边静
- 作品数：46 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器的研究
- 本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB...
- 王路谢红云赵玲娟潘教青周帆边静王鲁峰朱洪亮王圩
- 关键词：分布反馈激光器微波信号集成器
- 文献传递
- 端面反射对于取样光栅分布布拉格反射激光器及其集成器件性能的影响
- 本文通过传输矩阵模型，理论计算了不同端面反射的存在对于取样光栅分布布拉格反射镜以及集成SOA的取样光栅分布布拉格反射镜反射谱的影响，进而研究了端面反射的存在对于取样光栅分布布拉格反射激光器以及集成SOA的取样光栅分布布拉...
- 刘扬潘教青王宝军边静安欣赵玲娟
- 关键词：可调激光器波长控制传输矩阵
- 文献传递
- 半导体激光器安装对准和校准的方法
- 一种半导体激光器安装对准的方法，包括如下步骤：把烧结上激光器管芯的TO管壳固定在支架上，TO管壳的底平面贴紧支架以保证TO管壳的中心轴方向为y方向；用一支准直的可见光激光器以与y方向成θ角的方向，照射在半导体激光器芯片的...
- 赵玲娟边静王圩朱洪亮
- 文献传递
- 分布反馈式激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种分布反馈式激光器及其制备方法。该分布反馈式激光器包括：N型GaAs衬底；以及依次沉积于N型GaAs衬底上的N型GaAs缓冲层、N型AlGaAs下限制层、有源区、P型AlGaAs上限制层。其中，P型AlGa...
- 王火雷米俊萍于红艳丁颖王宝军边静王圩潘教青
- 文献传递
- 25Gb/s单片集成电吸收调制分布反馈激光器
- 采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP 多量子阱有源层,制备出带宽为25 Gb/s 的单片集成电吸收调制分布反馈激光器.集成器件激射波长为1549 nm,阈值电流18 mA,在100 mA 直流电流下出光功率...
- 周代兵边静安欣王宝军张瑞康赵玲娟吉晨王圩
- 关键词：分布反馈激光器电吸收调制器
- 半导体激光器安装对准和校准的方法
- 一种半导体激光器安装对准的方法，包括如下步骤：把烧结上激光器管芯的TO管壳固定在支架上，TO管壳的底平面贴紧支架以保证TO管壳的中心轴方向为y方向；用一支准直的可见光激光器以与y方向成θ角的方向，照射在半导体激光器芯片的...
- 赵玲娟边静王圩朱洪亮
- 文献传递
- 单片集成电吸收调制分布反馈激光器
- 简化工艺、降低制作成本和提高整体特性是光电子功能集成器件的追求目标和发展方向。本文介绍了一种选择区域外延双有源区叠层结构(SAG-DSAL)新技术，以此技术设计研制了单片集成电吸收调制分布反馈激光器(EML)，SAG-D...
- 朱洪亮梁松李宝霞赵玲娟王宝军边静许晓冬朱小宁王圩
- 关键词：光电集成器件反馈激光器电吸收调制
- 文献传递
- 10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器
- 与折射率耦合分布分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定的单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性。本文介绍了我课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行单纵...
- 赵玲娟朱洪亮张静媛周帆王宝军边静王鲁峰田慧良王圩
- 关键词：激光器
- 文献传递
- 用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器件的研究
- 2007年
- 设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB激光器之上时,从Y形波导端输出光波长在1565nm附近,边模抑制比大于30dB.当大于阈值且相差大于20mA的两个电流同时加载到两段DFB激光器上时,从Y形波导端输出的光谱具有双模分布,双模频率的差值可以拍频产生微波频段的信号.通过调节两段DFB的注入电流,微波信号的频率可以在13～42GHz之间快速连续调谐.这种基于Y形波导的两段DFB并联的拍频光源比传统的双段级联DFB器件有较好的光学和电学隔离,可以作为光学拍频源的一种新的实现方法.
- 王路谢红云赵玲娟潘教青周帆边静王鲁峰朱洪亮王圩
- 关键词：分布反馈激光器单片集成量子阱混杂拍频
- 多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法被引量：2
- 2003年
- 提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB LD集成器件 (EML)耦合效率的对接生长方法 .采用LP MOCVD外延方法 ,制作了对接方法不同的三种样片 ,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌 ,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面 .制作出相应的三种EML管芯 ,从测量所得到的出光功率特性曲线 ,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率 .实验结果表明 ,这种对接生长方案 ,可以获得光滑的对接界面 ,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率 (从常规的 17%提高到 78% )及EML器件的外量子效率 (从 0 0 3mW /mA提高到 0 15mW /mA) .
- 胡小华王圩朱洪亮王宝军李宝霞周帆田惠良舒惠云边静王鲁峰
- 关键词：电吸收调制DFB激光器
