何景福
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MCT液相外延薄膜的生长和特性被引量：2
- 1991年
- 用开管水平液相外延系统从富Te溶剂中生长了不同x值的MCT薄膜。经X射线衍射、Hall电学参数、红外光谱、扫描电镜、X射线能谱仪和电子通道花样分析测试,结果表明:外延薄膜表面平整,光学参数较好,纵向、横向组份均匀,晶体结构完整,电学参数较好,外延膜质量优良。短波材料(n型):载流子浓度3.54×10^(14)cm^(-3),迁移率1.63×10~4cm^2V^(-1)s^(-1);中波材料(n型):载流子浓度9.95×10^(14)cm^(-3),迁移率为1.76×10~4cm^2V^(-1)s^(-1);原生长波材料(n型):载流子浓度为2.15×10^(15)cm^(-3),迁移率2.00×10~4cm^2V^(-1)s^(-1)。
- 王跃汤志杰庄维莎何景福
- 关键词：液相外延薄膜生长碲镉汞
- 碲镉汞的液相外延生长被引量：6
- 2001年
- 设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .
- 黄仕华何景福陈建才雷春红
- 关键词：碲镉汞液相外延生长半导体材料
- 液相外延MCT薄膜的缺陷分析被引量：1
- 1991年
- 用金相显微镜,X光衍射仪和扫描电子显微镜观察分析了用滑块LPE生长的MCT外延层。结果表明外延层中有大量的孪晶、亚晶以及晶界等缺陷,外延层的晶格还存在有扭曲以及大量的应力。对CdTe衬底材料的分析表明:外延层中的上述缺陷与CdTe衬底有一一对应关系。外延层与CdTe衬底的对比分析还表明:除CdTe衬底外,外延生长工艺对外延层质量也有很大影响。
- 王跃汤志杰庄维莎何景福
- 关键词：红外探测器液相外延
- 液相外延MCT薄膜表面形貌观察及与组分的关系
- 1990年
- 用扫描电子显微镜对滑块式液相外延技术生长的MCT外延薄膜表面形貌进行了观察,并用能谱仪对其表面组分进行了分析.研究结果表明:除衬底情况、生长条件以及生长系统外、外延薄膜表面组分与其表面形貌也有一定的关系.本文较详细地报道了MCT外延膜表面形貌观察结果,并初步讨论了表面组分对表面形貌可能的影响.
- 王跃汤志杰庄维莎何景福
- 关键词：液相外延碲镉汞薄膜表面形貌
- Hg1-xCdxTe薄模研究进展
- 本文介绍了昆明物理研究所He1-xCdxTe薄膜材料研究的最新进展,报道了外延薄膜的晶体结构质量、电学参数等.用我所研制的He1-xCdxTe薄膜材料成功地制备出性能较好的焦平面探测器.
- 姬荣斌张梅吴刚杨玉林张静蓉陈建才马庆华何景福宋炳文
- 关键词：红外焦平面EPD
- 文献传递
- MCT液相外延薄膜的研制被引量：1
- 1991年
- 用开管水平卧式液相外延系统在不同生长条件下生长了不同 x 值的MCT 液相外延薄膜。通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有较大改善,残留母液大为减少;外延薄膜的结构参数、电学参数和光学参数均有较大改善和提高。分析表明外延膜有较高的质量。短波材料和中波材料均已作出性能较高的器件。
- 王跃汤志杰庄维莎何景福
- 关键词：HGCDTE液相外延红外材料
- Hg[*v1-x*]Cd[*vx*]Te薄膜晶体的液相外延生长
- 何景福魏天衢李丽
- 关键词：薄膜晶体液相外延生长
- 碲镉汞液相外延层表面的交错线痕形貌分析
- 陶长远何景福
- 关键词：红外晶体液相外延生长表面形貌学
