林丽
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 应变硅技术在纳米CMOS中的应用被引量：1
- 2012年
- 应变硅技术具有迁移率高、能带结构可调的优点,且与传统的体硅工艺相兼容,在CMOS工艺中得到广泛地应用,尤其是MOS器件的尺寸进入纳米节点。文章综述了应变硅技术对载流子迁移率影响的机理,并从全局应变和局部应变两个方面介绍了应变硅在CMOS器件中的应用。同时,将多种应变硅技术整合在一起提升MOS器件的性能是未来发展的趋势。
- 刘国柱姚飞王树杰林丽
- 关键词：应变硅CMOS
- PDLC膜黑白显示原理及其光电性能研究被引量：3
- 2010年
- 文章阐述了基于正交偏正片实现PDLC膜的黑白显示机理,并基于正交偏振片研究了PDLC膜的电光特性,实现PDLC膜黑白显示。研究发现,PDLC膜的阈值电压Vth和对比度CR(0°)随膜厚、单体含量增加呈减小的趋势,与无正交偏振片下的PDLC膜相关特性相反;而饱和驱动电压Vdr随膜厚、单体含量增加而增大,且可视视角宽度随膜厚增加而减小,与无正交偏振片下PDLC膜相关特性变化趋势基本一致;透射光强与视角之间存在M型特性。
- 刘国柱林丽杨文君王春栋黄子强
- 关键词：PDLC阈值电压对比度
- 超薄氧化层制备及其可靠性研究
- 2011年
- 文章简述了超薄氧化层SiO2的击穿机理,采用了恒定电流法表征超薄氧化层TDDB效应,并研究了清洗方法、氧化温度、氧化方式等工艺因素对超薄氧化层的可靠性影响。实验表明,在850℃、900℃等高温条件下,可通过干氧N/O分压的方法制备厚度4nm～5nm、均一性小于2.0%超薄氧化层;RCA清洗工艺过程中,APM中的NH3.H2O含量过高,会对衬底硅表面产生损伤,致使氧化层的早期失效高,击穿电荷量QBD差;在干氧N/O分压的过程中,采用N2退火,可有效地改善超薄氧化层的致密性,从而提高氧化层QBD。通过实验进行优化,在800℃、O2/DCE、N2退火条件下,可制备5nm氧化层,其可靠性能为:最大击穿电压49.1V,平均击穿电压7.1V,击穿电场16.62MV.cm-1,早期失效率3.85%,击穿电荷量QBD>15C.cm-2点可达61.54%。
- 刘国柱陈杰林丽许帅王新胜吴晓鸫
- 关键词：超薄氧化层TDDBQBD
- 早期热壁卧式LPSIN工艺的优化改进
- 2007年
- 文章针对早期热壁卧式LPSIN系统所遇到的颗粒问题,详细阐述了颗粒问题产生的原因,包括DCS气体、工艺压力、反应生成物。针对这些颗粒成因提出了相应有效的优化方法,通过实践每一种优化方法都可以降低LPSIN工艺的颗粒,综合所有优化方法有效地降低了LPSIN工艺的颗粒,极大地延长了设备PM的间隔,提高了LPSIN工艺的质量,大幅提高了设备的流片产能,在不对设备硬件做大的改动的情况下使设备的能力得到了大的改进。
- 缪海滨陶军林丽
- 关键词：DCSNH3NH4CL
