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林静
作品数:
47
被引量:2
H指数:1
供职机构:
华南理工大学
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相关领域:
电气工程
一般工业技术
电子电信
化学工程
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合作作者
李国强
华南理工大学
贾德民
华南理工大学
罗远芳
华南理工大学
张志杰
华南理工大学
贾志欣
华南理工大学
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林静
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李国强
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罗远芳
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一种埃洛石纳米管表面原位生长二氧化硅制备杂化填料的方法
本发明公开了一种埃洛石纳米管表面原位生长二氧化硅制备杂化填料的方法。该方法首先将埃洛石纳米管分散到溶剂中,然后加入氨水和催化剂,超声分散后,再添加硅源单体,在30‑80℃条件下搅拌反应1‑10小时,离心过滤,洗涤,倒掉上...
贾志欣
胡德超
钟邦超
林静
罗远芳
贾德民
一种碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层的砷化镓太阳电池及其制备
本发明属于太阳电池的技术领域,公开了一种碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层的砷化镓太阳电池及其制备。所述砷化镓太阳电池包括依次层叠的背面电极、砷化镓衬底、碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输层、正面电极;碳纳米纤维掺杂氧化镍空穴传输...
李国强
莫由天
何小斌
林静
一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法
本发明属于太阳能电池的技术领域,公开了一种钙钛矿/GaAs单结杂化太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池,包括自下而上依次层叠的背面电极、n型掺杂的砷化镓层、钙钛矿层、石墨烯层、正面电极;所述钙钛矿层包括MaSn<Sub...
李国强
陈嘉颖
何小斌
林静
一种过渡金属掺杂的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>N纳米柱及其制备方法与应用
本发明公开了一种过渡金属掺杂的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>N纳米柱及其制备方法与应用。该过渡金属掺杂的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N纳...
李国强
林静
余粤锋
张志杰
梁敬晗
一种杂化填料负载型防老剂及其制备方法与应用
本发明公开了一种杂化填料负载型防老剂及其制备方法与应用。该方法包含如下步骤:(1)将杂化填料与硅烷偶联剂混合,在70~90℃下搅拌反应10~24h,干燥后得中间产物;(2)将步骤(1)的中间产物与N‑苯基对苯二胺(RT)...
贾志欣
林静
胡德超
钟邦超
罗远芳
贾德民
一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与应用
本发明公开了一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与其应用。该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池,所述的光阳极结构从下至上依次为衬底、衬底上的石墨烯、生长在石墨烯上的InGaN纳米柱,所述...
李国强
刘乾湖
林静
曾庆浩
张志杰
莫由天
邓曦
一种兼具补强与防老的环保型橡胶防老剂及其制备方法与应用
本发明公开了一种兼具补强与防老的环保型橡胶防老剂及其制备方法与应用。该方法将无机载体和硅烷偶联剂混合,在80~120℃下搅拌反应10~24h,得到中间产物。再将中间产物和防老剂按质量比(0.5~2):15混合,在40~6...
贾志欣
林静
罗启文
罗远芳
贾德民
一种生长在GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用
本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域,具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层...
李国强
林静
余粤锋
张志杰
一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种具有界面等离激元效应的双结GaAs/Si肖特基结太阳电池及其制备方法。该双结GaAs/Si肖特基结太阳电池由下至上依次为Au/Pt背电极、n掺杂Si基区、石墨烯层、银纳米颗粒阵列、n掺杂InGaP背反射层...
李国强
余粤锋
张志杰
林静
一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用
本发明属于太阳能电池器件领域,公开了一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列。其制备方法为:将单层石墨烯转移到GaAs衬底上,然后放入分子...
李国强
余粤锋
林静
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