田立飞
- 作品数：6 被引量：18H指数：2
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家大学生创新性实验计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- 氧化锌和氧化镓纳米结构及器件的性能研究
- 氧化锌(ZnO)属于Ⅱ-Ⅳ族宽禁带半导体材料，在光电子领域具有广阔的应用前景。它可以用于发光二极管和激光二极管等。目前对纳米ZnO材料及器件的研究中存在的主要问题有，p型ZnO的制备和纳米ZnO二极管的阈值电压不够低。 ...
- 田立飞
- 关键词：氧化锌氧化镓光致发光二极管
- 高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征被引量：2
- 2011年
- 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57Ω·cm,禁带宽度为3.31eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.
- 秦杰明张莹曹建明田立飞董中伟李岳
- 关键词：陶瓷
- 高压下Li掺杂p型ZnO固溶体的表征
- 2012年
- 报道了利用ZnO和Li_2O混合物在5GPa,1200℃—1500℃条件下,制备Li掺杂P型ZnO(记作ZnO:Li)固溶体的过程.研究发现,高压下温度对于ZnO:Li固溶体的导电类型以及结构具有较大的影响.其中在1500℃条件下烧结的ZnO:Li(Li的掺杂量4.5%)表现出良好的p型电学性能,其电阻率为3.1×10^(-1)Ω·cm,载流子浓度为3.3×10^(19)cm^(-3),迁移率为27.7cm^2·V^(-1)·s^(-1).通过实验及理论计算确定了其受主能级为110meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电学性能的影响.
- 秦杰明田立飞蒋大勇高尚赵建勋梁建成
- 关键词：固溶体
- 纯铁触媒合成磨料级金刚石及表征被引量：5
- 2011年
- 本文报道了高温高压下纯铁触媒与石墨体系合成磨料级金刚石的过程,并给出了P-T相图.在此基础上,通过调整工艺参数,控制再结晶石墨量与金刚石生长速度,合成出无色透明的金刚石样品,解决了纯铁触媒合成的金刚石透明度较差及包裹体较多的问题.采用穆斯堡尔谱仪和傅里叶红外光谱仪等测试手段,对金刚石样品内部包裹体以及氮元素含量进行了表征,在揭示包裹体形成机理的基础上提出了减少包裹体的方法,同时阐明了纯铁触媒合成的金刚石样品颜色变浅的原因.
- 秦杰明张莹曹建明田立飞
- 关键词：金刚石高温高压
- 高压高温研制高性能锑掺杂P型ZnO晶体
- 秦杰明刘亚冰蒋大勇高尚田立飞赵建勋梁建成曹建明李瑞崔媛曾繁明刘景和
- 该项目在国内外首次采用高压高温制备技术，从热力学的三个维度出发，通过理论计算和技术创新，突破了P型ZnO晶体材料受主元素掺杂浓度低、电学稳定性和重复性差等技术瓶颈，重点解决了锑掺杂P型ZnO晶体材料的透明度、重掺杂和晶体...
- 关键词：
- 关键词：晶体材料
- 一维氧化锌纳米结构生长及器件制备研究进展被引量：11
- 2011年
- 介绍了一维氧化锌(ZnO)纳米结构的形态(纳米线和纳米带等)及其特点,阐述了该结构生长及器件制备的方法,例如水热法和化学气相沉积法等.概述了该结构在发光二极管和纳米发电机等方面的应用进展.最后,对一维ZnO纳米结构的未来发展趋势进行了展望,并在新方法和新工艺等方面提出了一些建议.
- 秦杰明田立飞赵东旭蒋大勇曹建明丁梦郭振
- 关键词：ZNO一维纳米结构光电子器件
