熊贤风
- 作品数：11 被引量：20H指数：4
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 聚合网络的锚定作用对聚合物稳定胆甾相液晶光电性能的影响被引量：4
- 2013年
- 采用紫外光聚合诱导相分离法(PIPS)制备了聚合物稳定胆甾相液晶,通过控制聚合时间,调节聚合物网络与液晶分子之间的相互作用,从而改善PSCT的光电性能。结果表明:延长聚合时间,提高反应程度,从而增强聚合物网络对液晶分子的锚定力,而对聚合物网络形貌的影响较小。在正模式聚合物稳定胆甾相液晶中,聚合物网络垂直于基板排列,有利于形成场致向列相,锚定作用强,阈值和饱和电压小,关态透过率高,对比度低,响应速度慢.迟滞宽度大。
- 张俊宋志刚熊贤风牛红林陆红波吕国强
- 关键词：光电性能
- 一种能自调节透射率的低功耗电控液晶光阀装置
- 本发明公开了一种能自调节透射率的低功耗电控液晶光阀装置，包括有光传感器、控制电路和液晶光阀，液晶光阀包括有两层透明基板和一层液晶层，自上而下依次为第一透明基板、液晶层和第二透明基板，液晶层包括有单体、手性剂和向列相液晶，...
- 陆红波张俊宋志刚王明晖林广庆熊贤风邱龙臻
- 文献传递
- 一种用于投影显示的大尺寸显示屏幕的制备方法
- 本发明公开了一种用于投影显示的大尺寸显示屏幕的制备方法，包括如下步骤：选择一系列小尺寸液晶光阀，将每块小尺寸液晶光阀的两个相邻边沿边框胶边缘切割，并在其切口处涂抹上一层固化胶；将一系列切割好的小尺寸液晶光阀的切口拼接在一...
- 陆红波宋志刚张俊王明晖林广庆熊贤风邱龙臻
- 文献传递
- 物理气相薄膜沉积工艺中控制薄膜沉积速率的模型补偿方法
- 本发明公开了一种物理气相薄膜沉积工艺中控制薄膜沉积速率的模型补偿方法，其特征是基于离线测量建立沉积速率与靶材消耗量的关系模型，利用所述关系模型对薄膜沉积工艺中的包括电功率在内的工艺控制参数进行补偿，实现不同批次产品间相对...
- 王向华吕国强熊贤风
- 基于聚(4-乙烯基苯酚)衬底修饰层喷墨打印的小分子有机半导体薄膜制备和表征被引量：5
- 2014年
- 采用旋涂法预先在SiO2衬底表面形成一层聚(4-乙烯基苯酚)(PVP)作为表面修饰层,以喷墨打印的6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯(TIPS并五苯)作为有源层制作有机薄膜晶体管,有效改善了有机半导体薄膜的形貌。采用真空热蒸镀工艺制备源漏电极,形成底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管(OTFT)器件。作为对比,在未经过表面修饰的SiO2衬底上采用相同条件打印TIPS并五苯薄膜晶体管,发现在经过PVP修饰的SiO2衬底上打印的单点厚度更均匀,咖啡环效应被抑制或被消除;而通过多点交叠打印形成的矩形薄膜的晶粒尺寸更大,相应的OTFT器件具有更高的场效应迁移率。在有PVP修饰层的衬底上制作的OTFT,器件在饱和区的平均场效应迁移率达到了0.065 cm2·V-1·s-1;而直接在SiO2衬底上制作的器件,相应的平均场效应迁移率仅为0.02 cm2·V-1·s-1。
- 熊贤风元淼林广庆王向华吕国强
- 关键词：有机半导体有机薄膜晶体管喷墨打印表面修饰
- 表面修饰制备高性能薄膜晶体管被引量：6
- 2013年
- 应用聚苯乙烯/氯硅烷复合材料作为栅绝缘层的界面修饰层制备了高性能的并五苯场效应晶体管。原子力显微镜观察发现,界面修饰对并五苯半导体薄膜的生长形貌产生了很大影响。在空白二氧化硅上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150nm,而在修饰过后二氧化硅的表面生长的并五苯晶粒尺寸多在200～400nm。大的晶粒尺寸能够减小晶粒间的界面,从而有效提高电学性能。表面改性的并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-10 A,电流的开关比超过106,最大场效应迁移率约可达1.23cm2.V-1·s-1,而未处理的晶体管的场效应迁移率仅有0.011 8cm2.V-1·s-1。
- 林广庆李鹏王明晖冯翔张俊熊贤风邱龙臻吕国强
- 关键词：有机薄膜晶体管电性能
- 绝缘衬底表面修饰在喷墨打印有机薄膜晶体管中的应用
- 喷墨打印技术由于其工艺简单、非接触式、可直接图案化等优点，引起了人们的广泛关注。而基于喷墨打印技术的有机薄膜晶体管在低成本的电子制造领域已成为研究的热点。本课题的目的是采用喷墨打印的方法沉积有源层薄膜，通过优化的工艺条件...
