王雯
- 作品数：3 被引量：15H指数：2
- 供职机构：中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术更多>>
- Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究被引量：3
- 2014年
- 针对InSb红外焦平面芯片中InSb与Si读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象,开展了Si基InSb红外焦平面探测器(FPA)的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术对芯片背面进行精确减薄,得到厚度为15μm的InSb芯片;研究了在InSb芯片和Si片上溅射及蒸发减反膜工艺,得到InSb芯片和Si片粘贴后红外中短波光谱的透过率高达88%;对器件的整体工艺路线进行了探索,最终制备出Si基128×128元InSb红外焦平面探测器器件,测试结果表明:器件探测率、响应率及串音等性能指标达到传统工艺制备的器件性能指标;经温冲试验后测试器件结构保持完好,性能未发生变化,证明该工艺路线可解决芯片受应力冲击而产生的铟柱断裂及芯片龟裂的现象,可有效提高InSb焦平面探测器芯片的成品率。
- 王雯张小雷吕衍秋司俊杰
- 关键词：INSB红外焦平面
- InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器被引量：11
- 2019年
- InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器。首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料。采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77 K下中波二极管的RA值达到13.6 kΩ·cm^2,短波达到538 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm。双色峰值探测率达到中波3.7×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上,短波2.2×10^11cm·Hz^1/2W^-1以上。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。
- 朱旭波彭震宇彭震宇何英杰姚官生何英杰姚官生丁嘉欣陶飞张亮丁嘉欣李墨
- 关键词：INAS/GASB超晶格中短波焦平面阵列
- InAs/InAsSb超晶格红外中/中波双色焦平面探测器研制被引量：1
- 2022年
- 超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。双波段红外探测器能够通过对比两个波段内的光谱信息差异,对复杂的背景进行抑制,提高探测效果,在需求中尤为重要。本文开展了InAs/InAsSb超晶格中/中双色焦平面探测器设计及制备技术研究,从器件设计、材料外延、芯片加工等方面展开研究,制备了中心距30μm的320×256 InAs/InAsSb二类超晶格中/中波双色焦平面探测器。器件短中波峰值探测率达到7.2×10^(11)cm·Hz^(1/2)W^(-1),中波峰值探测率为6.7×10^(11)cm·Hz^(1/2)W^(-1),短中波有效像元率为99.51%,中波为99.13%,获得了高质量的成像效果,实现中中双色探测。
- 何英杰彭震宇彭震宇朱旭波李墨朱旭波丁嘉欣李墨张利学陶飞吕衍秋
- 关键词：焦平面红外探测器
