张砚华
- 作品数：23 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法
- 一种具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置，用于观察稀磁半导体材料中由于磁性离子引进的杂质和缺陷深能级与外加磁场相互作用信息，其特征在于，包括：一永久磁铁，该永久磁铁为圆柱形；一底板，该底板置于永久磁铁的下方；两块防护板，该...
- 卢励吾张砚华葛惟昆
- 文献传递
- 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法
- 本发明涉及半导体材料测试技术领域，特别是一种具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法。样品台装置，包括：样品1、样品台2、聚四氟乙烯片D、永久磁铁C、防护罩A和无氧紫铜块B。测量方法包括：在半导体材料深能级测量过...
- 卢励吾张砚华葛惟昆
- 文献传递
- 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法
- 本发明涉及半导体材料测试技术领域，特别是一种具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法。样品台装置，包括：样品1、样品台2、聚四氟乙烯片D、永久磁铁C、防护罩A和无氧紫铜块B。测量方法包括：在半导体材料深能级测量过...
- 卢励吾张砚华葛惟昆
- 文献传递
- 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响
- 本文主要研究了分子束外延(MBE)生长的应变In<,0.2>Ge<,0.8>As/GaAs折射率梯度变化,异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.
- 张砚华卢励吾
- 关键词：分子束外延生长
- 文献传递
- 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响被引量：1
- 2002年
- 研究分子束外延 (MBE)生长的应变In0 .2 Ga0 .8As GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理 (RTA)效应 .结果表明 ,RTA移除了InGaAs GaAs界面非辐射中心 ,提高 77K光致发光效率和有源层电子发射 .同时Al和Ga原子互扩散 ,也增加了AlGaAs波导层DX中心浓度 .RTA处理后样品电流冲击老化实验证明DX中心浓度呈现出相应的增加 .这表明DX中心可能是激光二极管性能退化的原因之一 .
- 卢励吾张砚华徐遵图徐仲英王占国J.WangWeikunGe
- 关键词：电子发射DX中心激光二极管RTAINGAAS/GAAS砷化镓
- 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别被引量：1
- 2002年
- 应用深能级瞬态谱 (DLTS)技术研究分子束外延 (MBE)生长的highelectronmobilitytransistors (HEMT)和Pseudo morphichighelectronmobilitytransistors (P HEMT)结构深中心行为 .样品的DLTS谱表明 ,在HEMT和P HEMT结构的n AlGaAs层里存在着较大浓度 (10 1 5- 10 1 7cm- 3 )和俘获截面 (10 - 1 6cm2 )的近禁带中部电子陷阱 .它们可能与AlGaAs层的氧含量有关 .同时还观察到P HEMT结构晶格不匹配的AlGaAs InGaAs GaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心 (与硅有关 )能级位置的有序移动 .其移动量可作为应力大小的一个判据 ,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具 .
- 卢励吾张砚华J.WangWeikunGe
- 关键词：分子束外延生长高电子迁移率功能材料深能级瞬态谱光电器件
- 带有外加磁场的深能级测量样品架装置
- 一种带有外加磁场的深能级测量样品架装置，其特征在于，其中包括：一个磁铁架，该磁铁架为矩形，在该磁铁架的中间开有一圆形凹槽；一磁铁座，该磁铁座为矩形，该磁铁座的长度和厚度均大于磁铁架，在该磁铁座的上面开有四个圆孔；该磁铁架...
- 卢励吾张砚华葛惟昆
- 文献传递
- 变温的高阻半导体材料光电测试装置
- 一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其中包括:一真空腔,该真空腔为圆柱体,该真空腔内为真空室;一真空室上罩,该真空室上罩罩扣于真空腔的上面;一真空室底盘,该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面,该真空室底盘的中间有一通孔...
- 张砚华卢励吾樊志军
- 文献传递
- RTA对SI-GaAs的深中心的影响
- 徐寿定张砚华
- 关键词：砷化镓晶体
- 大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
- 1999年
- 利用电流电压（ Ｉ Ｖ）、电致发光（ Ｅ Ｌ）和深能级瞬态傅里叶谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ）技术研究ⅢⅤ族氮化物基异质结深电子态．观察到大电流（直流）冲击引起电流电压和电致发光特性的弛豫． Ｄ Ｌ Ｔ Ｆ Ｓ研究表明，电流冲击之前，样品存在一个位于导带下 １１ｅ Ｖ 处深能级（ Ｅ１），它具有 ２７×１０１３ ｃｍ － ３ 浓度和 ５×１０－ １４ ｃｍ ２ 俘获截面．经电流冲击（７７ Ｋ，２００ｍ Ａ 和 ４０ｍ ｉｎ）后， Ｅ１ 浓度为４２１×１０１３ｃｍ － ３ ，约增加了 ２ 倍．实验结果表明 Ｅ１ 浓度的增加与样品 Ｉ Ｖ、 Ｅ Ｌ
- 卢励吾张砚华GeWeikunW.Y.HoCharlesSuryaK.Y.Tongc
- 关键词：化合物半导体氮化物
