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汤志杰

作品数:5 被引量:6H指数:2
供职机构:昆明物理研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇液相外延
  • 3篇液相
  • 3篇碲镉汞
  • 2篇红外
  • 2篇MCT
  • 1篇应力
  • 1篇应力研究
  • 1篇探测器
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇晶格
  • 1篇红外材料
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇MTC
  • 1篇HGCDTE
  • 1篇表面形貌

机构

  • 5篇昆明物理研究...

作者

  • 5篇王跃
  • 5篇汤志杰
  • 5篇庄维莎
  • 4篇何景福
  • 1篇何永成
  • 1篇蔡毅

传媒

  • 3篇红外技术
  • 2篇红外与激光技...

年份

  • 1篇1992
  • 3篇1991
  • 1篇1990
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
液相外延MCT薄膜的缺陷分析被引量:1
1991年
用金相显微镜,X光衍射仪和扫描电子显微镜观察分析了用滑块LPE生长的MCT外延层。结果表明外延层中有大量的孪晶、亚晶以及晶界等缺陷,外延层的晶格还存在有扭曲以及大量的应力。对CdTe衬底材料的分析表明:外延层中的上述缺陷与CdTe衬底有一一对应关系。外延层与CdTe衬底的对比分析还表明:除CdTe衬底外,外延生长工艺对外延层质量也有很大影响。
王跃汤志杰庄维莎何景福
关键词:红外探测器液相外延
碲镉汞液相外延薄膜的应力研究被引量:3
1992年
用X射线衍射方法对液相外延(LPE)技术生长的碲镉汞(MCT)外延薄膜和CdTe衬底进行了观察与分析。研究表明:MCT薄膜中存在着不同程度的应力,主要表现为晶格的扭曲(300″~1200″范围),这种扭曲致使外延膜双晶回摆曲线宽化,宽化值为100″~150″,外延膜的晶格扭曲与CdTe衬底的不完整性有对应关系。研究还表明:LPE的生长条件对外延膜中的晶格扭曲也有较大影响。本文还讨论了CdTe衬底晶格扭曲形成的因素并探究了减少外延膜晶格扭曲的方法。
王跃蔡毅何永成汤志杰孙建坤庄维莎
关键词:液相碲镉汞晶格应力
MCT液相外延薄膜的生长和特性被引量:2
1991年
用开管水平液相外延系统从富Te溶剂中生长了不同x值的MCT薄膜。经X射线衍射、Hall电学参数、红外光谱、扫描电镜、X射线能谱仪和电子通道花样分析测试,结果表明:外延薄膜表面平整,光学参数较好,纵向、横向组份均匀,晶体结构完整,电学参数较好,外延膜质量优良。短波材料(n型):载流子浓度3.54×10^(14)cm^(-3),迁移率1.63×10~4cm^2V^(-1)s^(-1);中波材料(n型):载流子浓度9.95×10^(14)cm^(-3),迁移率为1.76×10~4cm^2V^(-1)s^(-1);原生长波材料(n型):载流子浓度为2.15×10^(15)cm^(-3),迁移率2.00×10~4cm^2V^(-1)s^(-1)。
王跃汤志杰庄维莎何景福
关键词:液相外延薄膜生长碲镉汞
MCT液相外延薄膜的研制被引量:1
1991年
用开管水平卧式液相外延系统在不同生长条件下生长了不同 x 值的MCT 液相外延薄膜。通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有较大改善,残留母液大为减少;外延薄膜的结构参数、电学参数和光学参数均有较大改善和提高。分析表明外延膜有较高的质量。短波材料和中波材料均已作出性能较高的器件。
王跃汤志杰庄维莎何景福
关键词:HGCDTE液相外延红外材料
液相外延MCT薄膜表面形貌观察及与组分的关系
1990年
用扫描电子显微镜对滑块式液相外延技术生长的MCT外延薄膜表面形貌进行了观察,并用能谱仪对其表面组分进行了分析.研究结果表明:除衬底情况、生长条件以及生长系统外、外延薄膜表面组分与其表面形貌也有一定的关系.本文较详细地报道了MCT外延膜表面形貌观察结果,并初步讨论了表面组分对表面形貌可能的影响.
王跃汤志杰庄维莎何景福
关键词:液相外延碲镉汞薄膜表面形貌
共1页<1>
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