王延来
- 作品数：27 被引量：14H指数：3
- 供职机构：内蒙古大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：内蒙古自治区自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 超声电沉积制备Cu-In合金膜
- 采用超声电沉积方法在钼基底上制备了Cu/In双层膜,经过随后的热处理得到了致密的Cu-In合金薄膜.用SEM分析了超声对表面形貌的影响,用XRD研究了薄膜的相组成。结果表明:采用不同的电沉积工艺参数可以调节合金膜的Cu/...
- 王延来聂洪波倪沛然果世驹尚升杨永刚赵明
- 关键词：表面形貌
- 文献传递
- CIGS双梯度带隙吸收层的制备
- CuInGaSe(CIGS)薄膜太阳电池由于具有高的转换效率、低的制造成本以及性能稳定而被国际上称为下一代最有前途的廉价太阳电池之一,有望成为未来光伏电池的主流产品。CIGS是一种四元化合物半导体薄膜,其光学带隙可以根据...
- 齐彬彬秦艳丽王延来朱俊崔立源朱成军丁铁柱
- 文献传递
- 一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池富铟光吸收层的方法
- 一种制备CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜太阳能电池富In光吸收层的方法，涉及半导体CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜的制备。本方法采用采用涂敷-烧结工艺，选用Cu-In合金、硒化铟和Se粉作为原料，按照Cu...
- 果世驹聂洪波王延来王义民杨霞
- 文献传递
- CuInSe<Sub>2</Sub>半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺
- 一种CuInSe<Sub>2</Sub>半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺，按照CuInSe<Sub>2</Sub>的化学计量比混合化学纯度的Cu粒和In粒，压制成压坯，封存在真空度1×10<Sup>－3</Sup>P...
- 果世驹聂洪波王延来杨永刚
- 文献传递
- CuIn0.75Ga0.25(Se1-ySy)2薄膜电子结构及光学特性
- 利用基于密度泛函理论平面波超软赝势方法和广义梯度近似,计算了S/(Se+S)分子计量比分别为25％,50％和75％的CuIno.75Ga0.25(Se1-y,Sy)2 (CIGSS)薄膜的能带结构、光学特性和电学特性.结...
- 崔立源秦艳丽王延来朱俊齐彬彬丁铁柱
- 关键词：第一性原理硫化
- 硒化Cu,In双层膜制备CuInSe_2薄膜被引量：1
- 2011年
- 采用超声波电沉积方法在钼衬底上制备了Cu,In双层膜,随后硒化得到了CuInAe_2薄膜。采用扫描电镜(AEM)、能谱仪(EDA)和X射线衍射仪(XRD)研究了薄膜的表面形貌、化学成分和相组成。结果表明:利用超声波电沉积可以得到颗粒细小、均匀致密的Cu层和In层;采用不同的工艺参数可以调节双层膜的Cu/In比率;双层膜在130℃下,退火6h后进行硒化,可得到符合化学计量比的CuInAe_2薄膜。
- 王延来果世驹
- CuInS_2薄膜的制备及光学特性被引量：2
- 2011年
- 真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1∶0.1∶1.2。用x(Cu)∶x(In)∶x(S)=1∶0.1∶1.2原子比混合沉积的薄膜,经400℃热处理20min后,得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿[112]晶向择优生长,平均晶粒尺寸为38.06nm;薄膜表面致密平整,厚度为454.8nm,表面粗糙度为13nm;薄膜中元素的化学计量比为1∶0.9∶1.5,光学吸收系数达105cm-1,直接光学带隙1.42eV。
- 谢俊叶李健王延来
- 关键词：光学特性
- 一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池富铟光吸收层的方法
- 一种制备CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜太阳能电池富In光吸收层的方法，涉及半导体CuInSe<Sub>2</Sub>薄膜的制备。本方法采用涂敷－烧结工艺，选用Cu－In合金、硒化铟和Se粉作为原料，按照Cu∶I...
- 果世驹聂洪波王延来王义民杨霞
- 文献传递
- Cu-In合金的制备和表征被引量：4
- 2008年
- 使用感应熔炼法制备Cu-In合金,并尝试使用单辊甩带法制备连续均匀的Cu-In合金薄带,利用XRD,SEM和EDS对制得的Cu-In合金进行表征。结果表明:Cu-In合金凝固过程存在偏析现象,合金内部呈现出不连续的富Cu区域和连续的富In区域,并且在富In区域中心部位存在着许多细小裂纹,单质In仅存在于裂纹周围。感应熔炼的Cu-In合金具有Cu11In9和In混合物相结构,它为研究CuInSe2薄膜太阳电池提供了一种新材料;但使用单辊甩带法无法制备In含量为55%(摩尔分数)的连续均匀Cu-In合金薄带。
- 聂洪波王延来果世驹杨永刚王璐鹏
- 集成电路虚拟仿真实验教学平台的设计
- 2024年
- 阐述针对集成电路实践课程教学中的问题及原因,从选题内容、层次设计、平台建设和学生考核方面,提出集成电路虚拟仿真实验教学平台建设的实施细则。并注重集成电路设计环节,引入翻转课堂模式,与工程实训进行虚实互补,借助马赛克成绩分布图考察学习过程和实验细节,深化集成电路相关实践课程的教学改革。
- 朱俊樊国梁王延来李天天
- 关键词：集成电路实验教学平台
