李鹏
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：合肥工业大学仪器科学与光电工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管被引量：5
- 2013年
- 分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。在PVP上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒尺寸则分别在200~400 nm和400~600 nm。大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度,从而有效地提高电学性能。PVP绝缘层采用聚苯乙烯/氯硅烷和HMDS修饰后,与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58倍和82倍。采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT,并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-9A,电流的开关比超过104,最大场效应迁移率约可达0.338 cm2·V-1·s-1.
- 林广庆李鹏熊贤风熊贤风吕国强王晓鸿
- 关键词：并五苯
- 平行双关节坐标测量机数据处理系统的设计
- 2015年
- 数据处理系统对坐标测量机来说是很关键的,结合整个测量机的特点该系统设计了具有力反馈系统并结合伺服电机控制器来控制坐标测量机的运行,一种基于FPGA的数据采集、基于labview的上位机设计。
- 李鹏
- 关键词：坐标测量机控制系统信号处理
- 表面修饰制备高性能薄膜晶体管被引量：6
- 2013年
- 应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管。原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响。在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm。大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能。表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过106,最大场效应迁移率约可达1.23cm2.V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8cm2.V-1·s-1。
- 林广庆李鹏王明晖冯翔张俊熊贤风邱龙臻吕国强
- 关键词：有机薄膜晶体管电性能
