刘卫丽
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究被引量：4
- 2001年
- 用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁
- 关键词：多孔硅SOI材料
- 多孔硅在HFH2O2溶液中的腐蚀行为及外延层转移制备SOI的研究
- 对多孔硅在HF/H<,2>O<,2>溶液的腐蚀行为进行了研究,与通常硅的腐蚀行为不同,多孔硅以孔内腐蚀为主,最后硅柱一起坍塌,多孔硅相对于硅有很高的腐蚀选择率.用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散...
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁
- 关键词：多孔硅SOI材料
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