朱俊
- 作品数：24 被引量：11H指数：2
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学机械工程更多>>
- CIGS双梯度带隙吸收层的制备
- CuInGaSe(CIGS)薄膜太阳电池由于具有高的转换效率、低的制造成本以及性能稳定而被国际上称为下一代最有前途的廉价太阳电池之一,有望成为未来光伏电池的主流产品。CIGS是一种四元化合物半导体薄膜,其光学带隙可以根据...
- 齐彬彬秦艳丽王延来朱俊崔立源朱成军丁铁柱
- 文献传递
- 硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响（英文）
- 2015年
- 磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明：硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42-1.55eV之间。
- 王利刚王延来姚伟朱俊徐金刚
- 关键词：硫化时间光电特性
- 光子晶体中紫外波段的异常透射
- 2023年
- 采用时域有限差分法(FDTD)对三种不同材料(金属Al、半导体Ga_(2)O_(3)和绝缘体SiO_(2))的矩型结构光子晶体进行了模拟计算,研究空气柱孔径变化对光子晶体光学传输特性及带隙宽度的影响。数值计算结果表明,晶格常数不变,空气柱孔径增大时,三种材料光子晶体在紫外光区及可见光区的透过率增大,反射率减小。Al光子晶体的孔径增大时,可见光区禁带宽度减小;Ga_(2)O_(3)光子晶体孔径增大时,禁带宽度增大;SiO2的TE模和TM模光子禁带较宽,孔径增大,禁带宽度亦增大。三种材料光子晶体带隙的波长范围几乎都处于可见光波段,进入紫外光波段的波长范围很短。
- 冯磊朱俊安民哈斯花张海
- 关键词：光子晶体时域有限差分法光学传输特性光子禁带
- 民族地区工科院校大学物理课程思政的探索被引量：3
- 2021年
- 本文提出有关民族地区工科院校大学物理课程思政的基本研究方法即二位一体式融合教育。注重内外结合,寓思政元素于大学物理教学内容,同时挖掘大学物理自身蕴含的思政资源,将立德树人理念厚植于工科生的课内课外生活,通过大量实例进行家国情怀感染和榜样宣传,帮助民族地区学生掌握物理常识并树立科学世界观。注重实证互证,按月进行学情调查,进行大数据分析和数学建模,通过图表形式展现并跟进学生的思政心理和思政表现,形成师生之间闭环式大学物理课堂思政教学模式,促进教学相长,进而逐渐形成长效和可推广的大学物理课程思政教学范式,与其他课程思政教学同向同行。
- 哈斯花朱俊
- 关键词：民族地区工科院校大学物理
- 应变纤锌矿量子阱中的电子态
- 近些年，应变纤锌矿半导体及其低维结构材料广泛应用于现代照明和太赫兹通信领域，成为制备新一代电子和光电子器件的重要材料。该体系中的电子态与材料的发光和光伏性质密切相关，是理论和实验研究的热点问题之一。本论文主要从理论上研究...
- 朱俊
- 关键词：电子态量子阱结构极化子效应
- 后现代课程论的困境及可能性
- 2016年
- 本文从后现代文化及后现代文化者个人发展的困境探讨后现代课程之发展困境,其中特别分析了后现代课程观之集大成者多尔,并试图指出走出这一困境的可能之路。
- 康敏朱俊
- 关键词：后现代文化后现代课程观
- 外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态被引量：2
- 2010年
- 考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空穴的本征基态能和相应本征波函数。计算结果表明:沿量子阱生长方向所施加的外加电场将抵消阱中内建电场的作用,阱结构的弯曲程度略显平缓,使电子(空穴)本征波函数逆(顺)着外电场方向移动,且均向阱中心移动,波峰峰值增加,隧穿几率减小;在固定外电场情况下,电子与空穴基态能级随阱宽的增加而减小,随掺杂组分的增加而增加,表明外加电场对内建电场有所削弱以及量子限制作用对电子(空穴)基态能有显著的影响。
- 郭海峰哈斯花朱俊
- 关键词：定态薛定谔方程内建电场本征态
- 集成电路虚拟仿真实验教学平台的设计
- 2024年
- 阐述针对集成电路实践课程教学中的问题及原因,从选题内容、层次设计、平台建设和学生考核方面,提出集成电路虚拟仿真实验教学平台建设的实施细则。并注重集成电路设计环节,引入翻转课堂模式,与工程实训进行虚实互补,借助马赛克成绩分布图考察学习过程和实验细节,深化集成电路相关实践课程的教学改革。
- 朱俊樊国梁王延来李天天
- 关键词：集成电路实验教学平台
- 应变GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中电子的跃迁能量被引量：1
- 2011年
- 考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。
- 郭海峰哈斯花朱俊
- 关键词：定态薛定谔方程内建电场AL组分跃迁
- GaAs／AlzGa1-zAs对称耦合双量子阱中激子结合能的压力效应
- @@引言： 随着新实验现象(如：激子凝聚等[1])和新型光电子器件(如：半导体级联激光器[2,3]等)应用研究的发展，耦合双量子阱系统受到普遍的关注．此外，在压力作用下，半导体中原子间距会发生变化，使得材料能带结构[4]...
- 朱俊班士良
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