吕衍秋
- 作品数：87 被引量：138H指数：7
- 供职机构：中国空空导弹研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国航空科学基金航天科技创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信兵器科学与技术金属学及工艺理学更多>>
- 一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法
- 本发明涉及一种多台阶微透镜制作方法以及光学元件台阶制作方法，该方法通过仅有的一次掩膜光刻形成微透镜最内层环带，然后通过负性光刻胶背面曝光显影用作掩膜层，再经腐蚀、背面曝光显影，刻蚀形成基底的图形，然后进行循环得到按次序从...
- 侯治锦司俊杰韩德宽陈洪许吕衍秋丁嘉欣张向锋姚官生王理文杨雪峰耿东锋
- 文献传递
- ZnS／聚酰亚胺双层钝化InGaAs台面线列探测器的研究
- InGaAs探测器由于在短波红外波段可以室温工作,并且探测率高于HgCdTe,在国外已经用于卫星遥感。InGaAs线列和面阵焦平面多采用背照射Zn扩散平面结探测器,但是存在扩散工艺复杂和光敏面扩大等问题。InGaAs台面...
- 吕衍秋韩冰唐恒敬吴小利孔令才李雪龚海梅
- 文献传递
- 320×256 InAs/GaSb超晶格中/短波双色探测器组件研制被引量：2
- 2020年
- InAs/GaSb超晶格材料制备的新型红外器件在最近十几年得到了迅速发展。文中开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器组件研制,设计了中/短波双色叠层背靠背二极管芯片结构,用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器组件,对探测器组件进行了测试分析。结果显示,在77 K下中波二极管RA值达到26.0 kΩ·cm^2,短波的RA值为562 kΩ·cm^2。光谱响应特性表明短波响应波段为1.7~3μm,中波为3~5μm,满足设计要求。双色峰值探测率达到中波3.12×10^11cm·Hz1/2W^-1,短波1.34×10^11cm·Hz1/2W^-1。响应非均匀性中波为9.9%,短波为9.7%。中波有效像元率为98.46%,短波为98.06%。
- 吕衍秋彭震宇彭震宇何英杰李墨何英杰朱旭波
- 关键词：INAS/GASB超晶格中短波焦平面阵列红外探测器
- LBIC技术研究平面结与台面结InGaAs探测器
- 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs) 焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器的有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流...
- 张可锋吴小利唐恒敬吕衍秋乔辉贾嘉李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器
- 文献传递
- 高精度多台阶微透镜阵列的制作方法
- 本发明涉及一种高精度多台阶微透镜阵列的制作方法,该方法首先在基底上等间隔制作出初始深度的台阶；然后再在各初始深度的台阶上、以及各台阶之间的间隔上，进行刻蚀，形成设定深度的台阶，本方法不但对操作者和操作设备的制作精度要求相...
- 侯治锦司俊杰陈洪许吕衍秋王巍韩德宽
- 文献传递
- 微波反射光电导衰减法测量InGaAs吸收层的均匀性被引量：1
- 2006年
- 外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要。用微波反射光电导衰减法(-μPCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础。在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致。寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小。-μPCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要。
- 吕衍秋王妮丽庄春泉韩冰李向阳龚海梅
- 关键词：均匀性INGAAS载流子寿命焦平面阵列
- 航天遥感用InGaAs线列红外焦平面的研究
- 由于InGaAs短波红外探测器具有可以室温工作、探测率高等优点，InGaAs线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。为了满足我国下一代航天遥感用短波红外探测器及线列焦平面的迫切需求，本论文主要对InGaAs台面线列探测...
- 吕衍秋
- 关键词：铟镓砷红外焦平面空间遥感
- 高工作温度InAlSb红外探测器的研究进展被引量：5
- 2016年
- 概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来提高探测器的工作温度。近年来,基于传统InSb探测器的成熟工艺与技术,InAlSb探测器的性能得到了不断提升。该研究对红外制导、预警等军事领域具有重要的研究意义和应用价值。
- 陈刚孙维国吕衍秋
- 关键词：红外探测器分子束外延
- InAlSb红外光电二极管性能研究被引量：1
- 2017年
- 在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。
- 朱旭波李墨陈刚张利学曹先存吕衍秋
- 关键词：INSB钝化红外探测器
- 一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化方法
- 本发明涉及一种GaN基PIN型紫外探测器表面钝化的方法，其过程如下：先清洗GaN基样片并生长好干法刻蚀阻挡层，然后涂光刻胶，光刻并腐蚀阻挡层至露出需要干法刻蚀的区域，并去除光刻胶；再对样片用干法刻蚀进行刻蚀，要求刻蚀深度...
- 张向锋吕衍秋成彩晶张亮丁嘉欣鲁正雄孙维国
