尚正国
- 作品数：57 被引量：102H指数：6
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- 一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件的制备方法
- 本发明公开了一种具有双工器功能的氮化铝压电薄膜器件，由下至上依次包括硅衬底、绝缘层、下电极、第I氮化铝薄膜层、中间电极、第II氮化铝薄膜层和上电极，所述第I氮化铝薄膜层和第II氮化铝薄膜层的C轴与硅衬底(1)倾斜且两者倾...
- 尚正国李东玲
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- 振动式压电微型发电机及其在无线传感网络中的应用
- 随着微机电系统(MEMS)技术的进步和无线通讯技术的发展，无线传感网络技术得到迅猛发展，电池等传统电源已经不能满足无线传感网络技术对小体积、长寿命、免维护和高能量密度的电源的需求，微电源已经成为无线传感网络技术发展与应用...
- 尚正国
- 关键词：微机电系统微型发电机无线传感网络
- 一种差分双谐振器型声波压力传感器
- 本发明提出了一种差分式双谐振器型声波压力传感器，其包括衬底1及在其上形成的底电极2，在底电极2下的衬底1内设置有两个独立且结构参数相同的敞开或密封的腔室，第一腔室之上的底电极2上依次形成有压电层3和第一谐振器4，第二腔室...
- 牟笑静陈俊霏窦韶旭尚正国
- 一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片
- 本发明提出了一种差分式双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其包括第一谐振器和第二谐振器，第一谐振器和第二谐振器相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域。可以选择从基底层背部进行深刻蚀，构成兰姆波器件；也可以选择在...
- 牟笑静曹健窦韶旭尚正国
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- 硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法
- 本发明涉及一种硅基ScAlN薄膜GHz谐振器及其制备方法，所述谐振器由上而下依次包含引线键合辅助层、上电极层、功能层、辅助层、晶种层、布拉格反射层、器件层衬底、上表面氧化层、结构层衬底和上表面氧化层；所述结构层衬底与器件...
- 尚正国牟笑静
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- 一种高效激发NV色心的固态磁强计及其制备方法
- 本发明涉及一种高效激发NV色心的固态磁强计及其制备方法，属于固态磁强计的制备技术领域。本发明的固态磁强计采用可调焦菲涅尔波带片S<Sub>1</Sub>代替传统的物镜，以实现激发激光的准直聚焦，其焦距可通过电控调节；同时...
- 尚正国袁仁鹏曾森刘妍婧
- 一种低g值微机械加速度锁存开关
- 本发明公开一种低g值微机械加速度锁存开关，包括一绝缘衬底，一检测质量块，多个相对于绝缘衬底X轴和Y轴均对称分布的锚点、触头、触头支撑梁、检测质量块支撑梁及过载保护结构。本发明所述微机械开关的动触头采用半球形与楔形复合结构...
- 李东玲尚正国温志渝彭迎春佘引
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- 硅基氮化铝薄膜风致振动MEMS能量采集单元被引量：4
- 2013年
- 研究了基于氮化铝(AlN)薄膜的压电式风致振动微机电系统(MEMS)能量采集单元的制备工艺。采用脉冲直流磁控溅射的方法制备了具有(002)择优取向的AlN压电薄膜,并通过X射线衍射仪(XRD)及扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的性能。测试结果表明:种子层材料、气体流量比和衬底温度等对AlN薄膜晶体取向及薄膜性能有重要影响。制备的具有(002)择优取向的AlN薄膜的衍射强度达到105count,半高宽为2.7°。对硅基AlN风致振动MEMS能量采集单元加工工艺流程进行优化,制备出了风致振动能量采集系统原理样机。风洞实验表明,在15.9m/s的风载荷作用下,MEMS能量采集单元的最大输出功率为1.6μW。该工艺亦可用于其他硅基AlN薄膜MEMS器件的制备。
- 尚正国李东玲温志渝赵兴强
- 关键词：风致振动衍射强度摇摆曲线
- 风致振动能量采集器驱动的无线风速传感器被引量：13
- 2017年
- 针对气象观测、煤矿/隧道/通风管道运行状况监测等的需求,设计了一个由带谐振腔的风能采集器供电的无线风速传感器,该无线传感器包括两个带谐振腔的风能采集器,其中一个用于风能采集,另一个用于风速测量。当风速在特定区间变化时,采集器将发生强烈振动,将风能转换为电能。由于采集器的振动频率随风速单调递减,因此在建立采集器振动频率与风速的关系后,通过测量振动频率就可以实现对风速的测量。实验结果表明,自供能无线风速传感器在8.5~12.1m/s风速范围内可以正常工作,灵敏度为1.45Hz·s/m,当风速为12.1m/s时,自供能无线风速传感器每隔30s可以测量并发送一次风速信息,基本可以满足通风管道运行状况监测的要求。
- 贺学锋齐睿程耀庆张闯尚正国杨晓康
- 关键词：风致振动无线传感风速计
- PECVD法低温制备二氧化硅薄膜(英文)被引量：6
- 2013年
- 针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积(PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法.利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等性能指标进行了测试,探讨了射频功率、反应腔室压力、气体流量比等关键工艺参数对SiO2薄膜性能的影响.结果表明:SiO2薄膜的折射率主要由N2O/SiH4的流量比决定,而薄膜均匀性主要受电极间距以及反应腔室压力的影响.通过优化工艺参数,在低温260℃下制备了折射率为1.45～1.52、均匀性为±0.64%、应力在-350～-16MPa可控的SiO2薄膜.采用该方法制备的SiO2薄膜均匀性好、结构致密、沉积速率快、沉积温度低且应力可控,可广泛应用于集成电路以及MEMS器件中.
- 李东玲尚正国温志渝王胜强
- 关键词：二氧化硅折射率应力
