王胜强
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：四川省学术和技术带头人培养资金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施被引量：7
- 2006年
- 描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类。对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提升。
- 王胜强刘玉奎黄磊刘道广
- 关键词：半导体工艺多晶硅
- 一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离工艺被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种基于刻蚀的SOI深槽介质隔离(DTI)工艺。该工艺采用BOSCH刻蚀、兆声清洗、多晶硅回填、刻蚀平坦化等技术,制作流程简单。其介质隔离击穿电压可以根据电路的需要进行调整,并可根据氧化层厚度进行预测。其介质隔离漏电流极低。
- 刘勇邹昭伟王胜强叶兴耀
- 关键词：深槽介质隔离SOI兆声清洗
- 一种新型CMOS电流反馈运算放大器的分析与设计被引量：1
- 2008年
- 通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力。在1.5 V电压下,偏置约为1μA。基于BSM3 0.5μm CMOS工艺,对电路进行了PSPICE仿真。负载为20 pF时,该电路获得了87 dB的开环增益,353 MHz的单位增益带宽,61°的相位裕度和132 dB的共模抑制比,功耗为1.24 mW。
- 杜广涛程涛王胜强陈向东
- 关键词：电流反馈运算放大器单位增益带宽CMOS电流基准源
- 介质隔离高稳定低噪声对管电路的工艺研究被引量：2
- 2001年
- 文章采用先进的全介质隔离、高频低噪声、浅结工艺研制高稳定性低噪声对管电路。该器件具有两管电流放大系数对称性好 ( h FE=97% )、噪声系数低 ( NF≤ 3d B)、隔离度高 ( g≥ 40 d B)、共模抑制比高 ( CMRR≥ 80 d B)和截止频率高 ( f T≥ 60 0 MHz)
- 贺广佑王胜强刘道广
- 关键词：介质隔离半导体工艺电子电路
