形成源漏金属并合金;3.淀积绝缘层;4.光刻出栅牺牲层;5.溅射或蒸发形成薄膜;6.减薄腐蚀;7... 刘训春 张龙海 王润梅 李无瑕 罗明雄 吴德馨文献传递 在衬底上制备空气桥的方法 一种在衬底上制备空气桥的方法,包括如下步骤:(1)在衬底上涂两层光刻胶;(2)在上层光刻胶上曝光、显影,获得桥模图形;(3)对下层刻蚀和氯苯浸泡,将上层的桥模图形转移到下层;(4)泛曝光、显影去除剩余的上层胶;(5)在已... 刘训春 李无暇 王润海 罗明雄文献传递 带自调整恒流源的激光器调制驱动电路 本发明提供一种一种带自调整恒流源的激光器调制驱动电路,该电路包括:一第一级预放电路;一第二级预放电路;一恒流管栅压调控电路,该恒流管栅压调控电路连接在该第一级预放电路和第二级预放电路之间;其中恒流管栅压调控电路包括,一场... 刘训春 张龙海 李无暇 王润海 罗明雄文献传递 带自调整恒流源的2.5Gb/s激光器调制驱动电路的研究 本文报道了我们提出的一种带自调整恒流源的2.5Gb/s激光器调制驱动电路.它通过一个负反馈极强的电路控制预前级差分放大器的恒流源栅极电位,达到较稳定的电压输出,以保证足够大的逻辑摆幅去推动功率输出级,使之正常工作,从而,... 刘训春 张龙海 吴德馨 刘新宇 李无暇 袁志鹏 王润梅 刘宏民 罗明雄 王淑琴关键词:驱动电路 激光器 光发射机 文献传递