您的位置： 专家智库 > >

李国强

作品数：678 被引量：73H指数：4
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省重大科技专项国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 633篇专利
  • 32篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 177篇电子电信
  • 29篇一般工业技术
  • 18篇电气工程
  • 10篇自动化与计算...
  • 9篇文化科学
  • 9篇理学
  • 7篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 238篇衬底
  • 109篇电极
  • 76篇探测器
  • 74篇纳米
  • 62篇肖特基
  • 56篇SUB
  • 56篇LED芯片
  • 52篇金属
  • 50篇光电
  • 48篇电池
  • 48篇石墨
  • 48篇石墨烯
  • 46篇非掺杂
  • 45篇外延片
  • 44篇异质结
  • 42篇势垒
  • 42篇光效
  • 42篇SI衬底
  • 41篇载流子
  • 36篇太阳电池

机构

  • 678篇华南理工大学
  • 8篇惠州雷士光电...
  • 5篇中国电子科技...
  • 4篇广州市艾佛光...
  • 2篇牛津大学
  • 1篇西北工业大学
  • 1篇中兴通讯股份...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇江门市奥伦德...
  • 1篇广州市众拓光...
  • 1篇佛山市国星半...

作者

  • 678篇李国强
  • 231篇王文樑
  • 84篇高芳亮
  • 69篇林志霆
  • 63篇张曙光
  • 59篇王海燕
  • 59篇周仕忠
  • 58篇温雷
  • 44篇杨为家
  • 39篇林云昊
  • 33篇刘作莲
  • 28篇乔田
  • 25篇林静
  • 25篇张子辰
  • 22篇李媛
  • 22篇王凯诚
  • 20篇张云鹏
  • 18篇陈胜
  • 17篇张志杰
  • 17篇杨美娟

传媒

  • 14篇半导体光电
  • 6篇半导体技术
  • 3篇压电与声光
  • 2篇材料导报
  • 2篇材料研究与应...
  • 2篇2013年全...
  • 1篇金属世界
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇2014中国...

年份

  • 97篇2024
  • 58篇2023
  • 74篇2022
  • 45篇2021
  • 73篇2020
  • 52篇2019
  • 66篇2018
  • 58篇2017
  • 18篇2016
  • 37篇2015
  • 41篇2014
  • 44篇2013
  • 15篇2012
共 678 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
新型衬底上的LED外延材料与芯片
目前,使用的氮化物LED一般生长在蓝宝石衬底上.该技术存在几个严峻的问题:一方面,蓝宝石价格昂贵,使得LED生产成本高昂;另一方面,蓝宝石热导率低,不利于开发高功率LED;再次,基于蓝宝石上的LED核心技术几乎已全部被欧...
李国强王文梁林云昊王海燕林志霆
一种新型FBAR滤波器
本实用新型公开了一种新型FBAR滤波器。该FBAR滤波器，由n个谐振器级联而成；谐振器包括支撑衬底、空气腔支撑层、底电极、种子层、压电薄膜结构层、顶电极；两个空气腔支撑层层叠在支撑衬底上，底电极分别与这两个空气腔支撑层连...
李国强衣新燕赵利帅欧阳佩东刘红斌张铁林
文献传递
一种阵列LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种阵列LED芯片及其制备方法，所述LED包括高阻硅衬底、键合金属层、绝缘层、p接触反射镜金属及保护层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和n型GaN层，还包括柱状N金属、N电极、金属连接桥、P电极；...
李国强柴华卿姚书南范宣聪
一种自供电偏振可见光探测器及制备方法与应用
本发明公开了一种自供电偏振可见光探测器及制备方法与应用，所述自供电偏振可见光探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、功能层、SiO<Sub>2</Sub>隔离层和金属电极层，其中：缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、A...
李国强陈胜王文樑柴吉星
一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法
本发明属于蓝光探测器的技术领域，公开了一种NiO/多孔GaN谐振腔InGaN蓝光探测器及其制备方法。所述探测器包括依次层叠的衬底、缓冲层、多孔GaN层、n‑GaN层、InGaN层，所述n‑GaN层上表面部分被InGaN层...
李国强孔德麒王文樑陈胜
一种用于LED正装结构的图形化衬底及LED芯片
本实用新型公开了一种用于LED正装结构的图形化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的穹顶型图案组成；所述穹顶型图案为轴对称的椎体，椎体的底面为半径为0.8～1.2μm的圆形，椎体的高为1.3～1.6μm；椎体沿...
李国强王海燕周仕忠何攀贵乔田林志霆
文献传递
一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用
本发明属于声波器件材料的技术领域，公开了一种用于声波器件的低应力状态单晶AlN及其制备与应用。所述低应力状态单晶AlN薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延AlN单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延AlN单晶薄膜层上，并将外延A...
李国强李洁朱运农张子辰刘国荣
一种塔状图案的图形化LED衬底及LED芯片
本发明公开了一种塔状图案的图形化LED衬底，衬底图案由排列在衬底表面的多个形状相同的塔状图案组成；所述塔状图案为由m个带内凹的圆台和一个圆锥组成的一体结构；所述m个带内凹的圆台按由大到小的顺序由下至上依次排列；第i带内凹...
李国强乔田林志霆王海燕周仕忠王凯诚钟立义
一种多量子阱蓝光探测器
本实用新型公开了一种多量子阱蓝光探测器，所述探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、GaN/InGaN多量子阱层和金属层电极，缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，GaN/InGaN多量子阱层为在...
王文樑李国强孔德麒杨昱辉
文献传递
一种弧线形N电极及垂直结构LED芯片
本实用新型公开了一种弧线形N电极，包括插指和焊盘；所述焊盘为长方形；所述插指由中心区域插指及边缘多边形插指组成；所述边缘多边形插指同时为左右对称、上下对称结构；所述中心区域插指由垂直插指和一根弧线形插指组成；所述中心区域...
李国强张云鹏张子辰
全选 清除 导出
共68页<12345678910>
聚类工具0