曹建明
- 作品数：7 被引量：18H指数：2
- 供职机构：长春理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 高压下制备的透明低阻n-ZnO陶瓷的表征被引量：2
- 2011年
- 本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57Ω·cm,禁带宽度为3.31eV,载流子浓度为8.36×1017cm-3,迁移率为23cm2·V-1·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo施主缺陷的贡献.本文的结果对ZnO陶瓷在紫外发光等光电子器件领域的应用具有重要意义.
- 秦杰明张莹曹建明田立飞董中伟李岳
- 关键词：陶瓷
- MgZnO日盲紫外探测器的制备和性能研究
- MgZnO合金薄膜材料可以调制带隙范围很宽/(3.37eV-7.8eV/),涵盖了整个日盲紫外波段。这使得MgZnO可用于高灵敏度的日盲型紫外探测器。与GaN基材料相比,MgZnO具有自己的独特的优点,其生长温度低,有匹...
- 曹建明
- 关键词：MOCVD
- 文献传递
- 热处理对立方相结构Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜表面和组成的影响(英文)
- 2011年
- MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料。由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分相问题使高质量单一相MgZnO难以获得。热处理是提高薄膜结晶质量的有效手段。利用MOCVD方法制备了单一立方相Mg0.57Zn0.43O合金薄膜,研究了薄膜的退火行为对薄膜结构和光学性能的影响。研究发现,450℃的原生样品经过550,650,750,850℃氧气氛退火后,薄膜的结晶特性和表面形貌得到明显的改善。随着退火温度的增加,薄膜吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽。X光电子能谱分析发现,随着退火温度增加,Zn含量逐渐减小,这种现象被归结为组分蒸汽压的差异。在退火温度达到950℃时,样品发生了分相,出现了低Mg含量的六角相MgZnO。
- 曹建明秦杰明张振中王立昆郑剑韩舜赵延民张炳烨张吉英申德振
- 关键词：热退火表面形貌晶粒尺寸
- 纯铁触媒合成磨料级金刚石及表征被引量：5
- 2011年
- 本文报道了高温高压下纯铁触媒与石墨体系合成磨料级金刚石的过程,并给出了P-T相图.在此基础上,通过调整工艺参数,控制再结晶石墨量与金刚石生长速度,合成出无色透明的金刚石样品,解决了纯铁触媒合成的金刚石透明度较差及包裹体较多的问题.采用穆斯堡尔谱仪和傅里叶红外光谱仪等测试手段,对金刚石样品内部包裹体以及氮元素含量进行了表征,在揭示包裹体形成机理的基础上提出了减少包裹体的方法,同时阐明了纯铁触媒合成的金刚石样品颜色变浅的原因.
- 秦杰明张莹曹建明田立飞
- 关键词：金刚石高温高压
- 高压高温研制高性能锑掺杂P型ZnO晶体
- 秦杰明刘亚冰蒋大勇高尚田立飞赵建勋梁建成曹建明李瑞崔媛曾繁明刘景和
- 该项目在国内外首次采用高压高温制备技术，从热力学的三个维度出发，通过理论计算和技术创新，突破了P型ZnO晶体材料受主元素掺杂浓度低、电学稳定性和重复性差等技术瓶颈，重点解决了锑掺杂P型ZnO晶体材料的透明度、重掺杂和晶体...
- 关键词：
- 关键词：晶体材料
- Mg_(0.57)Zn_(0.43)O合金薄膜生长及性能表征
- 2013年
- 本文利用金属有机气相沉积法(MOCVD)生长单一立方相Mg0.57Zn0.43O(记作立方MZO)合金薄膜,以及该合金薄膜在后期热处理过程中质量和热稳定性的关系.通过X射线衍射等测试发现,后期热处理对于立方MZO合金薄膜质量具有较大的影响.其中在500—850C的条件下,合金薄膜的结晶质量和表面形貌随温度的增加得到明显的改善,吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽,但仍保持单一立方结构.当温度达到950C时立方MZO合金薄膜出现混合相.通过对立方MZO合金薄膜制备的MSM型单元器件进行光响应的测试表明,在外加15V的偏压下,器件的响应峰值在260nm附近,紫外/可见抑制比大约为4个数量级,饱和响应度为3.8mA/W,暗电流值为5pA左右.
- 秦杰明曹建明蒋大勇
- 关键词：MOCVD光响应
- 一维氧化锌纳米结构生长及器件制备研究进展被引量：11
- 2011年
- 介绍了一维氧化锌(ZnO)纳米结构的形态(纳米线和纳米带等)及其特点,阐述了该结构生长及器件制备的方法,例如水热法和化学气相沉积法等.概述了该结构在发光二极管和纳米发电机等方面的应用进展.最后,对一维ZnO纳米结构的未来发展趋势进行了展望,并在新方法和新工艺等方面提出了一些建议.
- 秦杰明田立飞赵东旭蒋大勇曹建明丁梦郭振
- 关键词：ZNO一维纳米结构光电子器件