- 熊贤风
- 关键词：喷墨打印技术有机薄膜晶体管
- 文献传递
- 不同表面修饰制备高性能柔性薄膜晶体管被引量：5
- 2013年
- 分别采用六甲基二硅胺(HMDS,Hexamethyldisilazane)和聚苯乙烯/氯硅烷复合材料修饰聚乙烯基苯酚(PVP)绝缘层制备了底接触的有机薄膜晶体管并研究了其半导体层的表面形貌和器件的电学性能。原子力显微镜观察发现,并五苯半导体薄膜在不同的界面修饰上的生长形貌产生了很大变化。在PVP上沉积的并五苯晶粒尺寸都小于150 nm,经过聚苯乙烯/氯硅烷复合材料和HMDS处理后的PVP表面生长的并五苯晶粒尺寸则分别在200~400 nm和400~600 nm。大尺寸的晶粒能够减小器件沟道内的陷阱浓度,从而有效地提高电学性能。PVP绝缘层采用聚苯乙烯/氯硅烷和HMDS修饰后,与未修饰的器件相比迁移率分别提高了58倍和82倍。采用HMDS作为表面修饰层制备柔性OTFT,并五苯场效应晶体管的关态电流约为10-9A,电流的开关比超过104,最大场效应迁移率约可达0.338 cm2·V-1·s-1.
- 林广庆李鹏熊贤风熊贤风吕国强王晓鸿
- 关键词：并五苯
- 一种用于投影显示的大尺寸显示屏幕的制备方法
- 本发明公开了一种用于投影显示的大尺寸显示屏幕的制备方法，包括如下步骤：选择一系列小尺寸液晶光阀，将每块小尺寸液晶光阀的两个相邻边沿边框胶边缘切割，并在其切口处涂抹上一层固化胶；将一系列切割好的小尺寸液晶光阀的切口拼接在一...
- 陆红波宋志刚张俊王明晖林广庆熊贤风邱龙臻
- 文献传递
- 2,7-二癸基-[1]苯并噻吩[3,2-b][1]-苯并噻吩的制备及性能研究被引量：2
- 2014年
- 以邻氯苯甲醛、NaHS·xH2O、癸酰氯为原料,经消去、酰化,还原反应合成2,7-二癸基二苯并二噻吩(C10-BTBT)。通过核磁共振表征和确证。本文研究了C10-BTBT光学性能、热学性能、电学性能以及环境稳定性。紫外-荧光光谱研究证明,化合物在近紫外光激发下发出明亮的蓝光,发射中心波长在352nm。液晶相的相转变温度通过差热扫描仪测定,测量结果为熔点Tcp=112℃,清亮点Tmp=125℃。通过喷墨打印技术制备了底栅顶接触结构的2,7-二癸基二苯并二噻吩的OTFT器件,场效应平均迁移率达到0.1cm2/V·s,最大迁移率达到0.25cm2/V·s,开关比超过104。放置空气中不同时间,器件开态电流和开关比没有较大变化。
- 彭锐陈梦婕熊贤风王迎邱龙臻
- 关键词：有机薄膜晶体管苯并噻吩迁移率
