沈勤我
- 作品数：49 被引量：62H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究被引量：1
- 2001年
- 研究了覆盖层为铁磁性的 Fe和非铁磁性的 Ti、 Cu的 Co/Cu/Co三明治在室温和低温下 的巨磁电阻效应。实验结果表明，室温下有覆盖层时 , Co/ Cu/Co三明治的巨磁电阻效应值 没有明显变化，但以 Fe为覆盖层的样品的矫顽力和饱和场明显减小，而 Ti、 Cu覆盖层对三 明治样品的矫顽力和饱和场无太大的影响。温度降低时，覆盖层使 Co/Cu/Co三明治的巨 磁电阻值显著增加，表明样品的巨磁电阻效应与覆盖层及其与上层 Co所形成的界面密切相关。
- 潘强沈鸿烈祝向荣李铁沈勤我邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应覆盖层金属多层膜
- Co/Cu/Co三明治膜的巨磁电阻效应研究被引量：1
- 1999年
- 采用超高真空电子束蒸发方法在硅单晶衬底上制备了Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ 三明治膜，研究了衬底晶向、过渡层材料和生长室温度对三明治膜中巨磁电阻效应的影响；结合原子力显微镜表面形貌观察，探讨了三明治膜表面（ 界面）粗糙度与其巨磁电阻效应的内在关系；还分析了三明治膜经高温热退火后巨磁电阻效应退化的物理机制。
- 沈鸿烈李铁沈勤我李冠雄潘强邹世昌
- 关键词：磁电阻效应电子束蒸发多层膜
- NiO/Co/Cu/Co自旋阀中反铁磁NiO层钉扎作用的研究
- 1999年
- 本文通过研究不同方向外加磁场下ＮｉＯ７０ｎｍ／Ｃｏ ５．５ｎｍ／Ｃｕ ３．５ｎｍ／Ｃｏ ５ ．５ｎｍ 自旋阀结构中磁电阻的变化，探讨了ＮｉＯ 反铁磁层对相邻的Ｃｏ 层的钉扎作用。研究发现，材料中的钉扎方向是唯一确定的，只有沿着钉扎方向反向增大外场，才能获得高的巨磁电阻效应和磁灵敏度。
- 李铁沈鸿烈沈勤我徐梅娣邹世昌
- 关键词：自旋阀反铁磁巨磁电阻材料
- Si作过渡层的Co/Cu/Co三明治膜中高灵敏度巨磁电阻效应和平面内磁各向异性
- 1999年
- 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ 为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜并研究了其巨磁电阻效应。当Ｓｉ 过渡层厚度达到０．９ｎｍ 时，三明治膜中开始出现较强的平面内磁各向异性。在Ｓｉ１．５ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ／Ｃｕ ３ｎｍ／Ｃｏ ５ｎｍ结构中，在其易轴上得到了５ ．５％ 的巨磁电阻值和０．９ ％／Ｏｅ 的高磁场灵敏度。研究了过渡层Ｓｉ／Ｃｏ 界面之间的相互扩散，发现在过渡层Ｓｉ 与Ｃｏ 层间形成了ＣｏＳｉ 化合物。这个硅化物界面层诱导了三明治膜的平面内磁各向异性，从而导致了易轴上高灵敏度巨磁电阻效应。
- 李冠雄沈鸿烈沈勤我李铁邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应磁各向异性
- 超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究被引量：14
- 1998年
- 用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化后处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１００００Ｃ３０分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。
- 黄继颇王连卫高剑侠沈勤我林成鲁
- 关键词：氮化铝电子束蒸发氮化半导体
- Si/Co/Cu/Co薄膜中各向异性巨磁电阻效应及其与微结构的关系
- 沈鸿烈李冠雄沈勤我李铁邹世昌
- 关键词：金属薄膜各向异性巨磁电阻效应微结构
- 以氧化铝为埋层的绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法
- 本发明涉及一种以Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为绝缘埋层的新型绝缘层上硅衬底材料及制备方法,属于微电子学中半导体材料及制备工艺。本发明的特征在于它由三层构成,顶层单晶硅,厚度100－2000nm,...
- 万青章宁琳林青沈勤我张苗林成鲁
- 文献传递
- 等离子体键合和B+/H+共注实现低温SOI工艺的研究
- 为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系统研究了不同硼注入剂量和不同温度退火时硅表...
- 马小波詹达刘卫丽宋志棠沈勤我林梓鑫
- 文献传递
- 多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构被引量：6
- 2003年
- 为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
- 谢欣云刘卫丽门传玲林青沈勤我林成鲁
- 关键词：绝缘埋层氮化硅薄膜SOI结构
- 超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
- 2001年
- 采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅 ,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构 ,截面透射电镜表征材料的微结构 ,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度 ,卢瑟福背散射 /沟道表征外延层晶体质量 ,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对于在 5mA/cm2 电流密度下阳极氧化 10min形成的多孔硅衬底 。
- 刘卫丽多新中张苗沈勤我王连卫林成鲁朱剑豪
- 关键词：多孔硅单晶硅
