吴晓鸫
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于SOI衬底的ONO结构制造技术及特性研究
- 在微电子行业，存储器技术是一个快速发展的领域，随着计算机和通讯的需求的提高，对存储器的要求也不断提高，为了适应发展需要，新技术不断出现。ONO技术是目前存储器广泛采用的技术，并且在不断地更新。随着微电子进入纳微时代，新的...
- 吴晓鸫
- 关键词：SOI衬底存储器漏电流
- 文献传递
- 超薄氧化层制备及其可靠性研究
- 2011年
- 文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响。实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm～5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3.H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N2退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD。通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV.cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%。
- 刘国柱陈杰林丽许帅王新胜吴晓鸫
- 关键词：超薄氧化层TDDBQBD
- 用于存储器电路的ONO结构特性研究
- 2008年
- 为研究存储器的多晶间介质采用ONO(Oxide-Nitride-Oxide)结构的基本特性,从ONO叠层的工作原理和它在器件制作中的工艺结构出发,设计了采用ONO结构存储器的模拟实验,对不同工艺条件下的ONO叠层作对比实验,通过ONO叠层的I-V曲线、漏电流、击穿场强和电荷保持特性的测试及分析,研究了不同生长条件对ONO结构的影响程度,获得了最优的ONO叠层制作条件,为存储器的设计和工艺控制提供了参考。
- 吴晓鸫周川淼
- 关键词：IPD
- 硅化钛场板的工艺条件与特性研究
- 2013年
- 场板的制备工艺与特性研究对提高RF LDMOS大功率器件的可靠性与耐高压性有重要意义。文中制备了一种"Si衬底-SiO2-多晶-硅化钛-金属"结构的场板,分析了其工艺条件对特性的影响,并优化其工艺条件。实验表明:PESiO2加200 nm的多晶介质层具有较好的BT CV稳定性,多晶注入后退火温度与硅化钛退火温度的提高不利于场板电阻与平带电压的稳定性。优化后的工艺条件下,该场板结构具有较好的可靠性与耐高压性。
- 许帅徐政吴晓鸫
- 关键词：硅化钛场板稳定性
- 多晶电阻工艺监控与影响因素研究
- 2015年
- 首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。
- 张世权马慧红吴晓鸫
- 关键词：晶粒淀积速率
- 氨水、双氧水转国产化应用
- 2015年
- 化学试剂是微电子制造工艺中清洗工艺的重要材料。由于微电子制造对化学试剂的各项要求极高,在该制造业发展初期,国内中高端生产线以进口化学试剂为主。随着国内原材料厂商工艺能力的提高,各种国产化学试剂正逐步取代进口试剂。由于微电子制造对质量的要求,化学试剂国产化需要一个较长的过程。通过国产与进口氨水及双氧水在试剂纯度、单项工艺指标及能力、使用后的产品性能等方面作对比,得到了国产试剂可以取代进口试剂的结论。
- 马慧红吴晓鸫顾爱军
- 关键词：纯度金属离子
- 高精度电阻、电容形成技术被引量：1
- 2004年
- 本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法。
- 吴晓鸫徐政何磊
- 关键词：集成电路电阻电容
