安欣
- 作品数：17 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 可调谐电吸收调制激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，...
- 周代兵安欣贺卫利梁松赵玲娟王圩
- 用于气体传感系统的InGaAs-InGaAsP量子阱分布反馈激光器
- 近年来波长范围在1.6-2.1μm的近红外激光器引起了人们的广泛兴趣[1],工作于此波段的激光器因其发射波长与很多环境以及工业气体的吸收谱线相一致,可用作气体传感的光源,在环境污染和有毒气体检测,医药分析,工农业生产,健...
- 潘教青于红艳袁丽君王宝军周代兵边静安欣王圩
- 端面反射对SG-DBR激光器性能的影响
- 2010年
- 通过传输矩阵模型,理论研究了不同端面反射的存在对取样光栅分布Bragg反射(SG-DBR)镜以及集成半导体放大器(SOA)的SG-DBR镜反射谱的影响,进而研究了端面反射的存在对SG-DBR激光器以及集成SOA的激光器模式的影响,结果表明,端面反射的存在会使取样光栅的各级反射峰由1个分裂为2个甚至多个,并可能使边峰的强度高过零级峰,这将会严重恶化SG-DBR激光器及其集成SOA的激光器模式特性和调谐特性。理论分析与实验结果基本吻合。当端面的反射率小于0.01时,端面反射对于SG-DBR激光器的影响可以忽略不计。
- 刘扬潘教青王宝军边静安欣赵玲娟
- 关键词：可调谐激光器单片集成传输矩阵
- 半导体激光器湿法腐蚀方法及其装置
- 本公开提供一种半导体激光器湿法腐蚀方法，涉及半导体光电子集成器件领域，包括：在烧杯中配置腐蚀液；将烧杯放入控温水槽中，以控制腐蚀温度；将超波发生器放入控温水槽中，用于产生超声振动；在预设腐蚀温度下，将待腐蚀的半导体激光器...
- 安欣周代兵贺卫利陆丹梁松赵玲娟
- 电吸收调制激光器及其制备方法
- 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，涉及半导体光电子集成器件领域，其包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为依次相邻的第一区域、第二区域和第三区域；相移光栅，形成与有源层的第二区域上；其中，第一区域的有...
- 周代兵安欣贺卫利陆丹梁松赵玲娟
- 电吸收调制激光器及其制备方法
- 本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层...
- 周代兵贺卫利安欣梁松赵玲娟
- 双端面可调谐激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种双端面可调谐激光器及其制备方法。本发明提出的双端面可调谐激光器，包括：位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，光栅区位于InP衬底中段，两个相位区位于光栅区两侧，两个增益区分别位于两个相位区...
- 周代兵安欣陆丹梁松赵玲娟王圩
- 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
- 2006年
- 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.
- 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩
- 关键词：超低压
- 端面反射对于取样光栅分布布拉格反射激光器及其集成器件性能的影响
- 本文通过传输矩阵模型，理论计算了不同端面反射的存在对于取样光栅分布布拉格反射镜以及集成SOA的取样光栅分布布拉格反射镜反射谱的影响，进而研究了端面反射的存在对于取样光栅分布布拉格反射激光器以及集成SOA的取样光栅分布布拉...
- 刘扬潘教青王宝军边静安欣赵玲娟
- 关键词：可调激光器波长控制传输矩阵
- 文献传递
- 25Gb/s单片集成电吸收调制分布反馈激光器
- 采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP 多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s 的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.集成器件激射波长为1549 nm,阈值电流18 mA,在100 mA 直流电流下出光功率...
- 周代兵边静安欣王宝军张瑞康赵玲娟吉晨王圩
- 关键词：分布反馈激光器电吸收调制器
